開戰之年！中芯紹興廠另闢摩爾定律以外的蹊徑，預計2020年投產

來自專欄 DeepTech深科技

今年以來，長江三角洲附近的集成電路項目密集落戶，被稱為「開戰之年」，正當眾人關注焦點都在高端技術14納米工藝時，中芯國際對於特色工藝的布局絲毫沒有鬆懈，日前宣布特色工藝8寸廠正式落戶紹興，18 日舉行奠基儀式，由 CO-CEO 趙海軍親自主持，中芯首席財務官高永崗博士、戰略發展中心資深副總裁葛紅、紹興市委書記馬衛光、市委副書記、市長盛閱春出席。

在國家集成電路產業基金（大基金）帶動下，國內形成多個半導體產業發展聚落，其中產值最高且最受注目的聚落，莫過於以上海、江蘇、浙江為首的長江三角洲地區，這是中國IC製造和封測技術的集中之地，今日，屬於長三角重要布局的一環，中芯紹興8寸廠奠基儀式宣布正式啟動。

中芯這座紹興 8 寸廠項目計劃於 2019 年 3 月完成廠房結構封頂，9 月設備搬入，2020 年 1 月正式投產。

圖丨 趙海軍

趙海軍表示，中芯紹興項目從 3 月 1 日簽署合資協議至舉行奠基儀式只有短短 79 天，這充分體現紹興市政府在發展集成電路產業上的決心和務實高效的作風，中芯國際對這個項目充滿信心，將儘力擴大市場份額、不斷完善產品鏈，快速佔據國內市場領導地位，使中芯紹興與中芯國際實現產業鏈上的差異化互補和協同發展，打造一個國內領先、世界一流的特色工藝半導體企業，為實現中國智造做出貢獻。

不單是中芯國際，對於國內多家半導體公司而言，都不約而同開始重視特色工藝領域，這與近幾年來物聯網、智能汽車應用的興起，對於特色工藝需求增溫，有著緊密關係，這些市場應用不依賴高端的 14/10/7 納米技術，但非常需要純熟的成熟工藝來打造相關晶元。

中芯國際近幾年在特色工藝領域，包括背照式 CMOS 圖像感測器（CIS-BSI）、55 納米嵌入式快閃記憶體 eFlash、38 納米獨立 NAND 快閃記憶體、為 TDDIC 而開發的 MTE 95 納米、慣性測量設備 MEMS-IMU 製程技術等，都有重大進展。

中芯集成電路製造(紹興)有限公司，也就是中芯紹興 8 寸廠是由中芯國際、紹興市政府、盛洋集團共同出資設立，首期投資金額為 58.8 億元，先建立一條 8 寸廠生產線，主要是生產微機電（MEMS）、功率器件等產品，今年 3 月由中芯國際董事長周子學與紹興市委副書記等舉行簽約儀式，5 月 18 日正式動土。

隨著人工智慧、5G通信、物聯網、智能汽車、工控等應用領域市場需蓬勃發展，特色工藝的微機電系統需求抬升，以往國內在先進微機電系統、功率器件晶元技術上，是技術較為薄弱的環節，在中芯紹興廠戰略性角色的加入下，可望讓該市場技術有所突破，打造成國內領先的特色工藝半導體企業。

中芯國際董事長周子學博士在簽約儀式時指出，中芯國際在微機電、功率器件等特色工藝領域耕耘已有近 10 年，這次與紹興市合作做大做優這個項目，符合中芯國際打造長三角先進位造業集群的戰略目標，我們有信心打造出一個國內領先、世界一流的特色工藝半導體企業。

圖丨中芯紹興廠18日舉行奠基儀式，CO-CEO趙海軍表示，要打造國內領先、世界一流的特色工藝半導體企業，為中國智造做出貢獻

其他專註特色工藝技術的半導體廠，還有去年底杭州士蘭微電子宣布與廈門半導體投資集團簽署投資合作協議，擬在廈門建設兩條以 MEMS、功率器件為主的 12 寸集成電路製造生產線。

另外，日前才宣布在無錫建立全新 12 寸廠的華虹半導體，也是專註於半導體特色工藝的公司，擅長於成熟 0.13 微米和 0.11 微米嵌入式非易失性存儲器（eNVM）工藝技術，並持續這些技術基礎上，成功開發具有更先進特徵尺寸的90 納米 eNVM 工藝，並且導入量產，且 eNVM 技術優勢也可深化延伸，進入智能卡、微控制器（MCU)）、安全晶元等製造解決方案。

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