iPhone6 128G和部分64G版本用的是最差的TLC快閃記憶體嗎？
SLC、MLC、TLC在壽命、速度、穩定性上的區別，被某些快閃記憶體晶元廠家和國內硬體論壇那些一知半解的「發燒友」們極度誇大了。
很多數據都是實驗性、參考性的，還有技術發展早期時遺留下來的。一旦進入大規模成熟商用階段，就意味著技術缺陷和性能差距基本都已經解決了，至少實際使用起來不會什麼差別。然而這些早期和實驗性數據被人別有用心地拿來互相攻擊，有的是廠商為了詆毀對手，有的則是用戶之間互相在找廉價的優越感。幾乎所有的參數問題，都會隨著製程、工藝、主控等進步而得到解決。
比如所有人最關心的SLC壽命長，TLC壽命短這個問題，「TLC壽命只有500~1000次」只是憑經驗和一些內部演算法推演出來的，根本沒有經過實際驗證。如果按照這種演算法，256GB的SSD硬碟只要寫入不到200TB就完了，但經過壓力測試之後，絕大多數SSD的壽命都遠超這個數字。比如著名硬體論壇XtremeSystems里的一個帖子，用MWI（損耗均衡計數）推算出不同SSD的理論最大寫入量，然後實際測試，結果見下圖：
這個帖子發表在兩年前，當時市面上MLC和SLC正打得火熱，TLC剛剛暫露頭角。現在嘲諷TLC的那些話，都曾經在MLC身上出現過。
如今MLC早已成為市場主流，TLC也正在快速崛起，佔領整個市場已經是不可逆轉的趨勢了。蘋果為什麼選用TLC？
一是TLC在同樣製程和容量下有更小的體積，十分適合手機；二是TLC以往的缺陷如壽命、速度、功耗等等，都隨著工藝、主控等技術的改進而得到了解決，不亞於甚至超過了早期的SLC。這種情形下，拿一個快閃記憶體晶元架構找哪門子優越感呢？
題外話：國內許多硬體數碼論壇的氣氛是我極度鄙視的：槍文橫行且不說，許多人原本就對軟硬體一知半解，又唯恐被別人認為無知，就拿著東拼西湊和廠家炒作的一些二手概念當真理，到處抨擊嘲諷其他品牌的用戶，以此獲得優越感。碰到土豪就跪舔，看見真技術大牛就不明覺厲，遇到新手求助就大言不慚地指點江山，拿黑話當內行，罵低級槍文，被高級槍文牽著鼻子走，這就是所謂的硬體屌絲吧。因為tlc在同【物理體積和製程】下可以提供更高的儲存空間。換句話說iPhone那麼緊湊很可能裝不下128GB的多顆MLC。。。
當然咯，還有更低的成本。
TLC本身還不是非常成熟， @蘇莉安 老師有些過於樂觀了。EVO的前車之鑒不還擺在那麼……固件為了降低寫入導致對數據的挪移不夠頻繁，因此造成老文件的讀取速度劇降。
理論最大壽命短只是你不選擇TLC的一個原因而已，更多的擔憂實際上來自於人們對TLC的掌控還不夠好。工藝成熟了誰不買便宜的啊。。。
還有一點，通常固態硬碟的壽命會比移動設備里的快閃記憶體更長。因為固態硬碟有著更好的固件、比較充足的緩存區。這些是同等大小的移動設備快閃記憶體所不能及的。
誰買個SSD準備用五十年啊……與其說是壽命擔憂、倒不如說是擔心數據本身是否安全。就跟iP6P現在的狀況一樣，出問題了就是出問題了，如果你用MLC不會出問題。目前MLC足夠成熟而TLC不夠成熟，就是這樣。過一年兩年說不定TLC也成熟了，但現在還不夠。
快閃記憶體最開始的制式是SLC，只記錄一位（bit）的電平，比如0V就代表0， 5V就代表1，這是最穩定的，相當於你在高速路上開車，每個路口都只有兩個方向，無需太多選擇，但是這樣的話每個單元只能記錄一個bit的信息，太浪費，所以早期的MP3播放器貴就是因為快閃記憶體貴，比主控都貴！到後來，技術的發展，廠家開始生產MLC，每個單元能記錄2位的信息（2bit），也就是4個電平，原來的5V要被分成4份來對應不同的信息，MLC逐漸取代SLC，這樣一直挺到10年左右，那時候MLC的技術已經十分成熟了，而且隨著快閃記憶體制式的推進，也越來越廉價，但是，商人的本質就是為了更多的利潤，於是，以三星、東芝為代表的廠家開始研究TLC，也就是每個單元記錄8個電平！初期推出的產品簡直是災難性，由於每單位記錄八個電平，寫入速度大大降低，這很好理解，因為對電平重置的過程比SLC複雜太多，而且電平之間的間隔太小，出錯糾錯過程漫長，而且一系列擦寫過程會造成不可逆的物理損傷，當時一度流行於華強北的黑作坊，沒啥的，就是便宜，充斥于山寨mp3和黑U盤裡，那些貪圖便宜的人叫苦不迭，因為實在是太不成熟，從理論上來講就很坑爹。