mosfet電路圖中的反向二極體什麼作用？就是圈裡面的二極體，體二極體是什麼？

02-05

直接上圖，簡單粗暴

B. J. Baliga, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, 2008

如圖所示，P-Base與Source電極相連。反向電流可以從Source流入P-Base，通過PN結（P-Base/N-Dift）流入Drain。這個PN結就是MOSFET中的Body diode。其作用是導通電感負載傳導來的反向電流（ H-bridge，half bridge or many other bridges）。值得注意的是，當P-Base與Source電極相連可以阻止parasitic NPN transistor的形成（N+／P-Base／N-Drift），使MOSFET工作在可控的狀態。

Body diode的作用在很多情況下相當於Freewheeling diode(反向二極體),具體的應用限制則根據MOSFET的結構設計而有所不同 (maximum current rating, maximum blocking voltage, reverse recovery behavior)。

下圖是二極體開關特性.

Erickson, R., Maksimovic, D., Fundamentals of Power Electronics, 2nd ed., Springer, 31 Jan. 2001

p-channel MOSFET:

B. J. Baliga, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, 2008

嗯，我試著答一下算拋磚引玉，歡迎拍磚。

在mos管或者是igbt的兩端常見會有一個反並聯的二極體，但是並不是所有的都會並聯二極體，也就是說並聯的二極體並不影響他們作為開關管本身的開關作用。而是在開關電源（或者是電力電子）技術的發展中，在某些特殊場合（多數場合就是高頻率時軟開關的需要）需要在開關管關斷時提供一個反嚮導通的迴路，在這種情況下我們可能會在開關管的兩端人為並聯一個二極體，既然有需求，那麼就會有一些廠家生產的時候就並聯的二極體，省了工程師的麻煩。我的印象中某些igbt就是不並聯二極體的。

在我的方向里，反並二極體對於實現軟開關減小開關損耗有非常重要的作用。

具體你可以搜: 軟開關 ZVS ZCS