中國有可能在未來幾年內進入3D NAND市場嗎？

01-13

按知乎的規矩，先謝~

大家都看得到，中國做存儲，做NAND存儲，是必然的。諸如進口晶元的代價，扶持中國芯等等的概念已經說了十幾年了，問題是距離產生效益的量產還要多久。

上個月，武漢新芯上馬，總投資240億刀，據說有目標在近兩年推出8 layer 3D NAND。日本人也在和合肥市互拋媚眼，準備做起中國的DRAM。消息是振奮人心的，但道路可預見也是坎坷崎嶇的。

即使按照最樂觀的預計，新芯在2017/2018 年可以量產，屆時世界上的主流3D NAND產品也預計是48/64 layer 以上，這也意味著同樣的存儲容量，新芯的die size也會在競爭對手的6到8倍以上，同樣意味著成本會遠遠超出競爭對手，這種產品只能在政府補貼下巨額虧本來賣（想想大家同時賣1塊的茶葉蛋，只不過人家成本是8毛，我們成本是5塊。。。）

而且我一直認為，半導體行業最核心的技術不是在設計，而是生產，怎麼提高fab的良品率是需要一個坑一個坑去填的。君不見 Toshiba 的3D NAND技術早就成熟，只是由於良品率上不去，成本下不來而遲遲難產嗎。而國內這一塊的人才也是最缺的，唉，當年為什麼我沒有去學工藝，悔不當初啊。。。。

而且，和大多數人一樣，可能是帶著有色眼鏡，我對國企可以把這件事做成多好也缺乏信心。如果明天有新聞說，華為準備進入存儲晶元領域，計劃籌備自己建fab，可能我覺得這件事情做成的可能性會更大。。。當然，新芯聚集了國內在存儲行業的一批專家，祝福他們吧~

做一個最樂觀的夢，在國家大力砸錢的支持下，武漢/合肥成了兩個中國存儲的新興中心，3D NAND 和 20 nm DRAM也於2018/2019年成功問世，然後彎道超車，在兩代產品後（2023/2024年）追上世界頂尖工藝水平，然後，存儲行業就沒有國外廠商什麼事了。什麼，你問最悲觀的情況？和一年前的情況一樣，只是國家划下的蛋糕進了不同人的肚子里唄。

最後，中國做存儲是必然的，區別只是或早或晚，由國家牽頭還是有企業牽頭而已，所有一切都是從零開始，今天不去做，明天碰到的困難還是那麼多。期待中國企業可以在存儲行業佔一席之地的未來。

武漢新芯估2018年量產48層NAND

紅色供應鏈來勢洶洶，外界原本認為，陸廠要到四五年後才能在記憶體搶下一席之地，不過有分析師預測，陸廠研髮腳步迅速，可能2018年就能量產3D NAND。

巴倫(Barronˋs)6日報導，美系外資晶片設備分析師Atif Malik稱，中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術授權。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發和交叉授權協定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate)的NAND IP。Malik表示，他們相信2017年底就能取得48層3D NAND的驗證，2018年進行量產。

目前只有三星有能力量產48層3D NAND，另一記憶體大廠SK海力士預料要到今年下半才能生產。

與此同時，Malik也指出，中國投入半導體市場，對設備商來說短多長空。中國砸錢大買設備建廠，應用材料(Applied Materials)、Lam Research一開始有望受惠。但是長期而言，設備業者將流失非中國業者訂單。這是「零和遊戲」，中國訂單大增，表示其他記憶體和晶圓代工大廠需要減少資本開支。(註：零和遊戲/zero sum game，一方獲利意味另一方將蒙受損失、兩者相加的總和永遠為零)

他強調，中國加入不會擴大全球半導體設備支出，因為中國向半導體的三大資本開支大廠，採購大量晶片。這三大業者分別是台積電(2330)、英特爾、三星電子。中國計畫2020年前，國內消費的40%晶片改為自製。

巴倫(Barronˋs)網站4月12日報導，Bernstein分析師Mark Newman表示，記憶體業者自相殘殺，等到中國廠商進入市場，情況將急轉直下。報告稱，中國可能是足以顛覆市場的競爭者，他們財力雄厚，等到供給上線後，市況將慘不忍睹。武漢新芯(XMC)的3D NAND技術大約落後領先廠商4~5年，他們打算狂燒資本加緊追趕，等到量產之後，市場供給過剩將更加惡化。

巴倫(Barronˋs)網站、韓媒etnews 4月報導，Brean Capital的Mike Burton表示，目前只有三星有能力製造3D NAND，其他業者要到今年下半才開始生產。3D NAND採用較舊製程(35~50奈米)，業者能以較低成本、提高產能。英特爾主管David Lundell表示，預計大連廠會在今年底量產3D NAND。