基於斜率控制的開關損耗和電磁兼容分析

基於斜率控制的開關損耗和電磁兼容分析

作者:劉賡,徐博

電機在汽車領域逐漸普及,為乘客帶來各種智能應用和便利;為了調速,電機控制大多採用PWM調製,頻率可以達到20KHz或者更高,如何減少晶元的功耗和電磁干擾成為工程師面臨的新挑戰。

英飛凌的汽車級嵌入式功率晶元(Embedded Power IC)專為電機控制而設計,內部集成了預驅動模塊,只需要外部搭配合適的MOSFET就可以用來控制直流或者交流電機,同時它還帶有斜率控制功能,可以通過編程實時調整MOSFET的開關斜率,在功耗和電磁干擾之間取得平衡。

  • 晶元介紹及驅動模塊

嵌入式功率晶元的新一代器件已經推出兩種系列:TLE986X系列控制直流有刷電機,TLE987X系列控制三相直流無刷電機,兩者的不同在於驅動MOSFET的數量。

圖1:TLE986X系列&TLE987X系列電機控制系統框圖

以TLE987X系列為例,集成晶元的詳細系統框圖如下:

圖2:TLE987X系列晶元詳細系統框圖

這些模塊包括:

1)ARM? CORTEX? M3內核的32位微控制器

2)豐富的定時器資源,可以進行輸入捕捉或者輸出比較

3)10位ADC(Analog to Digital Converter)模塊,包括對外部模擬電壓信號的採集和對內部電壓信號的監控

4) 兩個高速同步串列介面SSC(Synchronous Serial Interface)和兩個全雙工非同步收發模塊UART(Universal Asynchronous Receiver/Transmitter)

5) 專門用於三相電機控制的CCU6模塊,可以輸出六路同步調製的脈寬調製信號

6) 兩相電機或者三相預驅動,最高可以在25kHz頻率下驅動100nC門級電容的MOSFET,可以設置上升下降斜率時間,提高電磁兼容能力,集成一個反極性電壓保護N-MOSFET驅動介面

7) LIN匯流排收發器,支持最新LIN2.2協議並向下兼容

8) 電流採樣差分放大器,連接到低端採樣電阻的兩端,將電機電流信號轉換成電壓信號,可選的0~100增益放大,可以檢測偏移地電壓

9)給內部供電的線性電源模塊和一個給外部感測器5V供電的線性電源模塊

10)內部振蕩器,可以節省外部晶振的成本

11)兩個獨立的可編程看門狗

12)帶中斷觸發功能的保護策略,包括過流保護,過溫保護,過壓欠壓監測和開路監測

圖3:TLE987X系列預驅動模塊框圖

集成的預驅動模塊具備以下特點:

1)帶升壓泵模塊,供電電壓最低到5.4V仍然保證驅動MOSFET電壓正常

2)在25KHz PWM頻率下驅動100 nC門級電容的MOSFET毫無壓力

3)0到100%的占空比調製

4) 短路保護,上下橋臂導通保護,低壓過壓保護,過溫保護

5)保護功能可以編程設置閥值和觸發中斷

6)開路或者斷路診斷,驅動延遲時間檢測

7) 斜率控制功能

  • 斜率控制和開關損耗

MOSFET 開通時,預驅動輸出驅動電流I(G),首先給電容C(GS)充電,門級電壓超過閥值電壓V(gs-th)時MOSFET導通,驅動負載的電流I(D)開始增大;電容C(GS)充滿後電門級電壓到達米勒平台,再給電容C(GD)充電,這時會有一定時間的穩壓,直到電容C(GD)充滿電,保證門級電壓遠高於閥值電壓,即保證MOSFET安全導通。整個充電過程需要的電荷為Q(g)。

圖4:MOSFET開通時門級電容充電原理圖

圖5:MOSFET開通時門級電壓曲線

斜率控制功能集成在預驅動模塊,直接控制驅動電流,間接的把MOSFET的門級電壓上升或者下降曲線分為四段分別控制;每一段曲線可以通過寄存器設置驅動MOSFET電流的大小(32個等級)和時間(8個等級,50ns到400ns),靈活性非常高,如下圖所示:

圖6:斜率控制功能示意

開通MOSFET時,隨著通過MOSFET的電流I(ds)逐漸增加,加在MOSFET兩側的V(ds)電壓相應的逐漸下降,這個過程中產生的功耗就是開通損耗,關閉時原理相同。

圖7:開通時的電壓,電流和損耗曲線

從計算公式可以看出,負載的電壓和電流越大,開關損耗就越大;如果負載的電壓和電流相同,開關的時間越長,損耗也越大。

所以通過斜率控制功能減少開關的時間,可以降低開關損耗,從而降低MOSFET的溫度;但是太快的開關速度也有負面作用,就是帶來更多的電磁干擾。

  • 斜率控制對電磁干擾的影響

利用電路模擬軟體,如下圖所示,綠色曲線是700ns開關速度的門級電壓波形,紅色曲線是10ns開關速度的電壓波形。開關速度太快會導致MOSFET的門級電壓出現過沖和震蕩,一方面過沖的電壓會對電路造成損壞,另一方面,太快的斜率和電壓震蕩都會產生更多的電磁干擾。

圖8:不同開關速度對門級電壓的影響模擬

下圖的綠色曲線是700ns開關速度的頻譜分析,紅色曲線是10ns開關速度的頻譜分析,10ns的開關速度會產生更多的電磁干擾。

圖9:不同開關速度的頻譜模擬分析

用TLE987X實現斜率控制並用示波器實測輸出電壓波形,再對電壓波形進行快速傅立葉變換看頻譜更能說明問題。

如下圖10和11所示,藍色曲線是高邊驅動MOSFET門級電壓波形,黃色曲線是高邊輸出電壓波形,紅色曲線是對輸出端波形的快速傅立葉變換頻譜圖。對比2.183us和130ns的開關時間,更慢的開關時間可以在25MHz的頻譜內明顯減少電磁干擾。

圖10:130ns開關速度的輸出電壓頻譜分析

圖11:2.183us開關速度的輸出電壓頻譜分析

  • 結論

更快的開關時間帶來更強的電磁干擾,更慢的開關時間增加開關損耗,傳統的預驅動如果在溫度測試和電磁干擾實驗發現問題,需要重新進行電路設計,增加研發費用,延長設計和測試時間甚至延誤項目進展;TLE987X晶元的開關斜率控制只需要更改寄存器設置,幫助工程師在最短的時間和最低的花費基礎上靈活調整開關時間,取得開關損耗和電磁干擾的平衡點。

同時我們也建議工程師在損耗和溫度測試的時候測試不同開關時間,留出足夠的時間餘量,這樣在接下來的電磁干擾實驗中可以有更多的選擇,開關速度保證電磁干擾不超標的同時保證溫度不超標,不至於遇到問題後需要重新進行損耗和溫度測試。

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