三星的finfet技術從哪裡來的？

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是獨立研發的，還是從intel、格羅方德買來的？格羅方德的finfet又是從哪裡來的？

貌似挖角梁孟松發揮了極大作用，同時，三星的獨立研發，也使得14納米finfet工藝的

良率極好，不僅力壓台積電，連美國本土資助finfet技術研發的骨幹半導體企業ibm、

格羅方德也必須與其合作，才能提高14納米以下工藝良率。（順及，intel先鬆口可能

採用fd-soi技術，但目前在10納米工藝上已經不敢再提，其狀甚為可疑，貌似finfet與

soi工藝整合不夠成功，而擔心坦誠不順利將影響股價；與之相比，ibm10納米路線已經

非常明確，見最後。）

考據了一下。finfet技術的研究由美國軍方和美國半導體骨幹企業聯合資助，始於1998

年，目標是解決25納米之後半導體器件的微細化問題，由加大伯克利分校胡正明院士領

導的研究小組承研並成功突破。finfet技術由intel公司在2012年22納米節點率先採

用。

2001年-2004年期間，胡正明擔任台積電CTO；

2009年，台積電研發負責人梁孟松去職，2011年就職於三星電子，2009年-2011年期間

在韓國一大學授課，其課程多有三星公司資深工藝人員聽講。

2012年，三星14納米finfet測試晶元完成流片；

2014年4月，格羅方德獲三星14納米finfet技術授權；

2014年10月，IBM將22納米FD_SOI晶元工藝廠及全套專利技術出售格羅方德，並由後者

代工其14納米和10納米晶元（按大藍的規劃，這兩代用finfet+soi）；

2015年1月，台積電脫離IBM研發聯盟；

2015年2月，三星14納米finfet晶元量產；

2015年4月，格羅方德14納米finfet晶元量產；

2015年7月，台積電16納米finfet晶元量產。

2015年1月-2015年12月31日，梁孟松再次被禁止在三星就職。

2015年7月，IBM、三星、格羅方德、紐約州立大學聯合突破了7納米關鍵技術，整合了

全套7納米製備工藝，研製出包含200億晶體管的7納米測試晶元（finfet+soi，硅鍺溝

道，極紫外光刻）。

finfet技術不是伯克利的胡正明教授發明的么