DRAM晶元戰爭6〈2017-08-07〉
江蘇省無錫市,華晶電子,中國最早啟動的6英寸晶圓廠,花了八年時間才建成。建成就已經落後淘汰。九0八工程——蓋一座6寸晶圓工廠用時八年為了治理散亂差問題,1986年電子工業部在廈門,舉辦集成電路戰略研討會,提出「531戰略」。即「普及5微米技術、研發3微米技術,攻關1微米技術」,並落實南北兩個微電子基地。南方集中在江浙滬,北方集中在北京。1988年至1995年,在政策扶持下,中國誕生了五家具有規模的國有半導體企業:江蘇無錫華晶電子(原無錫742廠與永川半導體研究所合併)、浙江紹興華越微電子(1988年設立中國第一座4英寸晶圓廠)、上海貝嶺微電子、上海飛利浦半導體(1991年設中國第一座5英寸晶圓廠)、和北京首鋼NEC(1995年設中國第一座6英寸晶圓廠)。1990年8月,國務院決定在八五計劃(1990-1995),半導體技術達到1微米製程,決定啟動「九0八工程」,總投資20億元。其中15億元用在無錫華晶電子,建設月產能1.2萬片的6英寸晶圓廠,由建設銀行貸款。還有5億元投給9家集成電路企業設立設計中心。(1993年華晶開發出256K DRAM,比韓國晚7年)但實際結果是,由於官僚體系拖延,九0八工程光是經費審批就花了兩年時間。然後從美國AT&T(朗訊)引進0.9微米製程,又花了三年時間。前後拖延五年時間,建廠再花三年,導致1998年無錫華晶電子投產即落後(月產能僅6000片),華晶還要為此承擔沉重的利息支出壓力。為了解決華晶的困境,電子工業部借研討會的機會,請台灣茂矽電子老闆陳正宇,接手管理華晶的六寸晶圓廠。1998年2月,由台灣人陳正宇、張汝京和李乃義在香港註冊上華公司,來租賃無錫華晶的6寸廠,進行晶圓代工業務。1999年8月,雙方合資成立無錫華晶上華半導體公司,上華控股51%。新公司迅速扭虧為盈,成為中國大陸第一家「純晶圓代工」企業,月產量達到1萬片。2001年月產能達到2萬月。2003年上華籌備建設一座8英寸晶圓廠,為了節省投資希望購買二手設備。不過國際上二手8寸晶圓廠很少。直至2007年8月,無錫海力士的8英寸晶圓廠,因DRAM價格暴跌而停產。上華迅速出手,以3.8億美元買下了該廠設備,2009年投產。與無錫華晶形成鮮明對比的是,1990年新加坡政府投資特許半導體,只用2年建成,第三年投產,到1998年收回全部投資。而無錫華晶卻被甩給了台灣人經營。
1990年,中國進口一台美國IBM 286電腦(IBMPS1),價格是3.5萬元人民幣。當時中國普通工人的月工資只有300元左右。由於電子產品的暴利,引發廣東、浙江等沿海省份,大規模走私進口電子器件,徹底衝垮中國電子工業。中國電子產業落後——三十年來以市場換技術在1996年,國際主流生產線是8英寸晶圓廠,而中國最先進的是首鋼NEC的6英寸晶圓廠,比國外落後八年。造成這一現象,有多方面原因。一是投資薄弱,1980-1996年間,中國在半導體產業,累計投資僅有3億多美元,其中多數胡亂花掉,沒有形成技術能力。國有企業缺乏投資,根本不可能追趕國外先進技術。作為對比,日本光是1996年對半導體的投資就接近40億美元。二是電子工業部作為行業主管部門,卻沒有制定執行產業政策的權力,要通過國家計委來審批項目。九0八工程就是如此。而官僚體系在決策時,盲目追求技術先進,根本不考慮市場因素。以華晶電子為例,決策者拒絕在華晶內部設立IC產品設計研究所,這就一下子丟掉了大批缺乏設計能力的客戶。後來電子工業部部長鬍啟立,在接受採訪時認為:那是因為決策者不了解半導體市場運作規律。三是政治因素,自1949年新中國成立起,中國就被西方國家主導的「巴黎統籌委員會(簡稱巴統)」,進行嚴格的技術封鎖。1994年巴統由於蘇聯解體而宣告解散,但是西方對於中國的技術封鎖並未停止。1995年9月,包括原巴統17個成員國在內的28個國家,在荷蘭瓦森納召開會議,決定以控制武器技術擴散的名義,建立技術出口控制機制。1996年7月,西方33個國家正式簽訂《瓦森納協定》,民用技術控制清單包括:電子器件、計算機、感測器等九大類。軍用技術控制清單包括22大類。中國同樣處於被禁運國家之列。