內憂外患的美光,最大威脅竟來自朝鮮?|半導體行業觀察
來源:本文由半導體行業觀察翻譯自seekingalpha,謝謝。
編者按:文中作者以美國將航母群發往日本海為引子,認為一旦美國對朝鮮開戰,最終會影響DRAM產業,進而影響美光,但編者認為,美光面臨的問題,應該與這個假設事件沒太大關係。另外,文中對中國半導體的相關猜測,是作者本人的觀點,我們轉載,只是為了讓廣大讀者看一下國外是怎麼看待中國半導體,不代表本站認為這個觀點。
現在看來,我的兩個世界將不幸地因一條新聞而走到一起——「卡爾·文森」號航母打擊群4月8日從新加坡起航,前往日本海。從新加坡到日本海的距離是2459英里。我們知道文森號和支援艦的航速可達25節。所以,文森號航母打擊群這個周末就將抵達日本海。
就這麼一件事,引起了作者對美光未來的擔憂。
美朝開戰的話,美光遭遇毀滅性打擊
我為什麼關心擔心? 因為世界上超過半數的DRAM產能都位於韓國非軍事區的100英里範圍內。又因為朝鮮領導人金正恩討厭三星,而且曾考慮過轟炸德克薩斯州首府奧斯汀,意圖摧毀三星在那裡的工廠,正如2013年的一篇文章所解釋的那樣,金正恩在身後的地圖上圈出了奧斯汀:
你會擔心北朝鮮的垃圾導彈完成這次6899英里的旅行嗎?我也不擔心。
好吧,如果導彈從平壤飛到491英里外的廣島,攻擊鎂光在那裡的DRAM工廠呢?
抑或從平壤飛到191英里外的海力士(OTC:HXSCF) 清州工廠?
抑或從平壤飛到122英里外的三星(OTC:SSNLF)華城工廠?
是的,我知道平壤可能不是北朝鮮的導彈發射場,但它是北朝鮮國內少數幾個能叫上名字的城市之一。
「卡爾·文森」號航母打擊群包括兩艘Arleigh Burke級導彈驅逐艦邁克·墨菲號(DDG 112)和韋恩·E·邁耶號(DDG 108),以及一艘Ticonderoga級導彈巡洋艦尚普蘭湖號(CG 57)。總計擁有超過300根可以發射戰斧導彈的導彈發射管。我們從最近的敘利亞事件可以知曉,唐納德·特朗普喜歡「戰斧」外交。
包括筆者在內的很多人都太過於關注鎂光的CEO繼任者、晶元成本、收購東芝(TOSBY)的出價等等。偶爾後退一步,縱覽一下大圖景也是有益處的。中國軍隊動員到北朝鮮邊界的消息可能並不屬實。但金正恩的導彈和核野心非常真實。「卡爾·文森」號航母打擊群的動員和特朗普總統最近鍾愛的戰斧導彈同樣如此。
我非常希望朝鮮半島上的事情會一切正常。但如果他們執意發動戰爭,最好的存儲器競爭對手,在台灣、新加坡、日本、美國都擁有工廠的是鎂光科技。儘管最近有很多關於鎂光是否仍在參與東芝的競標,以及晶元價格會如何變化的聲音,但我認為自己並未迴避這些。
除了戰爭,美光還是擔心一下自己競爭對手和自身實力吧
從現狀看來,美光面臨的問題是對手的進步造成的。也就是說從某個角度看,鎂光遭遇的問題是三星電子和SK海力士的技術進步所造成的。技術進步通過位增長的增加使得供應隨之增加。較小的器件幾何尺寸使得我們能夠在單個晶元上製造更多的存儲器晶元。
據BusinessKorea、Investor 12日報導,三星電子位於韓國平澤(Pyeongtaek)的工廠,號稱是全球最大的半導體工廠。消息傳出,平澤廠預定七月啟用,將生產第四代3D NAND。平澤廠是第四代64層3D NAND的生產基地,預定七月投產。三星敵手美光(Micron)、SK海力士等,都尚未開始量產第四代3D NAND,三星拔下頭籌,將可拉大與競爭對手的差距。
不過,消息人士說,平澤廠初期運轉階段,產量有限,一兩年後產能利用率才會提高。估計今年下半平澤廠3D NAND的晶圓總投片量為7~8萬組。
三星是NAND龍頭,2016年市佔率為36%。半導體業界人士表示,三星量產第四代3D NAND之後,將調降第二、三代價格,其他業者將受重創。就算們買下NAND二哥東芝聯手出擊,三星仍有辦法拓展市佔、增至40%。
三星動作頻頻,量產第四代NAND之際,也開始研發第五代NAND。
三星野心不止於此,該公司打造出半導體鐵三角,在平澤廠生產3D NAND,韓國器興(Giheung)製造系統半導體,華城(Hwaseong)製作DRAM。三星也會擴大器興和華城工廠,全面搶佔半導體市場。之前外資曾警告,DRAM榮景能否持續,取決於存儲器龍頭三星電子,要是三星擴產,好景恐怕無法持續。如今三星眼看DRAM利潤誘人,傳出決定擴產,新產線預計兩年後完工。
IHS Markit估計,三星NAND的總產能(平面+3D),約為每月晶圓投片量45萬組,其中一半以上都是3D NAND。據傳平澤廠將專門量產3D NAND,等產能全開時,NAND產量將大增,能爭搶更多市佔。
對於美光來說,這是一擊。
三星積極擴產,引發外界疑慮,擔心未來存儲器將再次供過於求。
之前外資曾警告,DRAM榮景能否持續,取決於存儲器龍頭三星電子,要是三星擴產,好景恐怕無法持續。如今三星眼看DRAM利潤誘人,傳出決定擴產,新產線預計兩年後完工。這是二擊。
