10nm之爭三星領先台積電，甚至影響到7nm

14/16nmFinFET工藝之爭以三星領先結束，10nm工藝台積電與三星相爭如今看來還是三星領先，筆者預計在7nm工藝上三星也可能再次領先！

在半導體代工市場上，台積電一直都以領先的工藝著稱，三星為了趕超台積電選擇直接跳過20nm工藝而直接開發14nmFinFET工藝，台積電雖然首先開發出16nm工藝不過由於能效不佳甚至不如20nm工藝只好進行改進引入FinFET工藝，就此三星成功實現了領先.

2015年三星成功在年初量產14nmFinFET工藝，而台積電的16nmFinFET工藝則延遲到同年三季度量產。在台積電成功量產16nmFinFET工藝後卻優先照顧蘋果用於生產A9處理器，而幫助它研發16nmFinFET工藝的華為海思則沒獲得禮遇導致採用該工藝的麒麟950晶元延遲到11月初發布。

於是雙方將目光聚焦於10nm和7nm工藝上，希望爭取先量產。在過去一年時間，台媒屢屢發布消息指台積電的10nm工藝進展快速，不過最終在去年10月份三星宣布自家的10nm工藝正式量產並採用該工藝生產出高通的驍龍835晶元，再次領先於台積電。

在MWC2017上聯發科大事宣傳其採用台積電的10nm工藝生產的helio X30晶元，不過暫未知哪個手機企業會採用該款晶元，而早前傳出消息指曾計劃採用該款晶元的小米已放棄引入。採用三星10nm工藝生產的驍龍835則被中興和索尼採用並在MWC2017上展示，預計4月份三星採用該款晶元的高端手機galaxy S8將會大規模上市，從事實上來說這次三星和高通成為10nm工藝的贏家！

當前三星和台積電正積極推動它們的7nm工藝量產，各方的消息指它們有可能本年底或明年初量產7nm工藝。在最關鍵的EUV（極紫外光微影）設備方面，三星早在2016年就已花費1.78億美元從ASML採購EUV設備，而台積電則預計從今年1月裝設EUV設備，從這個方面來說前者已搶先一步。

台積電今年還面臨著其他的問題，當下它的10nm工藝良率過低迫使它集中資源提升良率，同時在開發16nmFinFET的改進工藝12nmFinFET，接下來又需要確保有足夠的產能滿足蘋果將用於iPhone8的A11處理器對10nm工藝產能的強大需求，這導致它難以集中更多資源開發7nm工藝。

三星雖然也面臨著10nm工藝良率的問題，不過它除了這方面需要投入資源外並無需更多需要擔心的地方因此可以將更多資源集中於7nm工藝，在加上在EUV技術方面先於台積電進行投入，故有可能在7nm工藝上先於台積電量產。

三星和台積電在7nm工藝上有可能真正實現對半導體老大台積電的超越，雖然在命名上這兩者的10nm工藝與Intel的10nm一樣，不過業界普遍認為它們的7nm工藝才能實現領先於Intel的10nm，當前它們的10nm估計只是稍好與Intel的14nmFinFET，Intel預計今年下半年會量產10nm工藝，也因此它們才如此看重誰搶先量產7nm工藝。