ISSCC2019論文解析目錄:
1、Session 6 Ultra-High-Speed Wireline
2、Session 4 Power Amplifiers
功率放大器是每年ISSCC必有的一個傳統Session,今年也不例外。
今年這個session一共有9篇論文,與上一篇文章提到的高速介面不同,這9篇論文全部來自於學術界。至少有兩個原因:第一,功率放大器的設計不需要16nm或7nm FinFET這樣的先進工藝,不管是射頻還是毫米波頻段,65nm或40nm的CMOS工藝足夠了,而且先進工藝的電源電壓降低,功率放大器的性能反而受到影響。第二,學術界不必過多關注可靠性,可以得到更好的性能指標。可靠性和最優性能指標是一個trade-off。
學術界的朋友可以好好看看這個session,說不定能找到一些啟發。
既然說到工藝,這裡還要插入一句,為了把整個系統集成在同一顆晶元之上,遲早會有採用FinFET工藝設計功率放大器的需求的。那現在這些功率放大器技術,有哪些可以沿用到FinFET工藝?有哪些變得不那麼有效?FinFET工藝的功率放大器又會哪些獨特的挑戰?這或許可以成為一個研究方向。
言歸正傳。從內容來看,今年功率放大器的最大關注點是回退效率(power back-off efficiency),有一半的論文在針對這一點做提高。其他幾篇論文關注點是功率合成、太赫茲、超寬頻等等。
在具體看每篇論文之前,我這次先介紹一下功率放大器的回退效率的背景知識,方便大家理解這些論文在解決什麼技術難點。
為什麼要關注回退效率呢?
現在的通信系統為了充分利用頻譜資源,都會採用很複雜的調製方式,如64QAM等等,信息同時蘊含在調製信號的相位和包絡幅度之中。這對功率放大器的線性度提出了要求,設想我傳遞給功率放大器一個有四個電平的包絡信號,假如功率放大器是完全非線性,發射出來的包絡幅度全變成一樣,那其中包含的信息就不可能找回來了。因此功率放大器必須工作在飽和輸出功率回退若干dB的地方,以避免非線性造成信號失真。
下面這兩頁PPT很好的說明了這個背景。
※機械領域相關SCI期刊(上)
※真正的博士生涯意味著什麼?
※如何把觀察到的現象轉化為學術問題?
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