Intel的半導體工藝是不是依然領先？
intel的10nm工藝都已經開始用鈷了，當然是intel半導體工藝領先。
圖片來源：IEDM2017
Computerbase表示Intel的10nm工藝中會使用到鈷這種金屬代替部分的銅，而其他半導體廠目前實用鈷這種材料的程度都沒有Intel這麼高，這使Intel的10nm工藝有了更多的賣點，使用鈷新材料後會帶來更多好處，作為幾乎所有半導體公司的供應商的Applied Materials三年前曾說過鈷這種材料是互聯網15年來最大的變革，然而要把這種材料投入實用實在太耗時間了，太過昂貴而且也不是必須的。
不過Globalfoundries其實已經在High-K Metal Gate工藝和銅工藝上使用了鈷這種材料很多年了，只不過現在的14nm工藝的技術是來源於三星的，不知道有沒有使用到鈷這種材料，AMD現在的14nm處理器在頻率上明顯低於那些28nm工藝的產品。
Intel希望用10nm工藝表現他依然是半導體行業的領先者，雖然說他現在在紙面上的納米競賽已經輸了，然而Intel的14nm工藝明顯是最好的，甚至要優於10nm LP和12nm LPP，這也是為什麼Intel夠膽把自家的10nm與別家的7nm相提並論。
Intel的10nm採用鈷代替銅作為下部互聯層可使電遷移性能提高1000倍，同時層間通孔電阻應該會減少一半，這必然會大大增加晶元的耐用性，另外Intel會把鈷用在數個不同的地方，包括觸點、M0和M1層的金屬，M2到M5層則是主要用銅不過表面用鈷覆蓋。
那麼Intel的10nm到底什麼時候來呢？Intel表示今年內會放出10nm工藝的Cannon Lake，然而今年就剩下19天了，其實Intel現在應該可以生產10nm的晶元了，然而良品率可能比較低，因為這10nm一下子加太新東西進去了，第一代10nm工藝的Cannon Lake可能比較短命，第二代的Ice Lake明年下半年應該就會出來，Cannon Lake可能會成為像今年的Kaby Lake一樣的短命鬼。
這幾年，三星和台積電在半導體製造工藝上突飛猛進，讓半導體巨頭英特爾開始感到前所未有的壓力。在公眾場合，英特爾也在不斷的強調，英特爾的半導體製造工藝是目前世界上最先進的，領先台積電、三星一個世代，三星和台積電的10納米工藝實際上與英特爾的14納米相同，只是三星台積電在命名上做出了改變，誤導一般消費者。
從製造工藝上來看，英特爾最新的Coffee Lake-S依然採用14納米FinFET工藝，而三星的台積電的10納米也是採用FinFET工藝。不過按照英特爾的說法，三星、台積電的晶體管密度與他們的14納米相差無幾，三星和台積電利用更改實際之稱的方法，來達到他們的宣傳效果。
現在英特爾的14納米工藝已經延續了三代，10納米的邏輯電路產品依然沒有正式量產，最快也要等到明年的Ice Lake上使用了。英特爾表示10納米已經進入到試產階段，不過最早用上10納米的並非邏輯處理器產品，而是應用在存儲器上。
台積電方面，在10納米工藝成本高企的情況下，台積電退出了成本更低的12納米工藝，實際上，台積電的12納米工藝就是其14納米的改良版，只是進一步提升晶體管密度。
三星則將重點放在10納米內的8nm工藝，而8nm工藝也將繼續使用FinFET工藝，實際上就是三星10納米的改良版。
所以三星、台積電一直在強調製程工藝，不過他們依然落後英特爾一個世代，不過英特爾的「牙膏」已經擠了好多年，不知道在AMD的強力追擊之下，能否在明年帶來更好的產品。
自從幾年前推出14nm技術以來，好久沒有關於英特爾新一點節點技術的進展，有的只是在14nm上的幾個功能和性能升級。但相反，在競爭對手上卻看到了更多10nm和7nm的進展，甚至市面上已經見到了幾款10nm的晶元。很多人都在討論Intel的10nm跳票信息，甚至認為英特爾在製程技術上已經落後競爭對手。每次被問到相關問題的時候，英特爾都會三緘其口。
今日，英特爾終於帶來了最新的10nm技術。
英特爾公司執行副總裁，製造、運營與銷售集團總裁Stacy J·Smith在演講台上正式展出了10nm技術的硅晶圓。
根據英特爾高級院士，技術與製造事業部製程架構與集成總監Mark T·Bohr介紹，由於應用了新的超微縮技術。新的10nm技術每平方毫米集成的集體管超過1億個。相比於上一代14nm的3750萬的數字，有了很大的提升。
正如前面所說，這都是基於其新一代超微縮的技術實現的。
根據Mark介紹，英特爾的10nm技術採用了第三代的FinFET技術，對比於前一代的產品。10nm的鰭片間距從42nm降低到34nm，是前一代的0.81倍；最小金屬間距也從52nm降到36nm，較之前代下降了差不多50%；單元高度也從399nm降為272nm；柵極間距也從70nm降到54nm。另外虛擬柵極從兩個變成一個，柵極觸點從標準變成COAG。這幾點締造了10nm晶元的高級性能。
邏輯晶體管密度的提升。
看一下第三代FinFET的提升
還有活躍柵極上的觸點改變帶來的變化
晶體管的性能和功耗也有了很大的提升。
英特爾還將其10nm與競爭對手的技術進行了深刻的對比。英特爾表示，和以往一樣，英特爾新技術領先競爭對手一代，也就是三年。
例如在性能和功耗方面，英特爾的有功功率較之友商有20%和30%的領先。
在邏輯晶體管密度方面，英特爾較之同樣領先於競爭對手。
SRAM的提升，也對產品的微縮有效提高。
在各項數據對比方面，Intel也基本吊打競爭對手。
另外，據英特爾方面介紹，其10nm可以做到7.6mm2，密度和性能得到了提升。
Mark接著指出，英特爾方面認為，未來的製程升級周期會變長，英特爾會在每一個節點上做很多代的升級，滿足多方面的需求，英特爾也會成為持續推進，研究新技術，成為摩爾定律的堅定推動者。
英特爾表示，10nm技術將會在今年下半年正式量產。
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