解讀固態硬碟中快閃記憶體顆粒數量變少之謎

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經常關注固態硬碟的朋友們可能會知道，固態硬碟中的快閃記憶體顆粒數量正在逐漸減少。以前貼滿雙面16顆粒的情況很普遍，而現在通常只有2到4個顆粒，甚至還有只用單個快閃記憶體顆粒的極端情況。

拆開經典的東芝Q Pro 256G，當年的它使用了8顆快閃記憶體顆粒來實現256GB容量，每個顆粒的容量是32GB。

作為Q Pro的繼任者，有MLC SSD常青樹美名的Q200 240G中使用了4顆快閃記憶體顆粒，每個快閃記憶體顆粒的容量是64GB，由於增加了OP預留空間，實際可用為240GB。

從外觀上看，Q200在快閃記憶體顆粒數量減少後留下的空焊位看起來不如過去美觀、飽滿，不過這卻是技術進步的結果：快閃記憶體存儲密度翻倍增長，只需更少的快閃記憶體顆粒就能實現同樣的容量。

存儲密度不光要看快閃記憶體顆粒數量，因為每個快閃記憶體顆粒內部可能封裝了多個上圖晶圓中切割而來的小晶粒（Die）。通過疊Die，每個快閃記憶體顆粒中可以封裝進1到8個不等的晶粒，而快閃記憶體顆粒的容量也將是這些晶粒的綜合。

在使用BGA封裝時，快閃記憶體顆粒中的多個Die還可以擁有獨立CE信號，有助於提升性能表現。

儘管Q200 240G只使用了四顆快閃記憶體顆粒，卻依然能夠用滿主控的8個快閃記憶體通道，不會出現性能縮減。

在最新一代64層堆疊BiCS快閃記憶體技術中，東芝將平面擴展的快閃記憶體改為立體形式，存儲密度進一步提升。

東芝BiCS3快閃記憶體的存儲密度為單Die 256/512Gb，這意味著達到過去同樣的容量只需更少數量的快閃記憶體晶粒，同等封裝形式下256GB容量級固態硬碟所需的快閃記憶體顆粒數量還將繼續下降。

在今年CES大展上東芝宣布了新一代主流級NVMe固態硬碟——RC100，通過將主控制器與快閃記憶體晶元合併封裝，只需一顆晶元即可提供固態硬碟的全部功能以及最高512GB的存儲容量。

2018年，東芝還將推出第四代BiCS快閃記憶體，實現96層堆疊以及QLC類型快閃記憶體的引入，屆時單Die容量將可達到768Gb，單個快閃記憶體顆粒即可提供高達1.5TB存儲容量。

關於東芝：

東芝於1987年發明了NAND快閃記憶體，並且率先於1991年開始量產該產品，開創了快閃記憶體世界。2007年，東芝首次宣布三維快閃記憶體堆疊技術：BiCS Flash。