功率半導體-現狀和展望
功率半導體的生產模式和現狀
功率半導體主要包括功率二極體、肖特基二極體、可控硅晶閘管、功率雙極晶體管、 POWER MOS IGBT(絕緣柵晶體管)。
生產模式:
IDM模式(集成-器件-製造):包括設計-製造- 封測,甚至是下游電子終端產品;國內市場,士蘭微、華微、揚傑等主要是IDM模式;Foundry:晶元加工,像上海的華虹,中芯國際;fabless(垂直分工):Fabless指的是沒有晶元生產能力,但是有晶元設計能力的廠商,直接面對用戶。
功率半導體大圓片的尺寸:主要包括6、8寸,以8英寸具備一定的競爭力,國際市場都是8英寸在做功率器件,少量的是6寸線,目前國內6寸的相對比較多。國外英飛凌有1條12英寸,日本東芝、三菱 ,韓國台灣企業,功率半導體方面主要還是8英寸;12英寸有難度,以IGBT為例,矽片減薄到70-120微米後還要有多步工藝加工,難度非常大;有比較優勢的是8英寸加工技術成熟。
應用市場
功率器件應用:汽車(電動汽車、混合電動汽車)UPS、軌道交通 、光伏 、風電(逆變轉換) 、馬達驅動 (直流交流)、工業領域(電焊機)、 醫療以及很大需求的消費類 (白色家電 、照明 、照相機camera) 。以Yole公布的IGBT在各個應用領域佔比的數據為例,14年和2020年的數據比較,14年IGBT汽車電子佔比24%,預計2020年上升至46%,接近50%;第二大應用是馬達,14年馬達驅動佔比是15%,2020年佔比預計是12%;14年光伏逆變器IGBT的佔比是10%,2020年佔比是9%;14年電焊機3%,2020年保持在3%左右;14年IGBT白色家電佔比5%,2020年預計是3%。最大的增量是電動汽車和混合電動汽車。IGBT晶元製造——模塊IPM——逆變器(裝置)三部分,以汽車為例,
(1)晶元端是英飛凌、國際整流器(IR)、日本的日立、三菱主要廠商;
(2)IGBT模塊有(電動汽車的驅動模塊),三菱,NISSAN,英飛凌 ,BOSCH和比亞迪等。
(3)新能源汽車逆變電源 :三菱的逆變電源用在伏特汽車、NISSAN用在自己車上,英飛凌、BOSCH用於大眾,DAIMLER汽車上。
國內現狀
以白色家電使用的 IGBT模塊(IPM)為例,1年空調1.5億台,變頻的有9700萬台,9700萬台會用到IPM模塊1.9億塊(包括壓縮機、風扇等),6通道IPM(需要6對IGBT和二極體等)用到的晶元大約是4.5億顆,需要8英寸矽片49.3萬片。
汽車用IGBT 占所有應用領域比達到24% 到2020年 46%;(Yole)白電(空調 ,8英寸30-40萬片,佔比產能5%不到,IGBT用量非常大);(數據來自國家統計局,中國家電研究院)除了三菱 、英飛凌等國外企業,國內有幾家廠商做IGBT(士蘭微、華微 、比亞迪等) ;功率二極體(華微 揚傑 捷捷微 蘇州固鍀)。
進口替代已經起步多年。現在開始逐步進入 「大家電」,「小家電」,小功率「逆變電源」,「馬達驅動」,「逆變焊機」領域。
功率器件在國內設計及應用配套相比國外差距很大。80-90年代國內,外同時起步,國內企業原地踏步,沒有國際視野思想跟不上。而國外企業卻是突飛猛進。
現在國內加工水平與國外企業一樣(華宏NEC每月給美國萬代加工3.5萬片功率MOSFET),但是,國產化比較難的原因主要還是品牌的認知度,需要時間去積澱。目前,國內的IGBT主要應用在家電領域,軌道交通、汽車都有較高的進入壁壘,有一定的行業保護,例如汽車領域的功率器件廠商必須具備汽車電子牌照才可以進入。目前難度係數較低的是光伏領域,國內市場很大,華為1年產值1000億,國內IGBT可以按照市場門檻的高低的優先次序選擇性切入。如切入每年幾百億產值的小家電企業。
未來價格趨勢
如美國Vishay的 mosfet大量應用於汽車,包括 雨刷 、馬達 、座椅移動等都靠模塊驅動;無論是進口還是國產逐步代替進口,功率器件的漲價主要還是由於矽片,金屬,光刻膠,特種氣體等材料漲價。由於生產商的設備折舊已經完成,器件的加工成本方面不會有太大的增加。所以,總趨勢是漲一點價。
第三代功率半導體研發現狀
第一代半導體材料主要是指硅、鍺元素半導體材料,
第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料,如砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb);三元化合物半導體,如GaAsAl、GaAsP;還有一些固溶體半導體,如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半導體(又稱非晶態半導體),如非晶硅、玻璃態氧化物半導體;
第三代半導體材料主要以碳化硅(SiC) 、氮化鎵( GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶半導體材料。
國家科技、工信部,1,2專項持續多年支持三代半導體的發展。國外,日本、美國、歐洲包括國內的企業均在積極地布局,近5年發展較快,應用領域覆蓋光伏逆變,電機驅動,新能源汽車等等。瓶頸主要是在於材料端,不管國外還是國內企業主要的瓶頸就在於材料的良率太低,價格高,材料取得突破之後會有大規模的應用,製造的工藝、技術、製造技術除少量變動,不會有太多的難點。
國產化
國家一直在推進國產化,從家電到光伏行業均給予一定的支持,光伏逆變器華為1家1年的銷售額是1000億,合肥陽光電源排名第二,幾百億的銷售額,用量非常大。進口替代存在的問題主要有以下幾點:1)國際大品牌應用客戶在更換產品廠商時,認證難度係數較大,國產品牌目前的品牌認知度相對較低;2)國外的企業多數採用8英寸線製造,成本已經控制的非常低,國內企業還需要一定的時間去加強。製造能力、技術等沒有壁壘,貿易摩擦對國內功率器件的生產企業影響有限,主要難度還是本土企業品牌市場認知度。
原材料瓶頸
1)對於第三代半導體,碳化硅原材料的價格很高是困擾了國內外公司的主要問題;
2)大矽片方面,不管是8英寸還是12英寸,國內企業都可以做,但是表面COP等缺陷控制水平低,產品成本率較低,良率低。雖然晚了些,但是現在8英寸,12英寸大矽片的製造國家也開始布局了。
Mosfet 各個功率水平的情況
功率Mosfet 範圍主要是 20v-300v以內,應用在手持的電器 、風扇驅動,馬達驅動,汽車電子(馬達驅動、玻璃門、雨刷、座椅等),國內有一些產能用在電動二輪車上,但沒有應用於汽車上,因為沒有汽車電子牌照。
國內有士蘭微、華微電子、蘇州固鍀、揚傑科技、富滿電子、韋爾股份、長電科技,和國外廠家比較規模相對較小。台灣也有功率器件製造如台灣大中、台灣尼克松、台灣富鼎先進、台灣茂達電子、台灣強茂、台灣友順 。
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