如何評價IBM的7nm晶元技術？

01-24

IBM and chums say they"ve cracked the 7nm chip barrier ? The Register
IBM』s 7nm chip breakthrough points to smaller, faster processors
IBM稱掌握7nm晶元技術：晶體管數量超200億

怒打英特爾臉，IBM推出7nm晶元
能否介紹IBM是怎樣實現7nm技術的？

通過新聞了解：IBM在純硅的基底上做器件，並在純硅基底的一些關鍵部位使用了硅鍺（硅化鎵？）來改善器件的開關電壓，飽和電流等性質，從而實現了7nm

IBM已經不是第一次干這種炫酷的事情了， POWER7（IBM研發的自家CPU，高端商用伺服器系列才會配備）上面使用的eDRAM就是在純硅基底cpu的cache部分使用了跟內存晶元一樣的材料，從而實現了DRAM進cpu，從而實現降低cache面積，降低cache功耗的目的。

沒記錯的現在IBM和GF是SOI陣營，intel和TSMC是bulk陣營。

估計IBM的7nm依然是基於SOI的，應該是在FD-SOI上通過tri-gate或是FIN-FET抑制漏電吧。

用了鍺硅也是說明新結構做不了strain或是光靠strain已經達不到需要的遷移率了。

SOI（silicon on insulator）結構是在單晶硅晶圓內部埋一層氧化硅絕緣層，然後在絕緣層上方的單晶硅層製造電路。好處是氧化硅埋層能夠有效抑制襯底漏電、減少寄生電容，壞處是散熱不好、晶圓成本高。

FD-SOI（全耗盡SOI）是指把氧化硅上方的單晶硅層做的足夠薄，使得MOSFET工作的時候整個溝道完全耗盡，最大限度抑制漏電和短溝效應。

FD-SOI和FIN-FET、trigate結合很方便，因為單晶硅層很薄，直接刻蝕到氧化硅層然後再做柵就行。

IBM在半導體工藝方面的發言可信度至少要打個七折，就現在的信息來看IBM的7nm商用比intel還是要至少晚一年。

當然也不能排除intel看TSMC跟不上了又開始划水的可能性……

不了解IBM的7nm，不過TSMC的7nm明年也可以開始design了。

三年前，Intel有人說，這個世界上有錢做7nm工藝工廠的，只用Intel。而且即使有錢如Intel，也只能建一個7nm的廠。

世界變化快。

對於我等設備狗而言：尼瑪，工藝越小，設備越大，零件越來越重，真心搬不動了

「芯」無遠慮，必有近憂 ----FD-SOI與FinFET工藝，誰將接替Bulk CMOS?_電子創新網

知乎上傳圖片真特么麻煩。