在電子領域,韓國、台灣可以輕輕鬆鬆從歐美進口先進電子設備,而中國大陸只能購買落後5年以上的淘汰技術。而韓國、台灣依靠電子產業優勢,同樣對中國大陸進行技術封鎖。如台灣官方禁止台積電等企業,到中國大陸投資建設先進位程晶圓廠,禁止台灣液晶面板企業到大陸設廠。即使設廠也只能投資落後台灣一代的生產線。台灣廠商通過合同約束,嚴厲禁止台灣技術人員,跳槽到中國大陸相關企業工作。在各方面嚴防死守下,中國企業要想獲得先進技術,就變得非常困難。而外國企業則憑藉掌握的先進技術,在中國市場予取予求,佔盡便宜。所謂的「以市場換技術」,成為改開三十年來,中國最大的笑話——中國為此付出了,至少損失1萬億美元的巨額產業代價。1990年,中國大幅降低關稅、取消計算機產品進出口批文、開放了國內電腦市場。頃刻間,國外的286、386電腦如潮水般湧入,長城、浪潮、聯想等國內公司潰不成軍。1991年由美國英特爾和AMD,掀起的「黑色降價風暴」,更是讓中國計算機產業雪上加霜。由於絕大多數整機企業,積壓了高價買進的晶元,從而背上巨額虧損的包袱,一家家電腦整機廠商,前赴後繼般悲壯地倒在了血雨腥風之中。長城、浪潮和聯想也都元氣大傷。在微電子集成電路方面,國內企業繼80年代中後期陸續虧損後,90年代紛紛倒閉,國內集成電路工業,逐步變為三資企業為主的局面。據專家估計,到1990年代末,中國微電子科技水平,與國外的差距至少是10年。八英寸晶圓廠——摩托羅拉在天津拖了六年1995年12月,為落實「九五計劃」中,半導體生產工藝達到0.5微米的目標,國務院與上海市政府批准了「九0九工程」。包括建設晶圓廠和建立設計公司兩大任務。其中上海市政府出資40億元(5億美元),成立華虹微電子。日本NEC出資2億美元,雙方成立華虹NEC,合計投資12億美元,在浦東建設8英寸晶圓廠。由NEC提供0.35微米技術,生產當時主流的64M DRAM內存晶元。由於決策執行迅速,華虹NEC在1999年9月投產,次年實現盈利。2000年起,中國政府更換第二代IC式身份證和社保卡,華虹NEC成為主要製造商,拿到大量訂單。1996年,美國摩托羅拉提出,準備在天津投資122億元人民幣,建設一座當時中國最先進的8英寸晶圓廠(MOS-17)。憑藉這個條件,摩托羅拉成為2001年前,唯一獲得中國政府特許,獨資設立手機廠的企業,而且是唯一拿到GSM和CDMA,兩張手機生產許可證,及內銷許可證的外國企業。摩托羅拉因此在中國大賺特賺,佔領了超過半數手機市場,光是1999年銷售額就達到260億元。但是直到2000年,天津的8寸廠才開始動工,2002年才正式量產(2004年被中芯國際收購)。此時國際上已經紛紛開始建設12英寸晶圓廠。1998年,電子工業部和郵電部合併,組建信息產業部,邀請海外華人專家,參與討論制定產業指導政策。台灣世大半導體老闆張汝京赴大陸考察。電子工業部曾考慮聘請張汝京出任總經理,結果未如願。到1999年底,世大半導體被台積電併購後,張汝京便決定投資大陸。2000年6月,在上海市政府支持下,張汝京創辦中芯國際,一期投資14.76億美元,其中上海國有銀行提供了12億美元貸款。2001年9月,中芯國際在上海張江,建成第一座8英寸晶圓廠,採用0.25微米工藝(設計月產能5萬片)。十二寸晶圓廠——中芯國際專做接盤俠2000年,北京市政府,計劃由首鋼集團出面,與美國AOS(萬代半導體),合資組建華夏半導體,投入13.35億美元,建設8英寸晶圓廠。其中北京市願意提供6.2億美元貸款。然而隨著2001年全球半導體市場跌入低谷,該項目流產。此後,中芯國際提出在北京建設中國第一座12英寸晶圓廠(Fab4),獲得北京市政府大力支持,2004年建成(計劃月產能4.5萬片),採用100納米工藝,為英飛凌、爾必達代工生產DRAM。該廠總投資12.5億美元,北京市最初承諾提供6億美元貸款,不過直到2005年6月,才將貸款撥給中芯國際,導致Fab4直至2006年才大規模量產。2003年,江蘇無錫市政府,獲悉韓國海力士在中國各地挑選投資地點,便成立了812項目,全力爭取海力士投資。無錫開出了比上海和蘇州,更大的資金優惠條件。最終韓國海力士與意法半導體(ST)合資,在無錫投資20億美元,建設一座8寸晶圓廠,和一座12寸晶圓廠。