驍龍810的20納米工藝和14～16納米只差了5納米，發熱相差很多嗎？

01-16

驍龍820是高通第三代自主架構Kyro的第一代產品。根據目前所獲得的消息，驍龍820將會具備2+2的四核心設計，採用三星14nm或台積電16nm的FinFET製程工藝。另外，驍龍820還將搭載高通最新的Adreno 530 GPU以及MDM9X55 LTE-A Cat.10基帶，在配置上絕對碾壓目前所有競爭對手。
如題，可是驍龍800到810還從28到20納米呢。

這個問題很好回答，那麼我就簡單說一下吧。

⒈工藝問題：你看Exynos7420和Qualcomm810在CPU部分區別我們只能通過資料看出前者是三星自家14NM後者是台積電的20NM，前者比後者多了0.1GHz但卻是同樣的內核（不過好像版本不一樣？）但所帶來的功耗是天差地別（據說810的單核A57有5w？我估計只是接近吧，而且不可能一上來就5w。其中也有一部分或者大部分高溫導致閾值電壓降低後漏電電流的增加的成果）很多人把它歸咎於台積電的工藝問題——然而用了相同工藝的Apple A8（A8X是平板處理器暫且不說）並沒有問題——當然，你也可以說A8隻有雙核，但Cyclone+做的面積可不小。

⒉其他可能因素：退一步講如果真的有台積電工藝的問題那麼肯定也不只是這麼一個原因——還有使用的庫、矽片的布局、以及分析綜合布線布局的編譯器等等都有關（這個可以理解為一般圈外人說的對於一個微結構內核的駕馭經驗）

⒊微結構層：還有提及這個功耗降低，不止是工藝的問題——微結構設計在同樣工藝下是降低功耗非常重要的設計方案，比如我們從一個演算法替換成另外一個演算法（微結構的硬體演算法）就可以降低一些功耗，然後其他設計地方在進行Trade-Off——事實上，Trade-Off是微結構設計的「奧義」，沒有任何硬體設計是你想做多大就可以做多大的，它會有限制也會有弊端，關鍵看設計者如何做Trade-Off——微結構設計者之間的差距正在於從繁多的基本硬體演算法中以及加入新的技術後不斷Trade-Off之後的架構設計差距，這個東西不是說你讀多少書掌握多少書本知識就可以的，關鍵在於你如何理解並且加以實現後還可以舉一反三。

如上，我覺得我說的已經夠清楚了，雖然暫時並不知道820對比810功耗降低情況，但即便降低也不單單是工藝上的，還有內核微結構設計、工藝、布局布線等等很多原因，也就是說無論是IC前端設計或者後端實現對於功耗的降低都有影響。

ps：好像820的架構代號改叫做Hydra了？（中文譯為九頭蛇？話說之前貌似是金環蛇，Qualcomm對蛇這個動物真是情有獨鍾啊）

ps2：作為Apple的「腦殘粉」我覺得碾壓目前手機處理器倒是有可能，但論整個ARM移動端「我果」A8X不服惹●﹏●

你要知道半導體除了製程就是多少nm之外，還有工藝一說的。

介紹一下一些基礎概念

第一:

45 nm與40nm是一代

32與28一代,

22與20一代，

16與14是一代。

第二:半導體裡面最重要的是柵極

，柵極那個柵就是柵欄的意思，就是門的意思。門打開和關閉分別代表1與0。

門關了，管道中的電子就過不去了。然而這個門也就是柵極越做越小，也就是nm越來越小，就會出現量子力學裡面的東西了。也就是即使門關了，門這邊的電子都有較大概率瞬間移動到對面。

反正就是描述起來就是電子瞬移，傳送的那樣子。

英特爾從45nm的台式處理器就開始使用HKMG(高介電係數金屬柵極？)技術的，用來處理這個漏電。

手機40nm都沒有直到28nm這一代才出現。

驍龍600與驍龍615都是28nm但沒有用hkmg(28nmlp)

mtk x10 驍龍800 包括麒麟935用了hkmg(28nmhpm)。

特別是驍龍615與mtk x10都是A53但就是差距巨大。包括後來的驍龍616,617,430,435都是不能用的。

所以28nm已經是老工藝(似乎叫poy-si)的極限了，用來應付下8260A這種低頻karit200該行，但是8974ac高頻karit就不行了

那麼20nm怎麼辦呢？

intel最後搞出了個3d晶體管22nm，也就是fin-fet，魚鰭式場效應管。就是在柵極，門的那裡加一圈(應該不是一圈)魚鰭樣的東西，恐嚇住那些瞬移的電子？至少算得出電子瞬移也還是在門這邊的概率比較大，這邊比較密。

然後台積電技術不夠，省了點錢，還是用了20nm還是用的是hkmg，所以漏電漏的非常厲害，聽說只比28mm好了兩成。

然後三星用的14nm finfet，等於有兩代差距了。(不過這裡聽說三星和台積電的納米數都有點作假)

所以驍龍810與三星的7420的差距至少是驍龍615,616,617(其實就一個東西)與MTK X10麒麟935的差距。

並不是什麼高通沒有設計公版的經驗(公版意思就是不用太有經驗的)所以即使一年過去了，新的什麼430,435,617因為還是在用上上個時代做法導致基本沒有什麼起色。

(同時A57也是個大坑，可以參考AMD做的伺服器版主頻與功耗)

這可是25%啊

ic設計很重要的…

看看之前的8064和s600……

製程只是工藝的一個參數，不是小製程就一定能在各方面碾壓大的的，比如gf前一陣子研發完的22nm fdsoi，低壓低頻下的功耗表現就完爆這一批16/14nm工藝，而且就算是28nm節點台積電也根據用途分了好多種，還有tsmc和三喪在16nm節點導入了finfet，也能大大降低漏電。