浙大研製新型存儲器：面積僅幾十分之一

來自專欄 IT新品全資訊

今天，浙江大學公眾號發布消息稱，浙大團隊研製新型存儲器，面積只有目前電路器件的幾十分之一。

文中表示，浙江大學信息與電子工程學院和硅材料國家重點實驗室，研發出了一種低成本、低功耗的新型存儲器。課題組利用鍺獨特的表面性質，在鍺表面生長憶阻器材料，形成一種新的器件，研究人員稱之為「記憶二極體」。

官方稱，這項基於可工業化生產的半導體集成電路製造工藝的工作，或將大幅提高數據交換速度，為降低網路晶元製造成本提供解決方案。

同時，這種新型存儲器可為數據「打上」標籤，為未來物聯網社會增添更多想像。

項目負責人趙毅說：「我們團隊研發的這個新器件，將原來需要一個電路才能做到的工藝，用一個器件就能實現其功能。使用面積縮小几十分之一。」

具體研究結果將在6月份的國際超大規模集成電路峰會（2018 Symposia on VLSI Technology and Circuits）上發表，我們拭目以待。

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