紫光2018：點亮中國存儲之光

集微網 文/張軼群

2018年，對於紫光以及中國存儲產業而言，是一個關鍵時點。

作為「扛旗者」，經歷兩年的運作布局，紫光在存儲領域的IDM雛形初現，為其「從芯到雲」戰略提供有效支撐。而中國首顆自研32層3D NAND快閃記憶體晶元的問世及量產能力的突破，也為中國存儲產業發展點亮希望之光。

布局：順勢而為打造垂直產業鏈條

5年前，紫光通過大舉併購的方式切入集成電路領域，掀起不小波瀾。

在兩年的時間裡，紫光相繼將展訊、銳迪科、新華三等行業龍頭收入囊中。在實現了對移動通信、物聯網、大數據云計算等業務板塊的整合後，紫光開始向最為重要的存儲領域進軍。

發展存儲，一方面是推動紫光自身業務板塊有效整合的要求，是紫光「從芯到雲」戰略中的重要一環，另一方面也迎合了國家對大力發展集成電路產業，特別是重點發展存儲產業的戰略需要。

對於產業發展而言，併購是一條捷徑。通過資本運作，與世界領先企業處於同一起跑線，再組織力量衝鋒，是獲得成功的一種方式。聯想收購IBM、TCL併購湯姆遜，中國不乏這樣的成功案例。

然而紫光在存儲領域的布局，遠沒有像收購展訊、銳迪科、新華三那樣輕鬆。這個領域長期被三星、海力士、美光等韓美企業把持，在寡頭壟斷的行業格局下，對技術、人才的封鎖，商業政策的限制，特別是對於中國大陸企業崛起的忌憚，成為中國發展存儲產業道路上的重重關卡。

2015年下半年，紫光向美光要約、入股西部數據，入股南茂、矽品、力成三大台灣封測企業，一次次衝鋒，卻一次次折戟在商業禁令之前。

儘管2015年的境外併購入股策略並沒有取得理想效果，但紫光在這一過程中收穫了經驗，掌握了資本運作規律。更重要的是，紫光亮出了旗幟，傳遞出在存儲領域「打大仗」的決心。如同收購展訊銳迪科後英特爾登門拜訪尋求合作，紫光希望在存儲領域發出的聲音能夠獲得潛在盟友們的關注與支持。

「豎起招軍旗，自有吃糧人。」紫光集團董事長趙偉國如是說。

如果說2015年紫光在存儲領域「作勢」，那麼在2016年之後，紫光則是「做實」，通過策略調整，以成立合資公司或入股境外企業在大陸的子公司等方式同境外企業展開合作，同時大力加強自主創新研發，積累技術實力。

2016年9月，紫光同西部數據成立合資公司，布局大數據存儲；11月，紫光控股封測龍頭台灣南茂在上海的孫公司上海宏茂微電子公司，進入封測領域，存儲布局取得實質進展。

同時，紫光從南亞科重磅挖角台灣「DRAM教父」高啟全，相繼在武漢、南京、成都投入巨資規劃大規模存儲與晶元製造工廠，主攻主流快閃記憶體工藝3D NAND的研發，開始在存儲產業最為重要的製造端發力。

DRAM教父高啟全

2017年底，紫光入股台灣光寶蘇州子公司蘇州光建，實現SSD產品銷售、市場端的布局。

至此，通過兩年不懈努力，紫光終於在存儲產業圍繞3D NAND，打造出包括研發設計、生產製造、封裝測試和產品銷售在內較為完整的產業鏈條。

儘管以目前紫光在存儲產業鏈的控制能力，還無法實現同三星、美光的完全對標，但在產業鏈的關鍵的環節紫光沒有失位。紫光計劃用十年的時間衝進全球存儲領域的前五，未來任重道遠。

「紫光既是產業集團，也是投資集團。有些產業我們自己控制，有些產業通過投資來分享成果，我們不會像三星打造那麼緊密的整合。」趙偉國說。

業內人士分析指出，對於產業鏈的控制或投資，紫光的邏輯是合理充分利用現有資源，發揮自身優勢的最大化，圍繞國家戰略的主軸，從而更好地支持中國存儲產業的發展。

據集微網記者了解，目前紫光的武漢存儲晶元工廠（長江存儲）建設順利，3D NAND研發取得突破進展；總投資460億美元的南京、成都存儲晶元工廠即將開工建設；上海宏茂的存儲晶元封測項目已在進行中；蘇州SSD工廠已開工建設。

