建興 T10 Plus 512G固態硬碟測評

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距離去年11 月建興和憶芯在北京聯合發布憶芯star1000主控和採用該主控的固態產品—建興T10plus已經過去很久，今天給大家帶來建興T10plus 512G版本的測評。

在開始之前，先介紹下建興和憶芯兩家公司。

首先建興隸屬於台灣光寶集團，在光儲存領域有領導地位，同時在SSD的生產、電源的生產中也是十分知名的品牌，在全球固態銷量上總是可以佔得一席之地。

憶芯科技成立於2015年總部位於北京，在16年就基於台積電28NM工藝成功流片企業級固態硬碟的主控，17年11月基於原型MB1000主控開發出消費級固態硬碟STAR1000主控晶元，可謂進展迅速。

而兩家公司的合作則在於憶芯負責開發硬體，建興提供製造產線並著重開發產品固件。

有趣的是憶芯的標誌是一隻獨角獸而建興的標誌是一隻小獅子，兩大神獸之間的合作。

一．外觀及包裝

建興T10plus是以國產主控為核心進行設計的固態硬碟產品，採用了憶芯STAR1000的國產主控，外包裝的設計也結合了很多中國特色，標註了產品信息和一些產品認證。在中下方祥雲之上，也突出了本產品是針對國產主控進行開發的產品。

外包裝背面則標註了產品的產地代理等信息，左下方表明建興T10plus提供3年有效質保。產品上下均使用貼紙進行封口。

建興T10plus包裝內所含物品，建興提供了一顆固定螺絲，一個小型螺絲刀，建興T10plus的散熱片於固態是分開的，用戶可自行選擇是否安裝散熱片，便於筆記本用戶使用。

相變硅脂也已經貼在主控上方，撕下藍色貼紙再安裝散熱片就完成了。

建興T10plus除了外包裝之外，在固態散熱上也有一番文章，散熱片通體採用紅色，靠近金手指一側為建興的品牌LOGO另一側則為類似蘇州園林中漏窗，也像極了傳統的中國結。這些中國元素都於它的一顆中國芯相呼應。

在尾部還有兩顆紅色的LED，會根據固態的使用情況閃爍。燈大燈亮燈會閃！

產品背面銘牌標註了型號、電壓、SN碼等信息，還有一些產品認證的信息和兩個二維碼，另外貼紙底下還有兩顆快閃記憶體顆粒和一顆內存顆粒。

二．硬體及IC分析

建興T10plus 512G容量和1T容量採用雙面顆粒設計，正面包括一顆憶芯STAR1000主控，一顆內存顆粒，兩顆快閃記憶體顆粒，背面則有一顆內存顆粒，兩顆快閃記憶體顆粒，兩面共計七顆主要的顆粒。

建興T10plus 512G容量採用了4顆編號為TH587FTOT23BADE的東芝原廠的64層堆棧3D-NAND TLC顆粒，單顆容量128G。

另外T10plus的256G版本為單面顆粒設計，背面沒有任何電子原件。

緩存採用兩顆編號為H5AN4G6NBJR的海力士DDR4內存顆粒，電壓1.2V，單顆容量512M兩顆容量共計1G。

作為建興T10plus固態硬碟的核心，憶芯STAR1000主控自然需要單獨拿出來說一說。

憶芯STAR1000主控支持PCI-E3.0 X4通道和NVME 1.2協議，支持StarLDPC ECC引擎、支持ASE256和TCG OPAL加密，能夠支持目前MLC/TLC/3D MLC/3D TLC多種快閃記憶體，未來可以通過微碼更新支持新的顆粒類型。

STAR1000採用性能強大的雙核ARC構架，提供8條快閃記憶體通道，支持ONFI 4.0和Toggle DDR 3.0，快閃記憶體介面速度800MT/S，可支持最大2400MT/S的DDR4 / DDR3L外置緩存。主控最大連續讀寫分別為3GB/S和2GB/S，最大隨機讀寫IOPS分別為350K和300K，讀寫延時分別為90us和20us，最大功耗小於2.5W，主控性能達到甚至超越台系廠商主控。

最後，記住這個獨角獸，期待以後會有更多的國產神獸出現在相關領域。

製造工藝方面STAR1000採用台積電28NM HPC工藝製造，與世界一線產品處於同樣的水平。

這裡可能很多人會有疑問現在的最新工藝不是12NM嗎？為什麼這裡28NM會成為一線？

其實很簡單，目前只有手機CPU、PC CPU、GPU等對於性能和功耗控制要求極高的晶元採用了最新的製造技術，其他一些對於性能要求不高但求穩定的晶元使用的製程都還是比較老的製程，具體原因可以涉及到14NM產能和製造成本上。

三．常規測試

本次測評將建興T10plus固件升級為1.2，採用配置為上圖的台式機進行測試，環境溫度在28度左右，使用系統為WIN10專業版64位操作系統，主硬碟為海康威視 V100 固態硬碟，不存在性能瓶頸影響測評。

常規測試中使用的都是AS SSD、CrystalDiskMark、TxBENCH等常見的用於測試硬碟軟體，在空盤情況下進行數據跑分。

實測上機圖，尾部LED通電後會閃爍。

首先看一下CDI的截圖信息，1.2固件的T10plus待機溫度在45度左右，這一代T10PLUS相對於上一代的T10溫度控制的更加出色，從側面也體現出了主控的低功耗高性能，對於主控的調教也更加出色。

CDI可以檢測到通電時間、通電次數還有主機的讀寫量。另外用戶可以通過傳輸模式這裡判斷硬碟是否在X4速率上工作。

在CDM跑分中，各項成績相較於1.1固件均有所提升，1GiB數據量測試中順序讀寫均接近憶芯SRAR1000主控的極限，產品的4K讀寫性能在NVME硬碟中屬於中上水平，不過這一項成績深受CPU的影響，因此不同平台跑出的測評數據都不一致，另外4K性能只要達到一定水平過後對於日常使用就不會有多大的影響了。

在32GiB數據量的測試中，數據出現小幅下滑，屬於正常現象，另外需要介紹一下，CDM的跑分原理是默認每項跑5次，然後選擇最佳數據作為最終成績，而非像AS SSD計算平均值。

TxBENCH跑分測試中，建興T10plus各項參數都還不錯，順序讀取達到2624M/S順序寫入也達到1891M/S，4K讀取達到40.723M/S、4K寫入相較於AS SSD持平達到113.946M/S，表現不錯。

四．階測試

在進階測試中會有三部分，首先是填盤測試，將建興T10 plus進行填盤至總容量的50%和80%進行測試（實際填盤49%和81%），以模擬在用戶使用中不同佔用率的情況下性能的表現，第二部分為PCMARK 8儲存測試，模擬用戶日常使用環境，第三部分將使用HD Tune Pro進行文件基準測試，以測試得出產品的SLC cache容量。

四．1填盤測試

在填盤測試中使用濱崎步15周年小巨蛋演唱會藍光無損視頻進行填充，單個文件大小38.8G，經過多次複製最終填充至總容量的49%和81%。