量子阱增強的鈣鈦礦LED

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正文之前先簡單介紹這個專欄：這個專欄涉及的是半導體顯示領域，我個人讀書筆記式的文章，不打算做導讀。看到一些好的文章分析一下亮點。

背景：

鈣鈦礦LED起初因為量子效率較低，並沒有引起很大波瀾，直到2016年底science上發表的文章將外量子效率EQE從0.1量級提升到了7.9%，鈣鈦礦材料的研究興趣從太陽能電池逐漸轉到LED顯示領域。之前perovskite LED較低的效率主要歸結於以下方面：

1. 極差的表面形貌，體現在surface coverage較低引起的漏電電流和表面粗糙度引起的non-radiative recombination
2. 較大顆粒的nanocrystal，引起exciton順利的橫向遷移，增加non-radiative recombination

本文從原理上介紹了perovskite emitter layer的厚度不止影響驅動電壓，而且在這個體系中涉及到的量子阱收到厚度的調製，可以以不同序列的量子阱實行激子傳遞，聚集激子濃度，減小non-radiative recombination從而提高效率。

e 量子阱序列的激子傳遞 f n=2的量子阱壽命較短，能量傳至pb3 的量子阱，壽命較長，

c， EDXmapping 證明了emitter 於ETL層界面為n=4的量子阱，晶相與bulk材料相似（d），是發光的主要界面。

外量子效率11.7%