突破：自主創新樹立中國存儲里程碑

作為半導體行業三大支柱的存儲器產業，競爭的重點集中在製造工藝和產能，從而為有效降低成本，最終贏得市場提供保證，生產製造能力是存儲器廠商的核心競爭力。

此前，中國因為沒有真正意義上的存儲晶元生產能力，無論從市場還是信息安全的角度均受制於人。

位於武漢的長江存儲正在實現這一領域的突破。作為國家存儲器基地項目實施主體公司，長江存儲由紫光集團、大基金、湖北和武漢地方國資共同組建。

長江存儲總投資超過260億美元，是紫光集團目前為止最大的投資項目之一，也是紫光存儲布局的重要拼圖，長江存儲全部建成達產後月產能30萬片，年產值超過100億美元。

「圍繞長江存儲的系列存儲工廠布局將是未來幾年紫光最龐大的藍圖。」趙偉國告訴記者。

從紫光自身業務角度考慮，未來長江存儲的產品可以與新華三、展訊、銳迪科等產業板塊形成良好的協同效應。在更高的層面，以長江存儲為代表的中國存儲企業，更肩負著打造我國自主可控的世界級存儲器產業基地，解決產業發展和產業安全的重任。

長江存儲主要聚焦3D NAND快閃記憶體產品的研發和製造。目前由長江存儲自主研發的14nm製程，32層64G 3D NAND快閃記憶體晶元是中國距離世界水平最近的一顆存儲晶元，也是國產存儲晶元的里程碑之作，將於2018年第3季度實現量產。

據趙偉國介紹，該晶元成功研發的背後，是花費10億美金，千人團隊兩年辛苦打造的結果。3D NAND快閃記憶體晶元從無到有，不僅填補了國內空白，打破韓美企業行業壟斷，更將提升中國晶元產業的整體水平，進而改寫全球晶元產業格局。

據集微網記者了解，在64層3D NAND快閃記憶體工藝技術方面，長江存儲正在進行研發設計，預計2019年第2季度實現量產。

除武漢外，紫光在南京、成都投資建設半導體存儲基地，兩地總投資額為超過460億美元，形成了存儲製造領域的三大基地。

趙偉國告訴集微網記者，存儲器最能代表集成電路產業規模經濟效益，三大存儲製造基地的建設正是為了追求規模效應，未來三大基地將在研發生產、市場銷售上協調一致行動。

劍指2018：機遇挑戰並存

2018年，對於紫光以及中國存儲產業而言，是至關重要之年。目前，中國存儲器產業已形成長江存儲（3D NAND）福建晉華（利基型DRAM）、合肥長鑫（移動式DRAM）三大陣營。在今年下半年，三大廠商的晶元產品都將集中實現量產。

「3D NAND的研發和三大製造基地的建設，將是2018年紫光存儲的重點工作。2018年顯然是中國存儲晶元產業的轉折之年，我們將向市場提供國產的3D NAND快閃記憶體晶元產品，這是零的突破。」趙偉國說。

業內人士指出，未來的3-5年，中國集成電路產業發展將迎來窗口期，中國存儲能否成功，這一時段極為重要。特別是強化IP的布局，中國政府以及廠商未來必須憑藉內需市場、優秀的開發能力，以及具國際水平的產能，取得與國際廠商最有利的談判籌碼，才有機會立足全球並佔有一席之地。

「具備量產能力後，還要做到製造端技術達標，良率保證。能夠獲得中下游廠商的認可、保證訂單份額，是今年量產後擺在中國存儲廠商面前的現實問題。」上述業內人士說。

同時，在存儲領域長期被美韓企業壟斷的局面下，中國存儲軍團在2018年的集中崛起無疑會受到更多「關注」，初期不可避免會陷入專利戰的困擾。去年底，美光已經開始策略性地針對福建晉華的DRAM技術發起訴訟。

此外，在存儲市場，經歷了1年多的價格飛漲後，2018年將會迎來供需平衡的階段，但競爭對手還在不斷加碼，提升相關產能。英特爾擴建大連廠二期，目標在2018年增加一倍3D NAND快閃記憶體產能，三星西安二期工廠也將擴建，海力士則在無錫啟動第二工廠建設。

這可能帶來的一個結果是，巨頭將會採用價格戰等惡意手段對中國企業進行打壓。而國內大連、西安、無錫等外資工廠也會分流極度稀缺的高端技術人才，人才招募也將是中國存儲企業面臨的挑戰。

回顧這兩年在存儲領域的開拓，趙偉國坦言，選擇3D NAND作為中國存儲晶元產業突破方向正確。「技術雖然很難，但並沒有難到不可逾越的地步，主要是投資門檻比較高。」趙偉國說。

按照計劃，紫光未來十年至少將投資1000億美元，面對如此龐大的投資，紫光要承受巨大的資金壓力。在資金來源方面，除獲得國家大基金、國家開發銀行、中國進出口銀行等金融機構支持外，紫光也在多方位籌措資金，包括設立各種基金，與地方政府聯合投資，在資本層面展開合作。

據趙偉國透露，為了實現紫光10年在存儲晶元產業投資1000億美元的戰略目標，確保中國存儲晶元戰略的有效實施，紫光希望借鑒國家組建大飛機公司和發動機公司的模式，籌劃發起設立中國集成電路股份有限公司（工商暫定名：國芯集成電路股份有限公司，註冊資本1000億元；簡稱國芯股份），其中紫光集團出資200億元人民幣，社會籌集入股資金800億元人民幣，目前正在募集股東階段，如果進展順利，計劃將於2018年6月完成組建。

校對/范蓉

圖源/網路