U盤與GBA遊戲卡的記憶原理有何區別？
記得以前玩GBA時
卡帶使用時間長了 內置的紐扣電池沒電了記錄就丟了 但即使換電池 記錄也會因換電池丟失唯一的不是辦法的辦法
就是一直把卡插在GBA上 為什麼卡帶上的遊戲記錄會因為沒電丟失 而U盤上的數據不會？卡帶上為何不採取U盤的儲存技術？聲稱是IC晶元記憶的卡帶能否不丟失記錄呢？
我靠本專業知識，趕在知乎硅工團到達現場之前答一個。這個問題本質上是問易失性存儲器（Volatile Memory）和非易失性存儲器（Non-Volatile Memory，NVM）之間原理上的區別。一般的說易失性存儲器的原理比較簡單，非易失性的原理則多種多樣。還好題主只問了Flash，我偷懶只答個Flash好了。易失性存儲器目前應用最廣的兩種是靜態（Static）和動態（Dynamic）隨機訪問存儲器（Random Access Memory），常用縮寫分別為SRAM和DRAM。
DRAM的原理都是用三極體做開關，用電容做存儲介質。他的結構如下圖。
（圖片來自What is RAM made of and how does it work?，如拒絕轉載請聯繫我）
SRAM與DRAM不同的是他不使用顯式的電容，而是用兩個首尾相連成環形的反門。容易理解每個SRAM單元可以有兩種穩定狀態，左高右低和左低右高。兩種狀態都是直接由反門供電維持的，讀取也不會流失，所以不需要刷新，這就是為什麼SRAM叫做靜態內存。SRAM比DRAM性能要高一點，但是面積也大。DRAM只需要一個三極體，SRAM要八個。所以SRAM要比DRAM貴得多。他們倆的共性是信息用電存儲。DRAM使用電容，SRAM的信息實際上是直接接到供電網路或地線的。如果晶元掉電，SRAM和DRAM存儲信息的電全要流走，信息就沒了。這就是為啥他們叫做易失性存儲器。Flash的原理跟SRAM和DRAM都不一樣。他的基本單元結構是這樣的：
Flash的浮動門極裡面的電量就是這樣來的。在需要寫入的時候，給底下的硅基板通大電流。這使得硅基板中的載流子得到很高的能量，工程上叫做把載流子變「熱」了。這些熱載流子要越過絕緣層進入浮動門極需要借的能量就很低，工程上把這個方法叫做熱載流子注入。如果需要寫入高，那就給控制門極通低電平來吸引空穴；如果需要寫入低，那就給控制門極通高電平來吸引電子。
浮動門極裡面的電量既然與外界絕緣，那是如何讀取的呢？這是利用浮動門極中電量形成的電場。控制門極控制硅基板中的導電溝道開閉是要超過一定電壓的，這個電壓叫做閾值電壓。由於浮動門極中存在電量，它會影響控制門極給硅基板施加的電壓，從而在效果上改變閾值電壓。我們只要給控制門極通一個較低的電壓，觀察導電溝道是否打開，就能觀察到浮動門極中是否存有電荷。至於Flash的NAND和NOR型，取決於上面描述的Flash存儲單元的接法，NOR型是並聯接法，NAND型是串聯接法，不是真的說接出一個與非門、或非門來。這兩種接法及Flash控制晶元的原理與非易失性關係不大，在此就不展開了。GBA 卡帶是直接映射到 CPU 地址線上的 ROM，遊戲機啟動加電後直接跳轉過去 ROM地址開頭去執行裡面的指令，資源就是靜態內存地址，通常幾乎沒有 loading 過程。
3DS/PSV/光碟 這些介質都是需要額外調用 I/O 功能讀入的。所以有 loading 過程，而且很討厭，比如 PS 上 KOF97每局開頭 loading 半天，我這不就想快點開始玩么。
簡而言之：傳統卡帶：ROM，直接內存地址訪問，速度快成本高，大小有限現代卡帶：需要 i/O 載入到內存才能訪問，你可以理解成磁碟，速度慢成本低，大小無限。看了一下，原來沒有搞嵌入式的。
U盤是NAND FLASH。
卡帶是SRAM配合電源管理晶元，電池的存儲和電源管理電路。
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因為拆過早期的日本設備，這是一個經典的電路設計。
數據保存在SRAM中，增加一個類似MAX791的電源管理晶元做為電源管理。
有外部供電（卡在GBA上）時，
電源管理晶元用外部電源給卡帶供電。沒有外部電源時，電源管理晶元用電池給卡帶的SRAM供電，保存數據。
