我們來看下圖：
此圖其實非常簡單，核心部分就是我們在數字電子技術中學到的施密特觸發器。施密特觸發器的特點是，根據輸入電壓的變化，兩隻晶體管V1和V2中，若V1飽和則V2截止，或者V1截止V2飽和。並且施密特觸發器具有繼電特性，也即讓V1飽和的輸入電壓與讓V1截止的輸入電壓不同，也因此，施密特觸發器常常用於電壓甄別器。在實際使用時，V1很容易處於放大狀態。對於題主的圖，電阻參數選擇不正確。我們知道，當晶體管V2飽和後，它的管壓降是0.3V，我們看到V2晶體管的集電極電阻是220歐，發射極電阻是120歐，於是流過晶體管V2的電流為：
由於施密特觸發器的晶體管屬於小功率晶體管，故此晶體管非燒掉不可！！！
我們把220歐改為2.2K，把120歐改為1.2K，則有：
這樣才對。同理，V1的集電極電阻也改為2.2K。我們設晶體管的放大倍數為30倍，於是V1管的基極電流為：
首先要確定發射極電阻1.2K上的電壓，為：
，於是當V1導通時，它的基極電壓必須是：
。
光敏電阻的參數如下：
我們看到，當光敏電阻無光照的等效暗電阻為600K，而有光照的亮電阻為5K。設當前無光照，則等效於光敏電阻已經從電路中開路。於是V1的基極電阻為：
我們看到，圖中設計的是10K電阻串聯50K的可變電阻，顯然這是合適的。V1飽和了，那麼V2又如何？V2的發射極電壓我們已經知道是9.8V，而V1管的集電極電壓
，兩者之差為0.3V，小於V2要導通其基極電壓必須大於0.7V，也小於其處於放大區所必須的0.6V，故V2必然處於截止狀態。當V2截止後，V3基極為高電平，系統具備讓V3飽和的條件，繼電器也因此會吸合動作。這裡的關鍵是穩壓二極體D1穩定電壓的確定。
設高靈敏繼電器的吸合電流為20mA，則有：
於是穩壓二極體的擊穿電壓為：
故取穩壓二極體的穩定電壓為22~24V即可。V3必須採用中功率晶體管。現在我們來考慮光敏電阻有光照的情況。有趣的是，當光敏電阻阻值逐漸減小時，V1管的基極電壓逐漸降低，它的集電極電流當然也逐漸減小，於是發射極電阻上的電壓會降低，從而抵消了光敏電阻的光照阻值變化。也因此，這裡就出現了施密特觸發器的繼電特性。這一點十分重要，這是施密特觸發器用於電壓甄別器的原因。繼電特性如下：
是不是和施密特觸發器的特性十分想像？同時，V1管會脫離飽和區進入放大區，晶體管的損耗會增加，V1管會因此發熱。當光敏電阻的阻值降低到5K時，忽略V1的基極電流，V1的基極電壓為：
這個值遠遠低於發射極電壓9.8V，因此V1管截止，繼而V2管導通，而V3管截止，繼電器釋放。繼電器線圈反向並聯的二極體D2用於瀉放繼電器線圈產生的反向電動勢，防止讓V3受反向電壓的衝擊而損壞。================正好下午沒事，居然有空給題主寫了這麼多，自己都感到十分驚訝。
再次提醒題主：圖中的V1和V2的集電極電阻必須調整為2.2K，而發射極電阻必須調整為1.2K，否則電路一旦接通這兩隻晶體管中的一隻（最大可能是V1管）會立即燒毀！
另外，最好學會這種分析方法，而不是藉助於所謂的模擬。事實上，在畢設論文答辯時，若看見某位學生用模擬求解電路參數，會被我十分瞧不起。
沒有光照射的時候，光敏電阻阻值比較大，V1導通，導致V2也導通。D1很可能是穩壓二極體，被反向擊穿後使得V3也導通，因而繼電器線圈得電，繼電器開始工作。光照射到光敏電阻上後，其阻值快速減小，導致V1關斷，之後V2和V3也相繼關斷，因而繼電器線圈停止工作。D2是續流二極體，會保護線圈電流緩慢消失，而不會出現大的反向電動勢。實際應用中，V1，V2，V3可以全部由一個MOSFET代替，功能完全一樣。
這是板級的電路，這些器件只知道個大概。具體驗算我就不獻醜了。容易知道，28V供電，如高票答案所言，的確電流很大。僅闡述工作原理，v1,v2,v3極性相反，且逐級放大，最後給繼電器提供控制電壓。因此很容易理解其工作原理。但高票有一點我不贊成：施密特觸發應該不大可能，施密特觸發是雙邊觸發器。前提是有正反饋電路，正反饋電路是有死區的，施密特用的就是這個死區。這個電路是逐級放大，看不到正回饋迴路，因此是單點判斷，與施密特觸發無關。
這電路，屌了，告訴擼主個常識吧，電路中除了採樣電阻，低壓電路中Led的限流電阻，一般都會大於1k～～～～像這種帶3級管的～～很少有低於1k的
剛接觸模電就整出這麼個問題，真是讓人敬佩。
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