下一代光刻技術會是什麼？

01-22

極紫外光刻（EUV）快要適用了。接下來，新一代的光刻會採用什麼技術呢?更短的波長？

電子束曝光

極限解析度2、3nm

下一代應該沒有光刻了。X射線光刻的解析度並沒有那麼高。X射線光刻和紫外光刻的原理不同。X射線不能被折射，也沒有好的反射材料，所以無法被聚焦。所以X射線是直接用1：1的掩膜放在晶圓上進行光刻。而且X射線的能量太高，會產生二次電子，這個限制了最小解析度。不過X射線的好處是波長短，景深大，可以做厚膠光刻，製備高深徑比的結構，可以用於MEMS。

在光學光刻曝光系統中，曝光輻照的波長是光刻工藝的關鍵參數。傳統曝光系統使用紫外光，會有干涉和衍射現象影響解析度。雖如此，但還能再戰多年。目前有極深紫外光系統，但其系統複雜，最終也難以規避由於干涉衍射帶來的解析度限制。

這裡提提非光學光刻曝光系統。

x射線曝光系統：就商用x射線曝光設備來看，可以容忍的缺陷是圖形畸變，而更嚴重的限制是半影模糊。

離子束曝光系統：存在隨機空間電荷問題，好處是不需要掩模。

電子束曝光系統：存在電子的散射問題，好處是不需要掩模。

個人認為電子束曝光系統就是下一代光刻技術。與光學光刻不同，EBL解析度小於任何主流ic製造或未來所期望的器件幾何尺寸。但是，它的速度比傳統光刻要慢一個數量級，實在是太慢了。

瀉藥，你看趨勢咯，就是不停縮短波長解決衍射極限咯，不過以目前的工藝來說已經加工很細了，再細下去晶元功耗就上來了。所以依老衲看未來還是個並行計算的世界。

光刻只是手段，目的是按照設計的需要生成相應的layout，所以光刻的未來未必是光刻，比如自組裝

一個方向可能是共聚物光刻（block copolymer lithography）。但是還有很多技術需要解決，如有序度，時間。。。

目前來看，duv仍然有潛力

用X射線都行，不過得先過量子效應這個坎再說。

謝邀，不過我附近的專家在出差，等她回來，現學現賣吧。