技術是進步的，局面慢慢的轉變，到11年的時候，TLC開始大量鋪貨，金士頓和國產台電為代表的存儲廠家已經開始在中低端全面使用TLC，具體表現為，寫入速度極低，而且用久了會掉速，也就是那時候，金士頓開始有了黑心廠家之說，而且金士頓之流的技術之粗糙不忍直視，TLC在2012年已經足夠成熟了，但是金士頓為了省錢，從主控到晶圓全部是渣貨，你想想，U盤裡重要資料突然有一天打不開，而且亂碼，那就純杯具了，據我所知，現在還有廠家生產MLC 盤，但是價格略貴，我個人是在淘寶上買了個主控盤，再淘了兩個8g的slc flash，自己焊了一個U盤，銀燦IS902E主控 USB3.0 16GB SLC 可量產USB CDROM 硬體防寫U盤（淘寶有風險，下單需謹慎）寫入賊快，3.0速度輕鬆達到150m/s寫入，最重要的是，終於不用擔心數據丟失了。再說回來，TLC雖然已經成熟，相對於自身缺陷來說，讀取的話和SLC沒任何區別，只是寫入太坑爹，大概只能是MLC的一半，接下來是重頭大戲，三星推出了著名的840EVO系列固態硬碟，絕對是牛逼！通過自己牛逼的主控+牛逼的硬體設計，成功的將TLC用於固態硬碟，而且返修率極低，這說明 TLC的確是代表著未來。
你想想，原本一個單元只能記錄1bit，現在可以記錄3bit，這就是科技的發展
在11年以前，手機廠商都老老實實的用MLC，但是坑爹了，這時候TLC內存卡開始全面進擊了，便宜又容量大，首當其衝的便是安卓手機，為了顯示自己「大方」，很多手機廠商開放了外接存儲卡，殊不知那些消費者插的都是tlc內存卡啊啊啊，安卓的卡頓功勞，TLC絕對有很大一份，數據莫名丟失，應用打開遲滯，尤其是拍照這種快寫入的操作，直接會導致死機！！！這也是谷歌一直不倡導的開放存儲介面的做法，不是黑心，是為了你們好，如今某米64g對比16g已經是良心價了，某錘32g只比16g多出100元，蘋果為什麼不開放存儲介面，這是很大的原因。2012年，很多手機廠商都沒了節操，包括三星，呸！居然始作俑者開始在旗艦機上用TLC，what『s the fuck！！！三星字型檔門是什麼原因，三星手機卡頓是什麼原因！！！三星手機打開重啟是什麼原因！！！TLC商用到手機還有一段距離，就為了省掉那幾塊錢，三星開始喪心病狂的使用TLC！！！一直到note3才有所收斂，山寨機就不說了，大部分用的是TLC的emmc，4g rom，一想到整個操作系統活在這麼憋屈的快閃記憶體上，我就提心弔膽。
為什麼蘋果會用到TLC，這是一個很值得深思的問題，快閃記憶體晶元通常封裝無比巨大，直逼CPU，早期製程落後的時候，iphone的拆機里，最大的晶元就是快閃記憶體，去年某族上馬128gb版本，結果發現封裝比一般的快閃記憶體要大，據說改了內部設計才勉強塞進去，ipad空間大，留了兩個焊盤，16g短缺，蘋果就用兩個8g，現在製程進步了，32g最成熟，於是64g的版本就用兩個32g，但是128g呢，iphone可能只留了一個焊盤，就算留了兩個焊盤，2個64gb，那成本蘋果多心疼啊，於是一咬牙一跺腳，含淚上了TLC，最不差錢的那些用戶徹底坑爹了，哈哈哈
你造三星是怎麼解決TLC固態硬碟的嗎，三星用價值不菲的內存條來做緩存，對於零碎文件來說，寫入速度絲毫不亞於MLC，可以假裝寫得很快，但是一到連續寫入就暴露了，這也是三星最聰明的地方，用戶的日常操作大多是零碎寫入和讀取，讀取的話，TLC沒有缺陷，哈哈哈
蘋果這個硬體缺陷，應該可以通過修改flash主控演算法來實現，到時候可以對比一下，128gb的和其他版本的固件可能不同用戶只關心為什麼同樣的錢，買到的東西有性能上的差異，不覺得這不公平嗎，難道我花錢買東西還要拼人品
這種問題就應該作為造謠舉報好嗎！誰說的蘋果用TLC了有證據就拿出數據說話行嗎？？？
Phone 6 Plus採用的海力士H2JTDG8UD1BMS快閃記憶體晶元
這塊記憶體屬於iPhone 6 Plus專屬型號，所以外界對它的分析比較少。不過筆者還是在Techinsight網站上找到了它的詳細數據：16nm製程，MLC存儲單元。這項資料基於掃描電子顯微鏡（SEM）和透射電子顯微鏡（TEM）等設備的觀測結果給出，可以算是相當權威了。
海力士H2JTDG8UD1BMS快閃記憶體晶元採用MLC存儲單元
由此我們認為，報道對iPhone 6 Plus的描述是完全失實的，其存儲晶元採用的並非三層單元（TLC），而是多層單元（MLC），與iPhone 5s所採用海力士H2JTDG8UD3MBR一致。然後，蘋果要為了這個大面積召回iPhone 6 Plus？我讀書少不要騙我……
