三星祭出512GB嵌入式通用快閃記憶體，華為怎麼破？

01-05

據國外媒體消息，三星電子今日宣布，其旗下用於下一代智能手機和平板等移動設備的512GB嵌入式通用快閃記憶體。這無疑對華為不是好消息，用還是不用，還是混用，emmc怎麼破？

華為怎麼破？無非就是給皇帝版（爵士們都不配）享用唄。

反正512G現在產量也不可能高，單位價格更不可能降。

以往每年這個季節還會拿摺疊屏的那幾張老概念圖來保持熱度，今年就只有這個「黑科技」了？

真是有辱乎格的提問，三星公關現在也學會在知乎變著法兒提問抬熱度了，每年花著天價營銷費最後還要向米粉學習了，迫真辱星。

雖不宜迴避快閃記憶體技術突破對華為的影響，但如果把快閃記憶體技術的突破視為對華為的單純負面消息是缺乏辯證觀的，也有引戰嫌疑，這是把思維限死在「華為快閃記憶體門」事件中了。其實放遠看，512GB快閃記憶體通用塊的量產反而是利好華為。

原因如下：

1. 華為在電信基礎設施建設領域將獲得更大的市場，因為更大的硬體存儲能力會帶動更快更強的網路通信設備需求。5G時代對應的存儲單位應該是TB，相匹配的網速單位應該是Gb/s。

三星的這個512GB不是內存（RAM）, 而是NAND快閃記憶體，可以粗略理解為手機平板的硬碟。

512 GB eUFS標準嵌入式通用快閃記憶體的量產意味著手機內容存儲配置再上一個新台階，直逼固態硬碟版的PC，很多手機用戶們的需求將進一步得到釋放，未來2k影視將逐漸普及，4k影視也不再顯得超前，OS升級空間更大，手機內建的資料庫可以編輯得更完善。。。。。。追求更大數據通信的潛力得到進一步釋放，現有的網路基礎設施已經難以滿足那個時候多數手機用戶的需求。手機用戶們需要更快更強的網路傳輸功能。（總有人說512 GB根本用不上，這就好比5年前有人說64GB的存儲根本用不上一樣，在電子產品的發展歷史中，無論是CPU主頻、GPU處理器核心數、內存速度和大小、快閃記憶體速度和大小、顯卡流處理器數量等等，總有人說某某參數的配置功能過剩，根本用不上那麼多之類的話，結果幾年後，人們會發現當年的高配參數已經不夠用了。）

華為作為電信基礎設施建設及設備領域的巨頭，無疑將在電信基礎設施大升級的需求中獲得巨額訂單。

2. 快閃記憶體容量的進一步提升會加速人工智慧科技革命，或者說強人工智慧的AI深入學習需要大存儲，而華為正是高調進軍AI領域的企業。也許華為Mate10發布的AI功能有些噱頭成分，但至少華為是決心猛攻這個領域的。AI技術的兩大核心是演算法和資料庫。（筆者不是AI領域的，只是根據AI科普講座粗略地將AI劃分為演算法和資料庫兩個功能區，講得不好請見諒）。AI功能中的資料庫類似於人類大腦的記憶，將自己所遇到的案例、經驗、實例、知識存儲到資料庫中，資料庫中的數據越大、越完善，AI演算法能夠應付的複雜情況通常也就越多。

在128GB快閃記憶體空間時代，除開OS、照片、電影等文件，手機內要構建AI資料庫是有些捉襟見肘的。隨著現在手機快閃記憶體進入大容量時代，大數據的應用將不再面臨存儲瓶頸。AI應用將得以在手機內構建龐大的資料庫。也就是說快閃記憶體技術革新將加速AI技術浪潮。這對高調進軍AI領域的華為當然是利好。

3. micro-SSD手機存儲卡將被淘汰，有了大空間快閃記憶體通用模塊，移動通信設備還要手機存儲卡的卡槽做什麼？去掉卡槽，將為手機的存儲空間提供更多的工業設計空間，比如，騰出來的空間可以用來增加電池體積，增加續航。對商務機來說絕對是好事，這對主打商務機的華為手機也是利好。

4.NAND晶元的全面升級將使手機市場整體價格水漲船高，打響漲價第一槍的通常是蘋果，華為自然也會跟進。如此，手機廠商的銷售額都將攀升，2017年的元器件漲價過程中，華為、小米、OPPO等手機廠商的銷售額都是大幅上漲的。雖然這不一定是利潤的攀升，但即便在利潤不變的情況下，銷售額的攀升將更加有利於融資、政府補助等行為。最直觀的現象，媒體常引用的全球企業500強排名是依照銷售額排名的，而非利潤的排名（這就是為什麼很多不賺錢的日企依然還留在500強中的原因），華為的銷售額將因為手機市場整體價格上漲而進一步增長，其在500強中的排名也進一步前移，這對華為的融資能力、品牌價值都是有正面作用的。

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此次發布的512GB存儲模塊的NAND晶元屬於TLC。下圖是SLC, MLC ,TLC 信號存儲原理區別：

SLC（Single Level Cell）的每個單元格只能存儲0和1兩個值，而MLC（Multi Level Cell）通常每個單元有兩個位元，共存儲2的2次方、即4個值，信息容量是容量是同等SLC架構晶元的2倍，TLC（Triple-Level Cell）1個存儲器儲存單元可存放3位元，共存儲2的3次方，即8個值。信息容量是容量是同等MLC架構晶元的2倍。

