破1000億美元！2018年全球半導體資本支出創紀錄

來自專欄 半導體投資聯盟

集微網消息（編譯/Aki），IC Insights最新發布的報告將2018年全球半導體資本支出從8%上調到14%。

IC Insights最新公布了2018年5月的半導體市場報告。這份報告包含了全球前25位的半導體供應商、2018年第一季度IC市場分析，以及對於2018年的半導體資本支出預測。

總體而言，此次IC Insights公布的半導體資本支出情況比3月份發布的版本預測更加樂觀。

在3月發布的報告中，IC Insights預測今年全球半導體支出將增長8%。但是，正如圖中所示，IC Insights將2018年的資本支出提高了六個百分點，為14%。

如果此次IC Insights的預測成真，那麼2018年全球半導體資本支出會比2016年增長53%，並首次衝破1000億美元大關。

其中，儘管三星表示目前為止還沒有全年的資本支出預測，同時三星也表示，2018年的半導體資本支出將會少於2017年的242億美元。

但是，截至2018年第一季度，三星半導體部門的支出已經達到了67億2000萬美元，比其前三季度的平均水平略高，也幾乎是2016年第一季度資本支出的四倍。

在過去四個季度，三星的資本支出達到了266億美元，這真的很難讓人相信其2018年的資本支出不會超過242億美元。

IC Insights預計三星今年的半導體資本支出將會達到200億美元，比去年的242億美元要少。但是，考慮到今年半導體支出的強勁增長，超過這一數字的可能性非常大。

此外，隨著DRAM和NAND快閃記憶體市場發展迅猛，SK 海力士預計今年的資本支出為115億美元，比2017年的81億美元，增長了42%。SK 海力士的主要支出，主要用於韓國清州的兩個內存工廠，以及位於中國無錫的DRAM工廠的擴產計劃。

據了解，SK 海力士的韓國清州工廠將會在今年年底開始興建，無錫工廠也會比預計的2019年年初提前幾個月開始興建。

推薦閱讀：