有沒有人能詳細講一下跟過渡金屬有關的d-band model？

d-band model 跟吸附有莫大的關係，具體原理與模型還請詳解

Advances in Catalysis 2000年附近做過一個專門介紹，很短，也就七十頁（我剛才翻了下原文，才59頁，比我記憶中更短），介紹了d帶中心怎麼解釋分子吸附，活化，還有各種缺陷問題。我前幾天剛好看了。等我晚上回到電腦前把主要內容補上來。

======以下為補充=====

剛才仔細翻了翻筆記，這篇文章的標題是Theoretical surface science and catalysis—calculations and concepts，作者是B. Hammer和J. K. N?rskov，DOI：10.1016/S0360-0564(02)45013-4。我不是專做理論催化，不太了解前一個人，但是後一個人現在在理論界可是大名鼎鼎。正好前幾天偶然翻到這個文章，就看了看，覺得寫得不錯，尤其是解釋了我一直不太理解的d帶中心理論。

這裡言簡意賅把他們文中核心想法寫下來。

最核心的想法寫在了文章最前邊。現在討論有機物吸附在金屬上。金屬的sp軌道通常能量上展寬十分顯著，而d軌道則相對較為能量集中。所以態密度DOS上，d軌道是一個窄而尖的峰，類似於一個分子的分子軌道一樣。因此，一個寬的sp軌道和一個分子軌道作用，會使得分子軌道展寬；而一個狹窄的d軌道和一個分子軌道作用，就如同分子軌道理論里那樣，會使得分子軌道產生裂分。如下圖。

這就能解釋很多現象了。比如他們隨後舉的例子，是O原子吸附在金屬上的。我們可以看到，深色的O p軌道在吸附之後確實發生了明顯的裂分。反過來，金屬的d軌道可以認為幾乎不受其影響，因為金屬上有無數個電子，不會受到O那幾個電子影響。所以，金屬d軌道變化符合我們的認識，同一周期，隨著d電子填充，Fermi面上浮，相當於d軌道下沉。這產生了一個效果：隨著d電子減少，也就是d帶中心上浮，O p軌道裂分後形成的反鍵軌道也隨之浮出Fermi面。（這裡我當時看的時候是有點疑惑的，我覺得定性分析似乎不能得到這種結論，更客觀地說，對p軌道做個積分，比如看Ni和Cu，明顯Fermi面以上的O p的DOS積分大於Ni，也就是他們所說的更多反鍵軌道上浮漏出Fermi面。）理所當然地，金屬-O獲得了更多成鍵電子和更少反鍵電子，自然吸附更強。（原文還解釋了同一組變化規律，和d軌道半徑有關，有點跑題，不再介紹。）

從上邊這個例子可以看出來，d軌道中心上浮接近Fermi面，會導致吸附原子反鍵軌道上浮，從而提高吸附能。

他們後邊進一步討論了吸附分子情形。結論相似。d帶中心上浮，則更多成鍵軌道壓入Fermi面以下，而反鍵軌道進一步推出Fermi面。這個結論也適用於過渡態。所以d帶中心上浮，可以穩定吸附分子包括過渡態。

他們進一步討論了許多有意思的情形。比如表面缺陷產生的配位數下降問題。可以簡單理解為d軌道受晶體周期性勢場調製減小，從而有恢復原子軌道趨勢。同時，由於d帶電子數沒有改變，只能通過d帶中心上浮，把更多d軌道推出Fermi面，以維持d帶DOS積分值。所以缺陷相當於d帶中心上浮，從而產生了強吸附等等。

又比如壓應力效應。壓應力相當於施加了一個更強的周期性勢場，和上邊提到的過程剛好相反，d帶發生展寬，為了維持d帶電子數不變，d帶中心只能下移沉入Fermi面以下。

上邊就是我對這篇文章的理解，如果有理解錯的地方，歡迎指出討論。另外，@何政達 答案裡邊說的d帶展寬修正，我就真不知道了。畢竟我做催化不涉及金屬，前幾天也只是好奇看了看d帶中心理論到底是啥，沒學習那麼深入。期待他的答案更新。

謝邀！d-band theory是理論催化/電催化中重要的活性指標。另外它的演化歷史也很有趣。
先mark一下並作簡單回答，再慢慢的加入新內容。

d-band theory可以被用來作為催化反應的「描述符」。
它的本質是Anderson-Newn模型經過簡化後用來描述吸附物與表面相互作用的模型。
首先由norskov在1995年的nature上考察了Au為什麼活性差，給出了d-band theory的概念。
另一個點是2012年有一篇PRL（B？），說明用d-band不能很好的理解活性，而需要加上d-band的展寬（二階矩）的一半作為修正後才更準確。

吃午飯.....有空再更～

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由於專欄當中有意圖詳細介紹理論催化中的基本理論。而d-band就是理論催化中非常重要的模型，因此本人就寫了一篇專欄：

d-band theory的前世今生 - 知乎專欄

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