14張圖看懂半導體工藝演進對DRAM、邏輯器件、NAND三大尖端產品的影響
04-20
DRAM
在DRAM章節的第一張幻燈片中,我按公司和年份呈現了DRAM工藝節點的變化。美光科技、三星和SK海力士是DRAM市場的主導廠商,所以我以這三家公司為代表展示了其各自的工藝節點。DRAM節點尺寸目前是由器件上最小的半間距來定義的,美光DRAM基於字線,三星和SK海力士則基於主動晶體管。
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圖表下方在一定程度上展示了關鍵技術的發展情況。左側展示了具有掩埋字線的鞍形鰭片存取晶體管。具有掩埋字線的鞍形鰭片是目前存取晶體管的標準。在中間和右下角,顯示了DRAM電容器向更細節距-高長寬比結構的演變。
影響DRAM工藝縮減的主要問題是電容。為了可靠地存儲數據,電容需要大於一定的閾值。要繼續製造出佔用面積更小的電容,可以把電容做得更高,薄膜更薄,或者增加薄膜的K值。但是問題在於,雖然從機械穩定性的角度還可以可靠地做出更高更薄的電容,但是隨著薄膜厚度的降低,漏電會增加,而且隨著薄膜K值的增加,帶隙減小也會導致漏電問題。當前的標準是使用低漏電的鋁基氧化物薄膜和用於高k值的鋯基薄膜組成的複合膜,而且目前還不清楚是否還會有更好的替代方案。在第五張和第六張幻燈片中,我介紹了一些主要的DRAM工藝塊,並討論了DRAM工藝對清洗和濕條帶的需求。我在DRAM章節最後一張幻燈片中展示了三星工藝節點的清洗次數。可以看出,隨著工藝尺寸的縮減,DRAM清洗次數也在增加,這主要是因為在沉浸光刻步驟後需要進行更多次背面斜面清潔,而且越來越複雜的多層圖案化方案也會造成多次清洗。邏輯器件
在第八張幻燈片中,我介紹了格羅方德、英特爾、三星和台積電的邏輯器件工藝節點。這四家廠商是邏輯器件工藝領域的領導廠商。應當特別指出的是,英特爾的節點通常等同於其他廠商下一代較小的工藝節點,比如英特爾的10nm和代工廠的7nm差不多。
幻燈片表格下方,左側顯示的是FinFET的橫截面,這是當前先進邏輯器件首選的工藝,右側顯示了納米線和納米片,預計將在4nm左右時替代FinFET。在幻燈片9中,我介紹了一些主要的邏輯器件工藝的演變。在這張幻燈片中,我以英特爾/代工廠的兩個數字展示工藝節點,如上所述,英特爾的工藝節點和代工廠較小尺寸的工藝節點類似。在第10張和第11張幻燈片中,我介紹了一些主要的邏輯工藝模塊,並討論了這些模塊對清洗和濕條帶的需求。NAND
3D NAND取代了2D NAND,成為NAND產品的技術選擇,現在3D NAND的比特出貨量也已經超過了2D NAND。3D NAND尺寸的縮減是由層數進行表徵的,驅動力來自於層沉積和蝕刻取代了2D NAND中的光刻工藝。
在第13張幻燈片中,我展示了3D NAND的三個主要製造步驟-CMOS製造、存儲陣列製造和互聯。三星和東芝(NAND產品的頭兩號供應商)使用的基本存儲陣列工藝如右側圖所示。隨著層數的增加,存儲器陣列必須在「位串堆疊」階段拆分成多個段。左下圖顯示了三家領先供應商的層數和位串。?
結論
DRAM工藝尺寸的縮減正在面臨基本的物理限制,目前還有沒有明確的解決方案,由於印刷需求的推動,DRAM的清洗複雜度也在增加。
隨著行業向5nm和3nm的推進,邏輯器件的工藝尺寸將持續縮減。納米線和納米片將對清洗帶來新的挑戰。隨著掩膜數量的則更加,以及多重圖案化方案越來越複雜,邏輯器件的清洗次數也在增長。NAND工藝尺寸的縮減已經完成落腳到了3D NAND層數的增加上。由於階梯成型需要CMP清洗,3D NAND器件的清洗次數也在不斷增加。
本文轉自:與非網?