十年間ASIC/SoC設計技術的變化
01-28
我將從工藝、數字後端、數字前端、驗證、高層次綜合幾個方面進行比較。大神摩爾鎮樓!工藝* 這十年集成電路的發展基本遵循了「摩爾定律」 當價格不變時,集成電路上可容納的元器件的數目,約每隔18-24個月便會增加一倍,性能也將提升一倍。
* 十年前我們還在討論,硅工藝的極限是40nm,還是28nm。 今天我們在討論,硅工藝的極限是不是5nm?* 十年前我們還不考慮晶元走線之間的SI (信號完整性)。 今天SI的影響,變成了影響線延時的主要因素之一。* 十年前我們還在討論,哪種MOS的結構才是未來。 今天FINFET晶體管,已經在16nm已下廣泛使用,我們在討論未來代替它的結構式是管狀晶體管,還是超淺溝道晶體管?
*十年前光刻當中的光衍射效應對於光刻沒有什麼影響。在今天,光刻檢查(Lithography Friendly Design rules)已經成為了必要的檢查。前端設計角度:*十年前,VHDL語言和VERILOG語言還能平分秋色。現在VERILOG語言的普及率已經遠遠超過VHDL.*十年前,電路性能只關注兩個指標:時鐘頻率和面積。在現在,不提供電路功耗就是在耍流氓。
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* 十年前我們還在討論,如何使刻線的尺寸達到更小。
今天我們開發了 double pattern 技術, triple pattern技術,自對準技術,等等。工藝複雜度是之前的很多倍。*十年前後端設計中,主要的延時還是來自於基本單元。 在今天,14nm,10nm的節點,線上的延時已經佔了總延時的30%以上。*十年前晶元內部的可靠性檢查還不多。 在今天,ESD (Electro-Static discharge), EM(電子遷移) 等可靠性檢查,成為必須檢查的部分。*十年前低功耗設計概念剛剛進入大家的視野。在今天,low power design 已經成為各大公司的標配。在現在性能過剩的時代,大家都在比拼到底誰的功耗更低。.*十年前,ARM匯流排搞定一切匯流排互連
在現在,異構多核架構的巨大需求使得NoC技術迅速推進並應用。驗證*十年前,前端工程師自己就可以手動用verilog驗證。在現在,驗證工程師比前端工程師還多高層次綜合*十年前,硬體描述語言已經成為主流在現在,高層次綜合已經在xilinx等幾個廠商的領導下,逐步推進也許未來,Verilog也會跟手動畫圖的方式一樣被淘汰。
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