驍龍810功耗的問題到底出在了哪?

當年的核彈Tegra4滿載功耗也就在5W上下,如今810單核A57就高達5W,僅僅單核A57滿載一分鐘不到就突破100度,更別提四個A57全開了。問題到底是出在台積電20nm的工藝上還是自身設計問題。810被三星上代的5433都完爆,更別提這代的7420了,簡直就是吊打。


解釋下這個單核5W的問題。 大家不要誤以為810的A57一滿載就能到5W。這就黑過頭了。 這個5W的功耗是長時間烤雞後得出的功耗,當時的溫度已經到了100℃左右了。(溫度越高功耗也會相應增大)。 而一般我們認為的滿載功耗指的是常溫下的功耗。粗略的測試,CPU核心溫度沒有過熱的情況下,單核滿載大約是3.3W。 但是即便是3.3W,這依然是非常高的了。 對比下: Exynos5433 A57@1900MHz單核滿載2.53W Exynos7420 A57@2100MHz單核滿載2.07W MSM8992 A57@1824MHz單核滿載2.46W Tegra K1 A15@2218MHz單核滿載2.59W MSM8994 A57@1958MHz單核滿載3.34W 不管怎麼洗地,810的CPU部分的設計都是相當失敗的!(808反而問題不大,也是日了高通了) 810能拿的出手的一個是傳統的基帶,另一個就是Adreno430了。只不過CPU部分太拖後腿,木桶的短板太短了。導致CPU成了GPU發揮的瓶頸(類似於i3拖980Ti)

這個問題首先不能甩鍋給台漏電,因為Apple A8也是人家代工的,另外有Tegra X1(X1的CPU部分目前還不太清楚)

第二不能怪arm,人家5433和7420沒這麼慘。不過其實就架構而言,A57確實是近幾年公版Cortex里能效最低的了(當初認為A15已經很低了,沒想到A57怒來墊底)。

那就只能讓高通去吔屎了……


瀉藥

不至於被5433超越...對比7420關鍵問題即是在製程上,同架構14nm對陣20nm優勢太大了,5433想追平810那還是差了點。

以及GPU比5433強不少

當然從市場角度來分析應該說是arm和蘋果打亂了高通的步伐,64位cyclone架構出現以後arm也開始推廣自家的64位公版架構即cortex a53/a57,對應32位的cortex a7/a15,也就是低功耗低性能/高功耗高性能,MTK和三星用慣了公版架構以及big.little,很簡單的就過渡到了64位晶元,但是高通沒有做過big.little,所以倉促間趕出來的810在調用方案上慘不忍睹,大小核的切換也十分生硬

高通之前一直在開發64的自主位架構即kryo,但是明顯速度要慢於arm,這裡面多少有優化方面的原因----如果kryo也是採用aSMP的話

為了應對805-820之間這個較大的空隙,高通不得不以最快速度推出64位晶元方案,於是採用公版架構+big.little的810便成為了這個犧牲品,然後當時tsmc的16nm Finfet流水線尚未投入生產更是導致810高功耗高發熱的直接原因,a57並不算是一款成功的架構,至少對於手機而言,幾乎不加控制的高性能帶來的高TDP設計對於手機而言根本就是敗筆,無奈a53又依然不給力,於是採用老工藝來生產這樣一塊電老虎,效果可想而知。

所以不能單純認為810的失敗就是高通能力低下的體現,高通不可能不知道在手機設備上自家採用的aSMP模式的優勢有多大,不採用應當就是受制於市場

希望820鋪貨以後我們能欣慰的看到有多少人的臉將被打腫吧


在其設計上不敢斷定,畢竟不是參與810開發設計人員應該都不是非常清楚設計問題出現在了哪一環。

不過有一點是可以肯定的,在後期實現中810因為這個不知所以然的設計問題帶來了相對更高的功耗所以產生了更高的熱量。我們知道——溫度越高晶體管的閾值電壓越低,而電壓越低則又帶來了電流泄露的增加。

那麼810因為這個設計問題帶來更高功耗因此產生更大的熱量繼而又使得電壓降低泄露電流更大繼因為泄露電流功耗增加又導致了發熱~ 可以說,這是一個死循環。這種情況應該極力避免,所以TDP很多時候都是反映這種關係——810在平板上表現應該會好一些的,散熱面積相對手機來說更大。即使不能緩解本身設計的問題,那麼在後期發熱帶來的功耗也能稍微緩解●﹏●


首先,誰跟你數單核功耗5w了?

不過值得一提的是,雖然810沒到單核5w這麼變態的程度,其發熱依舊不可忍受。

本人手機為LG G Flex2,cpu型號為高通810 V2.0版本,調頻策略為interactive,已root並刪除預裝軟體。筆者從原來的八核全開,到之後的關閉兩個大核,再到現在關閉所有大核,其發熱情況並沒有根本改善。

注意:是並沒有根本改善。

就拿用4g網刷知乎的情況說,其完全可以在5分鐘內到達「局部燙手」的程度。這一現象在使用低於定位時更加明顯。可見把發熱都推到a57核心上是不明智的,因為810內a53的發熱並不低。

所以本人的看法是:

高通810的發熱源自內部走線的粗劣優化。

高通810的發熱源自內部走線的粗劣優化。

高通810的發熱源自內部走線的粗劣優化。

(注:樓主今早剛把四個a53核心的最大頻率限制到1258mhz,並將調頻模式改為ondemand。 成功使「用4G網刷知乎」的發熱情況從「局部燙手」轉變成「局部溫熱」,可喜可賀。)


其實810 820這種旗艦SoC並不是為手機優化的,而是更高效能要求的裝置。


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