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為什麼用SRAM保存數據呢?因為SRAM可以快速的存儲當前數據，而且頻繁寫NOR FLASH的話，會影響FLASH壽命。
而且,早期cpu匯流排頻率太低，存儲FLASH也慢，影響操作感。
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因為卡帶售價很低，所以MAX791價格太高，可能會採用更便宜的電源管理晶元。如果不考慮成本，會採用可充電的鎳氫電池，這樣卡帶插在GBA上時，電源管理晶元就能給電池充電。
卡帶常用的話，電池不損壞的前提下，電池會一直有電。不過我找到的質量最好的德國充電電池也只能標稱使用壽命三年。
不用謝我，我叫雷鋒。
如果你們給我幾張卡，我可以做個詳細拆解。
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U盤么！ so easy!一個NAND FLASH而已。
價格極低的存儲介質。
不過GBA時代，NAND FLASH還沒有普及，而且價格不菲。GBA上用到的晶元都是內存，無論可寫不可寫。
遊戲內容斷電不會丟是因為這部分內存是ROM，然而ROM的內容CPU只能讀不可寫。存檔用的記憶晶元是RAM，CPU可度寫，需要供電，所以要電池。遊戲卡真正能做到斷電保存信息的晶元，據我所知只有鐵氧體內存（ferrite-core memory），價格高得難以置信。U盤是快閃記憶體，快閃記憶體其實是EEPROM（電可擦寫內存）的後代，但只有NOR快閃記憶體可以作為內存隨機讀取，現在最常見的NAND快閃記憶體則不行，需要專門的控制晶元來讀寫，這樣就屬於外存了。
介紹一些基本知識：（我怎麼記得這些理工類大學都應該講過……）
CPU能夠直接讀取的信息必然來自內存（按位隨機讀取），內存包括ROM和RAM，前者斷電信息還在，後者斷電信息消失。外存（比如硬碟光碟機U盤）的信息必須先通過專門的介面讀取到內存中，然後才能為CPU使用。原則上，遊戲卡都是內存。
ROM是只讀型的內存，內容在生產線上就固化在裡面了。
EPROM需要紫外線擦除原有內容再寫入。EEPROM可以通過普通電路擦除再寫入，但成本極高。FLASH是一種特殊的EEPROM，和標準EEPROM的區別在於，EEPROM的擦除/寫入和讀取都是按位進行的，FLASH則是按頁擦除寫入。FLASH分兩種，NOR型和NAND型，NOR型可以按位讀取，因此在讀取的時候，對於CPU來說他就是內存，寫入則需要通過專用晶元。NAND型只能按頁讀取，因此它只能當作硬碟用。GBA卡帶後期也大量使用NOR快閃記憶體，所以部分GBA盜版卡其實和U盤一樣是可擦寫的，但是需要專門的寫卡器。這部分快閃記憶體並不能用來記憶遊戲進度，仍然需要RAM記憶晶元。
GB（GBC）卡帶：ROMGBA卡帶：ROM NOR FLASHNDS卡帶：NOR FLASH一般遊戲卡帶有一個保存記憶的是SRAM（靜態存儲器）晶元。SRAM需要持續供電，一旦掉電，內容就消失了。GBA卡帶的SRAM容量一般是256kb。
看起來大家都回帖不看帖的樣子，題主問的是GBA遊戲記錄是怎麼保存的，不是GBA遊戲是怎麼保存的……
卡帶保存遊戲記錄，早就不僅僅是斷電易失的SRAM一種方式了。大家都知道PS和PS2的記憶卡不需要電池也可以保存記錄，那是因為採用了EEPROM、FLASH這種電擦寫斷電不易失的存儲器，而就算是卡帶，NDS全部遊戲也都存儲在卡帶內部的FLASH上了。FLASH存儲卡帶遊戲記錄這樣的技術不是NDS專有的，而也有用在GBA卡帶上。
任天堂ゲーム機セーブデータバックアップ用メモリー表
從第二代開始，EZ-Flash增加了以下功能：
採用了硬體支持存檔方式，不管哪一款以FLASH ROM存檔的遊戲，其存檔的動作會自動被硬體轉換為適宜於SRAM，從而直接寫入燒錄卡的SRAM。這樣不論有什麼樣以FLASH ROM存檔的遊戲，燒錄卡的軟體都不用因此而進行升級了
順便說下，盜版卡大多會把遊戲打補丁成SRAM記憶再燒錄，所以很多遊戲正版拆開沒電池，但是盜版有。
GBA模擬器則直接可選記憶方式，強制把一個FLASH記錄的遊戲改成SRAM可以幫助你在上述的打補丁方式燒錄卡和模擬器之間來回導記錄。
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