為什麼NAND快閃記憶體工藝越先進，壽命反而越短？

如題，幾年前的21nm mlc NAND快閃記憶體可以有5000次左右的PE次數，而現在更新工藝之後的15nm mlc NAND卻只有3000次左右的PE次數了。然而cpu與SDRAM晶元卻沒有這個問題，這兩者工藝越先進性能越高，壽命越長。請問這是為什麼？

工藝越先進 --&> 晶體管越小 --&> 絕緣層越窄 --&> 擦除越容易磨損絕緣層 --&> 電子越容易逃逸 --&> 壽命越短

工藝越先進 --&> 晶體管越小 --&> 浮柵中能容納的電子越少 --&> 電子逃逸後電壓變化大 --&> 壽命越短

見圖，這是flash工藝，比生產CPU/sram的cmos工藝多了層浮柵（floating gate）。floating gate和正常control gate以及substrate之間是絕緣層。

通俗的講，隨著工藝的發展，FG和絕緣層都變薄，FG能容納的電子變少，絕緣層對電子的阻擋作用變弱。

對flash的program過程和erase過程，會有電子在FG和襯底之間穿梭。絕緣層和FG變薄，你可以類別薄衣服更容易磨損。大白話，更容易理解。

CPU和SRAM的工藝沒有FG這層，Control Gate上電壓控制源漏之間的電子流動，不會擊穿絕緣層。也不能說是工藝越先進，壽命越長。

謝邀，因為工藝越先進，漏電越明顯。

先上結論：並不一定是。

製程工藝的不斷提升，考慮到成本降低，容量擴大，滿足市場的需求。必然會從MLC顆粒轉進到TLC顆粒甚至QLC顆粒。

題主問到的「cpu與SDRAM晶元片卻沒有這個問題」，缺忽略了這兩者的提升幅度相較而言非常有限。

而且民用消費級的固態硬碟，如果是256G容量的話，一般TLC顆粒的擦寫次數保守估計到300~500次之間，也就是一共能寫進128TB，基本上5年內天天滿負荷下載「澳門線上賭場」，都用不光。

所以對寫入壽命有要求的都是伺服器和數據中心的客戶群。這一點幾個大的原廠也早就注意到這一點，開始布局3D NAND TLC顆粒，以intel最新的高端企業級SSD P4600 4TB為例，擦寫次數達到了驚人的23.23PB！也就是5800次寫入次數。

同樣的，美光頂級的企業級SSD：9200MAX的6.4TB的也是用的3D NAND TLC顆粒的，寫入次數也要5400次，寫入壽命35.1PC。

如果使用MLC顆粒，成本首先會貴很多，終端消費者能承受么？再者，運用3D堆疊的技術，在同樣大面積的底板上，能極大的擴大容量。而且，超過5000次的寫入壽命，笑傲絕大部分MLC顆粒的固態盤，你確定壽命越來越短了？

所以說，消費者擔心的，廠家早就想到了，就看你的預算夠不夠。