以上引用產品家文章，回頭用電腦補引用鏈接，另外國外相關數據也有拆解和掃描的，我回頭一起補了，手機實在做不了這麼複雜的工作
推廣TLC最狠的三星前不久剛整了一次掉速門，蘋果對技術的保守和可靠度的要求是出了名的，這東西可靠性根本不可能值得蘋果冒這麼大風險去使用。這造謠完全站不住腳啊。
好吧，好像新聞已經闢謠了。鑒別自己的iPhone 6是否使用TLC晶元
TLCCheck"default-bits-per-cell"=3代表是TLC首先TLC在SSD上表現良好並不代表在iPhone上就可以，因為它們有幾點不同：用TLC的SSD很多都有一塊小容量SLC做緩存；手機的電池無法提供靜態均衡磨損；SSD用的主控晶元都快跟你SoC一樣大了；SSD是多通道的。
不過蘋果用TLC也不是簡單地為了省成本，通過查詢了不少資料，64GB似乎用的也是MLC
(128GB x Stack 8 =128GB）
考慮到MLC的體積比TLC要大，我覺得現階段128GB用TLC的可能性很大。
根據目前公布的拆解圖來看，iPhone 6 全線產品使用的都是來自海力士的 H2JTDG8UD1BMS nand快閃記憶體，鄙人不懂快閃記憶體編碼的意思，google了一下，得知是MLC的快閃記憶體。
所以，基本上應該是謠言其他回答中一堆人說已經辟謠了的，可以放個辟謠新聞的連接嗎？搜不到。
蛤蛤，我廠就是水果內存的供應商之一，確實用了TLC。
TLC技術成熟度大家不用擔心，水果這一代用的是19nm/1Ynm製程，下一代的15nm/1Znm的TLC都出來了好么。按照研究一代，開發一代，量產一代的節奏，水果上的TLC已經算倒數第三代晶元技術，您說能不成熟么？性能上其實也不用過多擔心，我們有圖顯示在單個文件500m以下的讀寫速度H家MLC vs T家MLC vs S家TLC沒有明顯區別。
說到TLC的壽命問題和速度問題，我們可以從最基礎的存儲單元結構來說。這主要看的是晶元製程和固件驅動方式。2D nand上製程越先進，cell的間距越小，單個cell裡面的電子越少。以下做一個比喻
下面來看快閃記憶體結構
回到壽命與速度的主題。速度來說，電子多了，達到5V的速度越快。而且固件可以把電壓加得狂野一點，一腳油門到底，跟某廠SSD的雞血固件一樣，據說TLC跑出了SLC的速度。壽命來說，電動機電流大了轉子容易折，快閃記憶體也是一樣道理，驅動電壓大了，電子就飈嘛，製程做到19nm的間距，拘束電子的能力和噪音屏蔽的能力必然會被犧牲掉一部分。所以大力之下，電子易流失易蒸發。本來電子數就不多，TLC(3個電壓level)對電子流失蒸發比MLC(2個電壓level)敏感，那麼反覆擦寫之下，敏感的TLC醬會漸漸不行的喲。TLC醬壽命較短的道理就是這樣。
順帶一提，Toshiba和sandisk 的3D NAND的單cell 電子數得到了質的飛躍，是原來的大概50倍，所以我們可以期待更狂野的固件，和更耐操的3D醬，以及QLC（4個電壓level，就是4個bit）.
SanDisk的3D NAND快閃記憶體開始出擊東芝3D晶元堆疊策略：像建樓一樣造快閃記憶體-IT168 存儲專區P.S 有人畫快閃記憶體娘擬人嘛？電子數就是乳量，速度就是腿長，大胸長腿的3D大姐姐棒棒噠報道中提到了出現故障的128G ip6p有裝了500~1k個應用。我想起了有說法是ssd容量近乎裝滿後連續擦寫有掉速的事情，好像會更容易導致壽命降低。會不會和這個有關。（不過按理說也沒有這麼容易出問題
我用的是MLC 6+ 朋友用的128G的6 在原始狀態下 開機速度都TM不一樣. MLC開機速度明顯比TLC的要快. 你說花最多的錢買的產品 體驗低於低一級的版本 這是哪門子事?蘋果這事不解釋 是因為他沒有辦法解釋 如果技術不成熟 為何不暫緩 先不要做這個128G版本?
tlc相比slc mlc..可以做出更大的存儲空間
我用的就是iPhone6 128G，國行。用了評論里的工具測了一下，就是TLC，東芝的。而且我的手機是8月16左右產的，差不多算首批。當然，對於TLC差不差我不懂，我也不去糾結，反正用著沒啥不好。
Apple Said to Be Stopping Use of TLC NAND Flash in iPhone 6 and 6 Plus After Reported Issues看看這個消息，但是也不知道消息本身是否可靠。其實，大可不必糾結於此。
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