其中無錫市政府總計為該項目,提供了10億美元貸款。在土地方面,由無錫市政府出資3億美元,建設兩座佔地54萬平方米,和面積32萬平方米的晶圓廠房,租賃給韓國海力士及意法半導體使用。2006年,湖北省與武漢市政府投資100億元,組建武漢新芯,建設12英寸晶圓廠。該項目是湖北省歷史上,單項投資金額最大的項目,設計月產能6-7萬片。由於湖北省缺乏相關人才和技術,從項目之初,武漢新芯和中芯國際就簽訂了託管協議,由中芯國際提供技術支援。2008年武漢新芯投產後,由於產能開工不足,長年處於虧損狀態。2010年,美國鎂光和台灣台積電,都對武漢新芯虎視眈眈,希望併購。由於中央政府擔心國際寡頭,危及中國半導體產業安全,因此支持中芯國際入主武漢新芯。2010年10月,雙方簽訂合作協議。但是到2013年,兩企業開始分道揚鑣。2014年2月,武漢新芯和美國飛索(Spansion),簽定技術合作協議,由飛索提供技術,在武漢新芯共同研發新型的3D NAND Flash。美國飛索是1993年日本富士通和美國AMD,共同出資設立的NOR Flash研製公司。2009年飛索因業績連續滑坡倒產,被賽普拉斯(Cypress)收購成為其全資子公司。雖然,飛索從來就沒有生產過NAND晶元,但是,包括三星在內,現在所有的3D NAND Flash技術,其基本原理是飛索最早開發的MirrorBit技術。不過在量產技術方面,飛索遠遠落後於韓國三星。
陝西西安,韓國三星電子西安廠區,由西安市政府免費提供土地,並花費數十億元建設廠房,再租賃給韓國三星。西安市在十年內,收不到一分錢稅費。韓國三星落戶西安——西安市政府提供300億元巨額補貼2011年,韓國三星與日本東芝在NAND快閃記憶體領域展開爭奪。當時三星在韓國華城(Fab12、Fab16)、器興(Fab14)以及美國得州奧斯汀,共有4座NAND快閃記憶體12英寸晶圓廠,年產能450萬片晶圓。為了拉開與東芝的差距,三星決定在中國選址建立NAND快閃記憶體晶圓廠,以搶佔中國市場。為此,三星對北京、重慶、無錫、蘇州、西安等城市進行考察。中國各地政府紛紛開出巨額優惠條件。2011年,韓國三星電子的半導體銷售額達到285.63億美元,僅在中國市場銷售額就高達95億美元。要知道中國全國的集成電路銷售額也僅有1572億元(241億美元)。因此,三星在談判中具有強勢地位,提出了眾多苛刻條件。最初作為熱門選手的北京、重慶兩個直轄市,最終都主動放棄了這個項目。最後是不被人看好的西安,在付出巨大代價後,拿下了這個項目。2011年底,陝西省×省*長*趙正*永親赴韓國,與三星洽談。2011年,西安市GDP為3864億元,僅排在全國第30名,還不如南通、大慶、泉州等三線城市。因此西安市急於拿下這個項目。2012年1月,韓國政府審批通過三星在華設廠項目。2012年4月2日,韓國三星電子宣布在中國西安,建設快閃記憶體晶元廠。項目一期投資將達70億美元,若三期投資順利完成,總投資約為300億美元。西安市為此項目提供了巨額補貼,包括:一、韓國三星需要的130萬平方米廠房,由西安市建設,並免費提供1500畝土地。二、西安市每年向三星補貼水、電、綠化、物流費用5億元。三、西安市財政對投資額進行30%的補貼。四、西安市對所得稅徵收,進行前十年全免,後十年半額徵收。同時,西安市還承諾,將為項目修建高速公路和地鐵等交通基礎設施。總的補貼金額保守估計在300億元以上。面對這種獅子大開口的苛刻索價,西安市竟然全盤接受。三星西安項目,選址在西安市安區五星和興隆街道,佔地9.4平方公里,15個村莊3000多戶農民被迫拆遷改造,引發群眾抗議。為了調解征地拆遷矛盾,西安市乾脆派了一批幹部吃住在農村,專門解決拆遷問題。西安市這種只要面子不要里子的招商方式,實際是用中國土地、中國資金、中國工人,來補貼服務外國企業,幫助它們佔領中國市場,壓制中國本土企業發展。這在其他國家是極其滑稽的行為。也無怪乎北京、重慶不要這種項目。改開三十年來,看看中國盡數破產倒閉的本土電子企業,再看看各省政府,花費巨額資金,補貼扶植的無錫海力士、西安三星、大連英特爾、南京台積電,不禁令人感嘆。你們發展電子產業,到底是為了誰?世界上有哪個國家的電子工業,是靠引進外資壯大的?
