T242有源器件-為何標準規定APD的最大輸入光功率低於PIN

原以為這個題目很好做，就一句話的事兒，APD晶元的設計結構導致不能承受更大的光生電流。

但實際做起來卻成了最艱難的一部分，在工作中習以為常的原理和標準，在公開的互聯網上找不到這些文檔。

昨天晚上11點，還在百度文庫中一篇篇的收索，期望可以找到想要的資料，娃爬在我書桌前困的睜不開眼等我睡覺。

突然那一刻有點想哭，沒有一分錢收益依然做這件事到底圖什麼。今早上5點鐘準時醒來，心裡出現一個公式，每天2小時365天15年等於1萬零900個小時。

剛剛符合1萬小時的理論投入時間，一條沒有捷徑的路而已。

好，言歸正題，在很多標準上和光器件企業內部要求中，有這麼一條

先看某企業的要求，禁止對APD加入大於n-3dBm的光

接下聊聊APD的來源和原理

APD(Avalanche Photo Diode) 雪崩光電二極體,是一種半導體光檢測器，有光電倍增效果，n這是咱們光通信經常用到的一種APD結構，多了一層倍增層。

APD的光生電流計算，與PIN也不同，多了增益M

APD增益 M的計算公式

APD的結構

APD的設計結電容更小，光電速度更快，導致不能承受更大的光生電流，好處就是有更優秀的靈敏度表現。

通俗的理解是不能要求一個纖細的負責繡花的女生擁有健美冠軍的體魄。

APD探測器在靈敏度上表現優秀，就要放寬一些對過載輸入功率的要求。

最後總結就是一句話，APD的設計導致不能承受大於1mA的光電流，否則會對晶元造成永久性損害，一般企業內部定義為小於0.5mA的最大光生電流。n換算成dBm的功率表達方式，即為小於-3dBm、-6dBm、-9dBm等等，這和耦合響應度相關，自家的器件可以自行推算

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