而韓聯社10日報導,SK海力士宣布,開發出業界首見的72層258-Gb NAND flash,預定今年下半量產,研發速度超過三星電子。SK海力士更將在其M14晶圓廠推進3D NAND生產。對美光來說,這是三連擊。
由於製造成本降低,例如從25nm至20nm的25%的成本節省,以及1Xnm DRAM生產帶來的額外20%的節省,光刻縮小也使製造更經濟。作為參考點,DRAM在超過20nm以後,預計會在1Xnm,1Ynm和1Znm處進行2至3次迭代。
在技術方面,三星將在2010年下半年開始大規模生產其1Ynm產品(15nm或16nm),並繼續擴大18nm DRAM生產。 預計2010年下半年,10nm級DRAM將佔三星DRAM出貨量的一半。預計SK海力士和鎂光科技不會在2010年第二季度之前開始出貨18nm DRAM。
此外,三星預計將在2017年上半年完成向64層3D NAND流程的遷移,而SK海力士於2016年4月推出了36層128Gbit 3D NAND晶元,並且自2016年11月以來一直批量生產48層256Gbit 3D NAND晶元。鎂光科技正在發布32層3D-NAND,以期在2017年底前進軍64層256Gbit存儲器。
因此,三星的DRAM位增長預計將從2016年的341.85億Gb增長至2017年的431.96億Gb,增長26%。NAND位增長預計將從2016年的537.19億Gb增長至2017年的708.85億Gb ,增長32%。
對於SK海力士,DRAM位增長預計將從2016年的211.50億Gb增長至2017年的258.62億Gb,增長22%。NAND位增長預計將從2016年的157.90億Gb增長至2017年的199.38億Gb ,增長26%。
IP或面臨竊取風險
台灣DigiTimes最近的一篇文章報道說,鎂光對台灣的前Inotera和Rexchip員工採取了法律訴訟,據稱他們竊取商業秘密和技術給中國的DRAM新僱主。
顯然,約有100名前鎂光員工現在就職於中國半導體公司,合肥長鑫,清華紫光,以及福建晉華集成電路。我於2016年11月18日題為《清華紫光和鎂光科技:如果你一開始不成功……》的文章,對這些初創公司進行了討論。
不清楚鎂光是否可以毫髮無損地渡過這一關。但威脅是真實的。2013年,美國知識產權盜竊委員會估計,美國每年約有3000億美元的知識產權損失,其中中國佔到了其中的50%~80%。
很難計算這些行動在當前和未來對鎂光造成的損害。除非前僱員在他/她的硬碟上留下了證據,否則很難證明。其中一個最著名的IP盜竊案是,2011年一個對台積電不滿的員工竊取知識產權,將其轉交給了三星電子,使得三星得以迅速躍升至14nm量產。
從目前看來,難以評估鎂光的損失的一個蛀牙原因是時間。三家中國公司在2016年底宣布,他們正在進入DRAM業務,並於2016年12月份為員工做廣告。但根據DigiTimes的文章,「福建晉華在台灣南部科技園(STSP)的聯華電子公司(NYSE:UMC)設立的DRAM試生產線暫時停產,待進一步調查。」
在幾個月內宣布意向並進行DRAM試生產在時間上是不可能的,除非設計被盜並帶給了聯華電子。
半導體晶圓廠需要大約兩年時間才能開始生產。例如,鎂光的X10 3D NAND新加坡晶圓廠於2015年3月開始施工,於2016年10月安裝設備,於2017年初啟動了第一塊矽片,並將於2017年稍後投產。
根據《台北時報》2017年4月6日的文章,聯華電子於2016年5月份開始推進DRAM試生產線。但根據聯華電子的言論,「這個項目處於起步階段,我們還在建設中,沒有很多研發成果。」
來自Inotera和Rexchip的100名前鎂光員工大多數在2016年底開始為三家中國公司工作。於是,Inotera的前董事長Charles Kau在2015年離職,前往清華紫光,而原Inotera副總裁David Liu現在在合肥長鑫。
價格的衝擊在所難免
我於2017年3月31日一片名為《鎂光科技可能出現DRAM產量問題,這重要嗎?》的文章中指出,鎂光在最近一季度的DRAM收入增長了22%,但是21%來自於平均售價上漲,而只有1%來自於位出貨量的增長。
隨著DRAM佔到了鎂光收入的64%,鎂光正面臨著失去其最大收入部門的份額和收入的風險。任何IP盜用都會將窗口縮短到兩年以內。 目前,法律訴訟正在台灣發生,那裡的IP保護力度較強。但這三家半導體製造商在中國大陸,我們不知道那裡可能發生什麼。
由於鎂光DRAM的收入幾乎全部來自於平均售價上漲,因此三家即將陸續生產DRAM的新工廠將嚴重影響鎂光的收益,因為平均售價將大幅下滑。這是鎂光的股票已經考慮到的消息。IP盜竊將使正常情況下從建設到生產所需要的兩年時間大為縮短。當我們從這些公司開始聽到關於半導體設備採購的信息時,我們會進一步了解到其中的端倪。
後記:老實說,看完整篇文章,我都佩服這個作者的腦洞
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