1958年9月,中國科學院半導體研究室,王守覺等人,研製成功我國第一批鍺合金擴散高頻晶體管,頻率達到150MHz。後在中科院109廠批量生產,為中科院計算所研製的109乙型晶體管計算機(浮點32二進位位、每秒6萬次),提供了12個品種、14.5萬多隻鍺晶體。後又為計算所研製的109丙型計算機,提供了大量晶體管元器件。109丙機字長48位,平均運算速度每秒11.5萬次。該機共生產兩台,為用戶運行了15年,在我國核武器研製工程中發揮了重要作用。
1965年,上海華東計算技術研究所,與上海冶金研究所、上海元件五廠等單位合作,開始研製655型數字集成電路大型計算機,由陳仁甫(照片右側)副研究員主持,重點攻克TTL集成電路。1969年在上海無線電十三廠投產,定名TQ-6型計算機,每秒運算100萬次,配備磁碟操作系統,語言編譯程序。
1971年,上海復旦大學自主研製的719計算機,由王世業、顧芝祥、陳志剛等人參與研製。1975年復旦大學研製FD-753計算機。經過反覆研究討論,結合那時美國IBM360/370、歐洲TSS、日本FACOM等計算機系統和我國DJS-260、北大150等計算機系統,最終確定753計算機系統的主要研製目標是:具有處理速度浮點運算200萬次以上的主機系統;實現分時計算機系統;多進程分層管理的微內核操作系統。
1979年上海元件五廠和上海無線電十四廠,聯合仿製(逆向工程)成功8080八位微處理器(編號5G8080)。8080為美國英特爾公司在1974年推出的第二款CPU處理器,集成6000隻晶體管,每秒運算29萬次。自1975年第一台個人電腦誕生以後,8080晶元幫助英特爾在幾年後佔據了電腦晶元的霸主地位。德國西門子仿製出8080晶元是在1980年10月(Siemens SAB 8080A-C),比中國還晚一年。日本也仿製過8080晶元。
1980年,日本代表團在上海訪問時,拍攝的上海半導體企業。可能是上海無線電十四廠或上海無線電十九廠。上海當年的電子工業擁有良好產業基礎。上海冶金研究所研製的離子注入機,還曾出口日本。而短短十年之後,上海電子工業全面破產倒閉。誰該承擔這一歷史罪責?
1989年4月30日,台灣省新竹科技園區,台積電早期的廠房。當台灣人砸重金介入超大規模集成電路產業的時候。中國曆時30年間積累起來的集成電路科研力量,在「改革開放」的所謂「春風」里土崩瓦解。大批科研人員任其自生自滅。
1992年1月18日至2月21日,偉大的(凳)總設計師,南巡視察武昌、深圳、珠海、上海等地,在上海參觀貝嶺微電子製造有限公司。(凳)大人說:社會主義的本質,是解放生產力,發展生產力,消滅剝削,消除兩極分化,最終達到共同富裕。關鍵是發展經濟,發展才是硬道理。然而現實是:到1997年他老人家走的時候,中國經濟瀕臨崩潰,全國幾十萬家國有企業破產倒閉,全國下崗失業工人超過4000萬人。連小小一個台灣省的GDP,都幾乎達到了整個中國的一半。下列研究所清單,回答了:為什麼中國以落後的民用電子產業,卻能夠研製殲-20戰鬥機、月球探測器、相控陣雷達、航空母艦等尖端軍工產品。中央停止投資——全國瘋狂引進落後淘汰技術1982年,國務圓組建電子工業部,由張挺任部長,主管全國電子工業。該部門繼承了毛時代組建的2500多家科研院所和電子工廠,下屬職工總數達100多萬人,主要研製通信、雷達、電視、計算機、無線電、元器件等設備。產業結構完備程度,僅有美國、蘇聯可以相比。光是電子工業部下轄的專業電子研究所就有上百家。然而在80年代初,由於中央政府全面停止對電子工業投資,各電子企業要自己去市場找資源。於是中國電子工業的技術升級全面停止,與美國、日本的技術差距迅速拉大。甚至被80年代加大電子投資的韓國、台灣徹底甩開。1982年,中國國務圓成立了「電子計算機和大型集成電路領導小組辦公室(簡稱大辦)」,由副中里萬里出任主任,管理包括半導體在內的電子工業。1984年該機構又更名為「國務圓電子振興領導小組」,由副中里李月月任組長。至1988年該機構取消,兩任國家當家人出面,最後結果怎麼樣?1984年至1990年,中國各地方政府、國有企業和大學,紛紛從國外引進淘汰的落後晶圓生產線,前後總計達到33條,按照每座300-600萬美元估算,總計花費1.5億美元左右。這33條晶圓生產線,多數根本沒有商業價值。造成這一亂象的根本原因,是電子工業部,將絕大多數國有電子企業的管理權,甩給給省市地方政府,又缺乏制定執行產業規劃的政策權力。出現了全國瘋狂引進落後技術的奇怪現象。還有一個原因是80年代開始,國有企業貪污腐敗加劇,借著進口項目的名義,領導幹部可以名正言順地獲得出國考察機會。
