[原創] 一文看懂存儲技術的發展和中國布局|半導體行業觀察

日前，以「自主創新，融合發展」為主題的第十五屆中國通信集成電路技術與應用研討會暨第二屆晉江國際集成電路產業發展高峰論壇（簡稱CCIC）在福建省晉江市成功舉辦。會上，中科院院士劉明發表了題為《存儲器技術發展態勢和機遇》的演講，特擇錄如下，以饗讀者。

主流存儲器發展現狀

根據劉明院士介紹，現在的存儲器分為兩種，分別是易失存儲（以SRAM和DRAM為代表）和非易失存儲。

而回顧存儲的發展史，第一個64bit制度存儲器是由仙童半導體在1967年推出的。劉明院士表示，英特爾在存儲的發展史上擁有極其重要的地位，全球第一個肖特基雙極64位SRAM、第一個DRAM、第一個1Kb SRAM、第一塊EEPROM都是由英特爾推出的，而Nor Flash同樣是Intel的傑作。至於NAND Flash，則是由日本存儲巨頭東芝推出，劉明院士強調。

由於手機，物聯網和大數據等領域的發展，全球的存儲市場發展迅猛，在半導體產業中佔比例也高達24%，全球的市場規模更是高達733億美元。當中尤其以DRAM和NAND FLASH的佔比最高，高達90%。

但一個令人稍顯不安的事實是，目前DRAM行業基本被三星、海力士、美光三家壟斷了90%以上的市場，NAND Flash也被幾家巨頭壟斷了95%。為了擺脫這種現象，中國投入巨資助力DRAM和NAND FLASH產業建設。

在對全球的存儲概況做了總結以後，劉明院士對存儲的發展現狀做了剖析，首先是DRAM，她指出，現在國際上DRAM已經進入了20nm以下節點，三星、海力士、美光均已發布了1x節點的DRAM量產計劃。

緊接著，劉明院士還就HBM及HMC的技術發表了評論。

對於NAND技術的介紹，劉明院士也不遺餘力。當中包括了2D NAND。

還有3D NAND

新型存儲器技術發展現狀

在介紹完主流的技術之後，劉明院士給我們帶來更多新型存儲器技術的分享。

首先是MRAM

然後是STT –MRAM

緊接著是PRAM

PRAM的優劣勢

還有PRAM現在的進展。

她認為Intel和美光合作研發的，革命性的3D Xpoint技術同樣是用的PRAM技術。

另外還有RRAM

劉明院士還對RRAM的發展史做了總結。

RRAM目前的研究也從實驗室走向了企業。

松下在2013年發布了180nm RRAM的量產公告

國產在存儲上的相關研究和產業基礎

在對全球的存儲發展現狀和未來的發展趨勢做了總結以後，劉明也對中國存儲的發展現狀做了一個剖析。她首先對我國的存儲相關研究做了概述。

中國在存儲領域的學術影響力也得到了很大的提高。

在產學研相關結合上，也取得了不錯的成果。

阻變存儲器

相變存儲器

磁存儲器

至於大陸地區存儲技術產業的發展狀況，劉明院士也做了很好的評價。

大陸當前存儲產業的主要布局

華虹宏力在存儲代工方面的實力。

中芯國際也不遑多讓

武漢新芯也厚積薄發

最後，劉明院士就中國存儲的發展做了一個總結。

今天是《半導體行業觀察》為您分享的第1342期內容，歡迎關注。

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