今早接著昨天聊聊PIN、APD型光電探測器基本結構

今早接著昨天聊聊PIN、APD型光電探測器基本結構 。

對這個本徵區寬度的選擇和平衡，或者設計更優秀的探測器結構，是晶元設計師的工作，咱們外行看光晶元的設計師那是有灰常灰常的高深技術能力。

咱們只看看那基本結構：

再來看看什麼叫雪崩倍增：

國華每次理解雪崩效應，腦子裡浮現的不是雪崩，而是親身經歷的一次泥石流，原本很小很小的山頂涓流，不斷的把山上的石塊捲入，爸爸媽媽看泥石在增大，就開始把水引到另一個方向。引導溝 20cm深，幾分鐘後就成了幾米深的大溝，我和弟弟完全嚇傻了，看著大石頭塊呼嘯而過，大卡車就像葉子一樣輕輕的被沖走，幸虧、萬幸的是山只有500米高。

那是1996年的夏天，是高考要放榜的時候。雨停之後步行幾小時去學校，一樓教室已經全在泥漿之中，那一夜除了高三放假，高一高二的師弟師妹是連夜手牽手轉移到電視塔所在的山上，當從老師手裡取過全校第三的紅榜單，老師沒有恭喜，我也沒有喜悅...

回到主題，雪崩光電探測器的基本結構，在PIN探測器本徵區（本徵這個概念是春節p型半導體，n型半導體有寫，不摻雜或輕摻雜）之後，加一個雪崩倍增區域。

使用APD，都有一個升壓電路，這是為了增加外加電場，產生雪崩倍增效果。當然倍增除了倍增有用的光生載流子，也同時倍增熱雜訊（就是泥石俱下的感覺），把雪崩區選在N型半導體之前，也是降低把N型半導體的雜訊也倍增，與信號不利。雪崩區也不能再往左放，是因為光子絕大部分在本徵區吸收生成載流子。

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