江蘇省無錫市,華晶電子,中國最早啟動的6英寸晶圓廠,花了八年時間才建成。建成就已經落後淘汰。九0八工程——蓋一座6寸晶圓工廠用時八年為了治理散亂差問題,1986年電子工業部在廈門,舉辦集成電路戰略研討會,提出「531戰略」。即「普及5微米技術、研發3微米技術,攻關1微米技術」,並落實南北兩個微電子基地。南方集中在江浙滬,北方集中在北京。1988年至1995年,在政策扶持下,中國誕生了五家具有規模的國有半導體企業:江蘇無錫華晶電子(原無錫742廠與永川半導體研究所合併)、浙江紹興華越微電子(1988年設立中國第一座4英寸晶圓廠)、上海貝嶺微電子、上海飛利浦半導體(1991年設中國第一座5英寸晶圓廠)、和北京首鋼NEC(1995年設中國第一座6英寸晶圓廠)。1990年8月,國務院決定在八五計劃(1990-1995),半導體技術達到1微米製程,決定啟動「九0八工程」,總投資20億元。其中15億元用在無錫華晶電子,建設月產能1.2萬片的6英寸晶圓廠,由建設銀行貸款。還有5億元投給9家集成電路企業設立設計中心。(1993年華晶開發出256K DRAM,比韓國晚7年)但實際結果是,由於官僚體系拖延,九0八工程光是經費審批就花了兩年時間。然後從美國AT&T(朗訊)引進0.9微米製程,又花了三年時間。前後拖延五年時間,建廠再花三年,導致1998年無錫華晶電子投產即落後(月產能僅6000片),華晶還要為此承擔沉重的利息支出壓力。為了解決華晶的困境,電子工業部借研討會的機會,請台灣茂矽電子老闆陳正宇,接手管理華晶的六寸晶圓廠。1998年2月,由台灣人陳正宇、張汝京和李乃義在香港註冊上華公司,來租賃無錫華晶的6寸廠,進行晶圓代工業務。1999年8月,雙方合資成立無錫華晶上華半導體公司,上華控股51%。新公司迅速扭虧為盈,成為中國大陸第一家「純晶圓代工」企業,月產量達到1萬片。2001年月產能達到2萬月。2003年上華籌備建設一座8英寸晶圓廠,為了節省投資希望購買二手設備。不過國際上二手8寸晶圓廠很少。直至2007年8月,無錫海力士的8英寸晶圓廠,因DRAM價格暴跌而停產。上華迅速出手,以3.8億美元買下了該廠設備,2009年投產。與無錫華晶形成鮮明對比的是,1990年新加坡政府投資特許半導體,只用2年建成,第三年投產,到1998年收回全部投資。而無錫華晶卻被甩給了台灣人經營。
1990年,中國進口一台美國IBM 286電腦(IBMPS1),價格是3.5萬元人民幣。當時中國普通工人的月工資只有300元左右。由於電子產品的暴利,引發廣東、浙江等沿海省份,大規模走私進口電子器件,徹底衝垮中國電子工業。中國電子產業落後——三十年來以市場換技術在1996年,國際主流生產線是8英寸晶圓廠,而中國最先進的是首鋼NEC的6英寸晶圓廠,比國外落後八年。造成這一現象,有多方面原因。一是投資薄弱,1980-1996年間,中國在半導體產業,累計投資僅有3億多美元,其中多數胡亂花掉,沒有形成技術能力。國有企業缺乏投資,根本不可能追趕國外先進技術。作為對比,日本光是1996年對半導體的投資就接近40億美元。二是電子工業部作為行業主管部門,卻沒有制定執行產業政策的權力,要通過國家計委來審批項目。九0八工程就是如此。而官僚體系在決策時,盲目追求技術先進,根本不考慮市場因素。以華晶電子為例,決策者拒絕在華晶內部設立IC產品設計研究所,這就一下子丟掉了大批缺乏設計能力的客戶。後來電子工業部部長鬍啟立,在接受採訪時認為:那是因為決策者不了解半導體市場運作規律。三是政治因素,自1949年新中國成立起,中國就被西方國家主導的「巴黎統籌委員會(簡稱巴統)」,進行嚴格的技術封鎖。1994年巴統由於蘇聯解體而宣告解散,但是西方對於中國的技術封鎖並未停止。1995年9月,包括原巴統17個成員國在內的28個國家,在荷蘭瓦森納召開會議,決定以控制武器技術擴散的名義,建立技術出口控制機制。1996年7月,西方33個國家正式簽訂《瓦森納協定》,民用技術控制清單包括:電子器件、計算機、感測器等九大類。