氮化鎵工藝的處理器頻率可以達到什麼等級？

01-16

未來英特爾的移動晶元可能採用氮化鎵材料，氮化鎵晶元的速度和效能比高於硅晶元。能到10Ghz么

不邀自來怒答一發。不知道題主從哪裡看到的這個消息啊？嚴重懷疑題主所說的移動晶元其實只是移動設備里的pa晶元。GaN的優點在高頻高功率高效率上，當然GaN HEMT也可以用在lna上。darpa的GaN相關項目從wibgs到next，從cosmos到dahi，基本上都是圍繞GaN的高頻高功率大電流這一點，應用也多是pa或者數模混合電路里的模擬部分，再結合si的數字電路部分。GaN器件的成本以及集成度距離現在的si based digital circuit還差著十萬八千里，所以cpu這種東西基本上不可能用GaN。當然衛星上抗輻照的數字電路可能有部分GaN，但是規模應該也不大。如果看GaN電子器件的發展，繞不開UCSB的那幫人，他們現在也講很多精力轉向GaN的power electronics了，而不是數字電路。

謝邀。

有同學和老師是研究這一方向的，不過對此沒有深入的了解。

其實目前制約新材料使用的主要問題包括以下幾個：一是很多IC製備的工藝在硅上做的很好，在其它材料上沒法做，二是沒法跟現有的IC工藝兼容。

回到正題。目前制約CPU速率的主要問題並不在硅這個材料本身，而是隨著功能複雜的提高布線成了很大的問題。即使是現有的工藝也可以將目前的CPU的時鐘頻率再做高不少，但是對整體性能的提高沒什麼意義。

謝謝邀請，這個真不懂

不是銦鎵砷和應變鍺嗎？

同求題主的信息來源

純記憶答題，難免有錯，因為我畢竟不是微電子科班出身。

我記得80年代的時候就提過用GaAs代替Si做CPU，理由是GaAs的電子遷移率高，頻率自然就能快。但是這個想法當時就實現不了，因為GaAs脆，晶圓做不大，而且成本遠高於Si。在當時GaAs的FET只有N型的好使，P型的不好使。不過提出這個想法的時候Si MOSFET也沒有好用的P型管，因為雜質的擴散速率不一樣。但是，但是，離子注入技術的出現克服了擴散速率的問題，好用的P型MOSFET出現了，終於可以做CMOS了。所以GaAs數字電路的前景一下子就暗淡了。

但是當時的GaAs FET我記得都是JFET，後來才有了利用2DEG的HEMT。本來GaAs在微波射頻應用上就挺有優勢，HEMT出現後優勢更大了。

所以這個時候Intel會炒80年代的冷飯？強烈要求題主的信息來源

論速度只服 InP HBT。

不懂

成本？