（但使用壽命卻是反過來，SLC&>MLC&>TLC，SLC固然好，但如果要實現大容量存儲，SLC的造價太高。）

但筆者認為，512GB已經接近TLC 64層V-NAND晶元的瓶頸了。下圖是三星電子在2016年3月量產的64層V-NAND晶元STM微觀圖：

以後也許 64層V-NAND的TLC快閃記憶體通用模塊能夠達到1T容量，但要想再往上增長，要麼增加3D-NAND的層數，要麼把NAND晶元的1X納米製程推進到7納米或8納米製程，從成本角度來講，推進納米製程應該不是三星首選，因為三星會把專攻7納米製程的EUV光刻機 NXE 3400B 優先運用在7納米邏輯晶元製造上。沒辦法，晶元光刻機霸主荷蘭ASML的最新版EUV光刻機NXE 3400B 產能不足，供不應求，三星電子即使作為ASML的股東，也只搶到了不超過10台，三星電子已經是搶到2017年出貨EUV光刻機最多的半導體廠商了，詳見下文：

在貴州吃臘肉：光刻機霸主ASML即將進軍國內，背後有什麼原因？

Fab里剩下的ASML ArF-immersion 1980Di光刻機只能用來造1X納米製程，既然推進納米微影的方法在設備供應鏈上遇到問題，三星還可以在增加3D-NAND晶元的層數上攻關以擴大快閃記憶體晶元容量，但是3D-NAND晶元在試驗96層的過程中，越往上堆疊，堆疊的成本增加斜率越高，實現同等良率的代價越高。Applied Material公司的成熟解決方案最高只做到了64層，再往上堆疊的過程中，1X納米製程 V-NAND的散熱問題已經開始出現，而這個問題三星在攻關 GDDR6 DRAM內存晶元的過程中是較少遇到的。

因此，筆者預計，三星為了實現更龐大的1TB 快閃記憶體通用模塊，下一步優先目標應該是加速攻關QLC 快閃記憶體的量產技術。（2018年即將量產的新一代QLC（ Quad-Level Cell）1個存儲器儲存單元可存放4位元，共存儲2的4次方、即16個值，信息容量是容量是同等TLC架構晶元的2倍。）

這樣即便只做到96層，依然可以在較高的良率、較低的成本基礎上實現1TB 快閃記憶體通用模塊。那時的「皇帝版」說不定都到2TB的NAND存儲了。華為也將有更多的空間去給高端用戶定製手機（話說華為在體制內高端用戶中還是有一定保有量的）。

科技進步這種事，不應該用冷戰思維去思考，何況從長遠考慮看，華為確實會從三星的的存儲技術進步中獲益。只是新技術的產能總是供不應求的，預計2018年，三星的512GB的手機快閃記憶體產能未必能滿足自己家的手機需求，到了2018年的年底，其512GB產能估計也就滿足三星加蘋果的手機配件需求，由於華為的元件採購出價是難以比得上蘋果的財大氣粗，所以，華為要拿到貨可能要排到2019年去。

備份專用微博號：在貴州吃臘肉666

微博鏈接: https://m.weibo.cn/u/6081726418

跟華為有關係？恕我無法理解題主邏(yi)輯(tu)

為什麼扯上華為？挑撥離間？

謝邀。

不過有點莫名其妙。

三星快閃記憶體集成度更高和華為有什麼關係？

年輕人不要剛來知乎就搞事情呀

看完回復，已然嗅到了三星鵬泰工讀生大軍來臨前的恐懼，以後知乎要被他們支配，那才是夢魘。

記得爆炸七出事的前期，三星已經成功將髒水潑到華為頭上，當時各大V各論壇都在罵華為陷害，連客服說華為勾結用戶用微波爐陷害三星截圖都滿天飛，其他各路水軍自來水輪番噴，差點成為行業公敵。

嚇的華為趕緊出聲明自辯，如果不是後來各大航空公司出手相助，華為絕對背定了這個鍋永世不得抬頭。

那時就欽佩專業水軍之快准狠，某凡某銘差距不是一點點記得當時在hupu，無論哪個帖子討論爆炸7，最後都被幾個ID引導變成罵華為，在其他論壇尤其貼吧，逼得幾個炸雞的用戶百口莫辯無法發聲。也嚇的華為腿軟。化害為利借勢抹黑競爭對手。再引導下加上一群自以為是正義感爆棚的無知網民，簡直無情。

華為？

預備 ~ 開始噴！！！

早晚要把手機當成移動工作站用。

買買買

我還以為是蘋果怎麼破。。。既然是華為，那一首涼涼送給大家！

那我華為就祭出4個後置攝像吧，徠卡加持，爵士人生你值得擁有

耍猴廠的問題請不要邀請我回答，謝謝

想黑華為就直說，提出這樣的問題簡直噁心

華為，三星。

我選小米。

除了買還能怎麼辦？

這對華為簡直是利好。三星快完蛋了，我們知道當年intel祭出4g主頻的事。也記得gt440狂牛版。

三星這無異於告訴大家:我要完蛋了

三星的512GB快閃記憶體是eUFS標準,

根據華為的優化定理，emmc5.1 + UFS =eUFS，

一切毫無壓力。