軍用技術控制清單包括22大類。中國同樣處於被禁運國家之列。在電子領域,韓國、台灣可以輕輕鬆鬆從歐美進口先進電子設備,而中國大陸只能購買落後5年以上的淘汰技術。而韓國、台灣依靠電子產業優勢,同樣對中國大陸進行技術封鎖。如台灣官方禁止台積電等企業,到中國大陸投資建設先進位程晶圓廠,禁止台灣液晶面板企業到大陸設廠。即使設廠也只能投資落後台灣一代的生產線。台灣廠商通過合同約束,嚴厲禁止台灣技術人員,跳槽到中國大陸相關企業工作。在各方面嚴防死守下,中國企業要想獲得先進技術,就變得非常困難。而外國企業則憑藉掌握的先進技術,在中國市場予取予求,佔盡便宜。所謂的「以市場換技術」,成為改開三十年來,中國最大的笑話——中國為此付出了,至少損失1萬億美元的巨額產業代價。1990年,中國大幅降低關稅、取消計算機產品進出口批文、開放了國內電腦市場。頃刻間,國外的286、386電腦如潮水般湧入,長城、浪潮、聯想等國內公司潰不成軍。1991年由美國英特爾和AMD,掀起的「黑色降價風暴」,更是讓中國計算機產業雪上加霜。由於絕大多數整機企業,積壓了高價買進的晶元,從而背上巨額虧損的包袱,一家家電腦整機廠商,前赴後繼般悲壯地倒在了血雨腥風之中。長城、浪潮和聯想也都元氣大傷。在微電子集成電路方面,國內企業繼80年代中後期陸續虧損後,90年代紛紛倒閉,國內集成電路工業,逐步變為三資企業為主的局面。據專家估計,到1990年代末,中國微電子科技水平,與國外的差距至少是10年。八英寸晶圓廠——摩托羅拉在天津拖了六年1995年12月,為落實「九五計劃」中,半導體生產工藝達到0.5微米的目標,國務院與上海市政府批准了「九0九工程」。包括建設晶圓廠和建立設計公司兩大任務。其中上海市政府出資40億元(5億美元),成立華虹微電子。日本NEC出資2億美元,雙方成立華虹NEC,合計投資12億美元,在浦東建設8英寸晶圓廠。由NEC提供0.35微米技術,生產當時主流的64M DRAM內存晶元。由於決策執行迅速,華虹NEC在1999年9月投產,次年實現盈利。2000年起,中國政府更換第二代IC式身份證和社保卡,華虹NEC成為主要製造商,拿到大量訂單。1996年,美國摩托羅拉提出,準備在天津投資122億元人民幣,建設一座當時中國最先進的8英寸晶圓廠(MOS-17)。憑藉這個條件,摩托羅拉成為2001年前,唯一獲得中國政府特許,獨資設立手機廠的企業,而且是唯一拿到GSM和CDMA,兩張手機生產許可證,及內銷許可證的外國企業。摩托羅拉因此在中國大賺特賺,佔領了超過半數手機市場,光是1999年銷售額就達到260億元。但是直到2000年,天津的8寸廠才開始動工,2002年才正式量產(2004年被中芯國際收購)。此時國際上已經紛紛開始建設12英寸晶圓廠。1998年,電子工業部和郵電部合併,組建信息產業部,邀請海外華人專家,參與討論制定產業指導政策。台灣世大半導體老闆張汝京赴大陸考察。電子工業部曾考慮聘請張汝京出任總經理,結果未如願。到1999年底,世大半導體被台積電併購後,張汝京便決定投資大陸。2000年6月,在上海市政府支持下,張汝京創辦中芯國際,一期投資14.76億美元,其中上海國有銀行提供了12億美元貸款。2001年9月,中芯國際在上海張江,建成第一座8英寸晶圓廠,採用0.25微米工藝(設計月產能5萬片)。十二寸晶圓廠——中芯國際專做接盤俠2000年,北京市政府,計劃由首鋼集團出面,與美國AOS(萬代半導體),合資組建華夏半導體,投入13.35億美元,建設8英寸晶圓廠。其中北京市願意提供6.2億美元貸款。然而隨著2001年全球半導體市場跌入低谷,該項目流產。此後,中芯國際提出在北京建設中國第一座12英寸晶圓廠(Fab4),獲得北京市政府大力支持,2004年建成(計劃月產能4.5萬片),採用100納米工藝,為英飛凌、爾必達代工生產DRAM。該廠總投資12.5億美元,北京市最初承諾提供6億美元貸款,不過直到2005年6月,才將貸款撥給中芯國際,導致Fab4直至2006年才大規模量產。2003年,江蘇無錫市政府,獲悉韓國海力士在中國各地挑選投資地點,便成立了812項目,全力爭取海力士投資。無錫開出了比上海和蘇州,更大的資金優惠條件。