FinFET技術發明人胡正明
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FinFET技術發明人胡正明教授 http://v.qq.com/iframe/player.html?vid=p0172o7xli4&width_=670&height=502.5&auto=0 胡正明教授是微電子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要開拓者，對半導體器件的開發及未來的微型化做出了重大貢獻。主要科技成就為：領導研究出BSIM，從實際MOSFET晶體管的複雜物理推演出數學模型，該數學模型於1997年被國際上38家大公司參與的晶體管模型理事會選為設計晶元的第一個且唯一的國際標準；發明了在國際上極受注目的FinFET等多種新結構器件；對微電子器件可靠性物理研究貢獻突出：首先提出熱電子失效的物理機制，開發出用碰撞電離電流快速預測器件壽命的方法，並且提出薄氧化層失效的物理機制和用高電壓快速預測薄氧化層壽命的方法。首創了在器件可靠性物理的基礎上的IC可靠性的計算機數值模擬工具。
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