國家存儲器基地項目一期一號生產及動力廠房封頂

國家存儲器基地項目（一期）一號生產及動力廠房提前封頂2017.09.28 17:32來源：人民網人民網武漢9月28日電 （記者 田豆豆）9月28日上午10時，由紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北省集成電路產業投資基金、湖北科投共同投資建設的國家存儲器基地項目（一期）一號生產及動力廠房，實現提前封頂。這標誌著開工9個月的國家存儲器基地項目建設向前邁出了堅實一步。存儲器基地項目是中國集成電路存儲晶元產業規模化發展「零」的突破。國家存儲器基地項目位於武漢東湖高新區的武漢未來科技城，項目一期規劃投資240億美元，佔地面積1968畝，於2016年12月30日正式開工建設，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash 生產廠房，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。此次提前封頂的項目（一期）一號生產及動力廠房建築面積達52.4萬㎡，預計將於2018年投入使用。項目（一期）達產後，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。目前，東湖高新區已為國家存儲器基地項目規劃建設1100畝配套產業園區和1500畝國際社區用地，正在加快引進產業鏈頂級配套企業和國際化人才；並加快建設武漢國際微電子學院，組建長江晶元研究院、國家先進存儲產業創新中心、存儲晶元聯盟、國家IP交易中心，努力打造世界級的集成電路產業創新中心。
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