最終韓國海力士與意法半導體(ST)合資,在無錫投資20億美元,建設一座8寸晶圓廠,和一座12寸晶圓廠。其中無錫市政府總計為該項目,提供了10億美元貸款。在土地方面,由無錫市政府出資3億美元,建設兩座佔地54萬平方米,和面積32萬平方米的晶圓廠房,租賃給韓國海力士及意法半導體使用。2006年,湖北省與武漢市政府投資100億元,組建武漢新芯,建設12英寸晶圓廠。該項目是湖北省歷史上,單項投資金額最大的項目,設計月產能6-7萬片。由於湖北省缺乏相關人才和技術,從項目之初,武漢新芯和中芯國際就簽訂了託管協議,由中芯國際提供技術支援。2008年武漢新芯投產後,由於產能開工不足,長年處於虧損狀態。2010年,美國鎂光和台灣台積電,都對武漢新芯虎視眈眈,希望併購。由於中央政府擔心國際寡頭,危及中國半導體產業安全,因此支持中芯國際入主武漢新芯。2010年10月,雙方簽訂合作協議。但是到2013年,兩企業開始分道揚鑣。2014年2月,武漢新芯和美國飛索(Spansion),簽定技術合作協議,由飛索提供技術,在武漢新芯共同研發新型的3D NAND Flash。美國飛索是1993年日本富士通和美國AMD,共同出資設立的NOR Flash研製公司。2009年飛索因業績連續滑坡倒產,被賽普拉斯(Cypress)收購成為其全資子公司。雖然,飛索從來就沒有生產過NAND晶元,但是,包括三星在內,現在所有的3D NAND Flash技術,其基本原理是飛索最早開發的MirrorBit技術。不過在量產技術方面,飛索遠遠落後於韓國三星。
陝西西安,韓國三星電子西安廠區,由西安市政府免費提供土地,並花費數十億元建設廠房,再租賃給韓國三星。西安市在十年內,收不到一分錢稅費。韓國三星落戶西安——西安市政府提供300億元巨額補貼2011年,韓國三星與日本東芝在NAND快閃記憶體領域展開爭奪。當時三星在韓國華城(Fab12、Fab16)、器興(Fab14)以及美國得州奧斯汀,共有4座NAND快閃記憶體12英寸晶圓廠,年產能450萬片晶圓。為了拉開與東芝的差距,三星決定在中國選址建立NAND快閃記憶體晶圓廠,以搶佔中國市場。為此,三星對北京、重慶、無錫、蘇州、西安等城市進行考察。中國各地政府紛紛開出巨額優惠條件。2011年,韓國三星電子的半導體銷售額達到285.63億美元,僅在中國市場銷售額就高達95億美元。要知道中國全國的集成電路銷售額也僅有1572億元(241億美元)。因此,三星在談判中具有強勢地位,提出了眾多苛刻條件。最初作為熱門選手的北京、重慶兩個直轄市,最終都主動放棄了這個項目。最後是不被人看好的西安,在付出巨大代價後,拿下了這個項目。2011年底,陝西省×省*長*趙正*永親赴韓國,與三星洽談。2011年,西安市GDP為3864億元,僅排在全國第30名,還不如南通、大慶、泉州等三線城市。因此西安市急於拿下這個項目。2012年1月,韓國政府審批通過三星在華設廠項目。2012年4月2日,韓國三星電子宣布在中國西安,建設快閃記憶體晶元廠。項目一期投資將達70億美元,若三期投資順利完成,總投資約為300億美元。西安市為此項目提供了巨額補貼,包括:一、韓國三星需要的130萬平方米廠房,由西安市建設,並免費提供1500畝土地。二、西安市每年向三星補貼水、電、綠化、物流費用5億元。三、西安市財政對投資額進行30%的補貼。四、西安市對所得稅徵收,進行前十年全免,後十年半額徵收。同時,西安市還承諾,將為項目修建高速公路和地鐵等交通基礎設施。總的補貼金額保守估計在300億元以上。面對這種獅子大開口的苛刻索價,西安市竟然全盤接受。三星西安項目,選址在西安市安區五星和興隆街道,佔地9.4平方公里,15個村莊3000多戶農民被迫拆遷改造,引發群眾抗議。為了調解征地拆遷矛盾,西安市乾脆派了一批幹部吃住在農村,專門解決拆遷問題。西安市這種只要面子不要里子的招商方式,實際是用中國土地、中國資金、中國工人,來補貼服務外國企業,幫助它們佔領中國市場,壓制中國本土企業發展。這在其他國家是極其滑稽的行為。也無怪乎北京、重慶不要這種項目。改開三十年來,看看中國盡數破產倒閉的本土電子企業,再看看各省政府,花費巨額資金,補貼扶植的無錫海力士、西安三星、大連英特爾、南京台積電,不禁令人感嘆。你們發展電子產業,到底是為了誰?世界上有哪個國家的電子工業,是靠引進外資壯大的?
1958年9月,中國科學院半導體研究室,王守覺等人,研製成功我國第一批鍺合金擴散高頻晶體管,頻率達到150MHz。後在中科院109廠批量生產,為中科院計算所研製的109乙型晶體管計算機(浮點32二進位位、每秒6萬次),提供了12個品種、14.5萬多隻鍺晶體。後又為計算所研製的109丙型計算機,提供了大量晶體管元器件。109丙機字長48位,平均運算速度每秒11.5萬次。該機共生產兩台,為用戶運行了15年,在我國核武器研製工程中發揮了重要作用。
1965年,上海華東計算技術研究所,與上海冶金研究所、上海元件五廠等單位合作,開始研製655型數字集成電路大型計算機,由陳仁甫(照片右側)副研究員主持,重點攻克TTL集成電路。1969年在上海無線電十三廠投產,定名TQ-6型計算機,每秒運算100萬次,配備磁碟操作系統,語言編譯程序。
1971年,上海復旦大學自主研製的719計算機,由王世業、顧芝祥、陳志剛等人參與研製。1975年復旦大學研製FD-753計算機。經過反覆研究討論,結合那時美國IBM360/370、歐洲TSS、日本FACOM等計算機系統和我國DJS-260、北大150等計算機系統,最終確定753計算機系統的主要研製目標是:具有處理速度浮點運算200萬次以上的主機系統;實現分時計算機系統;多進程分層管理的微內核操作系統。
1979年上海元件五廠和上海無線電十四廠,聯合仿製(逆向工程)成功8080八位微處理器(編號5G8080)。8080為美國英特爾公司在1974年推出的第二款CPU處理器,集成6000隻晶體管,每秒運算29萬次。自1975年第一台個人電腦誕生以後,8080晶元幫助英特爾在幾年後佔據了電腦晶元的霸主地位。德國西門子仿製出8080晶元是在1980年10月(Siemens SAB 8080A-C),比中國還晚一年。日本也仿製過8080晶元。
1980年,日本代表團在上海訪問時,拍攝的上海半導體企業。可能是上海無線電十四廠或上海無線電十九廠。上海當年的電子工業擁有良好產業基礎。上海冶金研究所研製的離子注入機,還曾出口日本。而短短十年之後,上海電子工業全面破產倒閉。誰該承擔這一歷史罪責?
1989年4月30日,台灣省新竹科技園區,台積電早期的廠房。當台灣人砸重金介入超大規模集成電路產業的時候。中國曆時30年間積累起來的集成電路科研力量,在「改革開放」的所謂「春風」里土崩瓦解。大批科研人員任其自生自滅。
1992年1月18日至2月21日,偉大的(凳)總設計師,南巡視察武昌、深圳、珠海、上海等地,在上海參觀貝嶺微電子製造有限公司。(凳)大人說:社會主義的本質,是解放生產力,發展生產力,消滅剝削,消除兩極分化,最終達到共同富裕。關鍵是發展經濟,發展才是硬道理。然而現實是:到1997年他老人家走的時候,中國經濟瀕臨崩潰,全國幾十萬家國有企業破產倒閉,全國下崗失業工人超過4000萬人。連小小一個台灣省的GDP,都幾乎達到了整個中國的一半。下列研究所清單,回答了:為什麼中國以落後的民用電子產業,卻能夠研製殲-20戰鬥機、月球探測器、相控陣雷達、航空母艦等尖端軍工產品。
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