晶圓為什麼是圓的?
為啥不是方的?
周圍一圈不能用啊?
對於這個問題,我的回答就是:「因為叫做晶圓不叫做晶方!」
嘻嘻,開個玩笑,不過嚴肅說起來晶圓並不是完全的圓形,你看到的晶圓是這樣的:
為什麼我知道的晶圓是這樣的?
或是這樣的:
為什麼晶圓是圓形的?
因為製作工藝決定了它是圓形的。因為提純過後的高純度多晶硅是在一個子晶(seed)上旋轉生長出來的。多晶硅被融化後放入一個坩堝(Quartz Crucible)中,再將子晶放入坩堝中勻速轉動並且向上提拉,則熔融的硅會沿著子晶向長成一個圓柱體的硅錠(ingot)。這種方法就是現在一直在用的CZ法(Czochralski),也叫單晶直拉法。如下圖:
然後硅錠在經過金剛線切割變成矽片:
在經過打磨等等處理後就可以進行後續的工序了(CPU製造的那些事之一:i7和i5其實是孿生兄弟!?)
單晶直拉法工藝中的旋轉提拉決定了硅錠的圓柱型,從而決定晶圓是圓形的。
為什麼後來又不圓了呢?
那為啥後來又不圓了呢?其實這個中間有個過程掠過了,那就是Flat/Notch Grinning。
它在硅錠做出來後就要進行了。在200mm以下的硅錠上是切割一個平角,叫做Flat。在200mm(含)以上硅錠上,為了減少浪費,只裁剪個圓形小口,叫做Notch(參考資料2)。在切片後晶圓就變成了這樣:
如果你仔細看我的第一個圖,你也會發現它其實是有缺一個小豁口的。
為什麼要這樣做呢?這不是浪費嗎?其實,這個小豁口因為太靠近邊緣而且很小,在製作Die時是註定沒有用的,這樣做可以幫助後續工序確定Wafer擺放位置,為了定位,也標明了單晶生長的晶向。定位設備可以是這樣:
這樣切割啊,測試啊都比較方便。
結論
嚴格意義上所有的Wafer都不是圓形的。如果忽略Flat/Notch這些小問題,那它的圓形是工藝決定的。
本文首先被發布在:為什麼晶圓都是圓的不是方的?
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參考資料:
[1]:Why are processor wafers round?
[2]: Wafer (electronics)
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這個問題老師上課時候特意問過的。爲什麽是圓的不能做成方的或其他形狀。其實只是圓形更方便。
1.拉晶工藝生產出來的是近似圓柱的單晶(晶柱),圓的形狀,有利於均勻分佈,之後再表面拋光,切割之後變成一個個圓盤。
2.圓形是等周長時表面積做大的二維圖形,加工時能夠充分利用原料,在一片晶圓上能分出最多的晶片(晶元)。
3.作為圓柱的單晶便於運輸,比有稜角的不易磕磕碰碰,邊角碎掉什麽的,方便很多。
4.在實際的加工製成當中,會發現圓形真的會方便操作。如旋干,spin coating之類的,圓形能保證均勻性神馬的。。
今天做實驗打破一片。。好難過T.T。。在做實驗的時候,如果有稜角,還是很容易磕碰掉的,si比較脆。
圖就不上了。
你都第二個問題,周圍一圈不能用。。。當然不能用,,pattern都不完整,裡面的電路只有一部份,怎麼能用~~~不過這也是個好問題,正是如此代工廠才追求更大面積的晶圓,讓周圍沒用的部份的比例減少,以此來提高良率,賺更多錢。
這是因為做晶體生長(這種大塊大晶一般用楚科拉爾斯基提拉法製造)的大鍋是個圓形。
那個系統有點像做巧克力的大鍋。模具是圓的,自然造出來就是圓的。
那麼問題來了。為什麼不能用方的模具?這個裡頭也有竅門。你要了解提拉法怎麼運作。首先是把多晶硅(純度要非常高,高中化學講的是粗硅製造,用粗硅,過改良西門子法,製造高晶硅,注,我國目前仍然無法批量獨立生產高純硅,全世界能完全做的也就德國美國和日本的幾家工廠罷了)加在一個大鍋里。然後加熱到熔點附近。接著放進去一根提拉杆(這就是提拉法名稱的來源),提拉杆的一頭加一個晶種,實驗室培養的高質量小晶體。接著放入熔點附近的液態硅里。接著,一邊轉動提拉杆,一邊冷卻。提拉出來的就是圓柱體晶圓。再切割就可以做出題圖要的那種圓形晶體了。很顯然一根長方體桿不好轉。邊角料丟進去再來一輪即可。
這個事很像做巧克力。
可參考四川大學趙北君教授(我本人本科時代最怕的教授,也是最尊敬的教授,對我幫助極大,師恩無限至今感激)的關於晶體生長理論的系列書籍。晶體生長理論也是20世紀凝聚態物理的一個巨大突破。
固態材料生長理論里最偉大的是幾大生長模型。我個人認為是20世紀絕不亞於光電效應,俄歇效應的超級成果。
我當時本科的時候喜歡逃課(去數學系旁聽),而且晚上經常打遊戲。也因此經常上課遲到。但是唯獨趙北君教授,趙奶奶早上八點的材料製備科學與技術是絕對一節都不敢逃的。她十分嚴厲而十分慈祥。這方面的書除了著名物理學家嚴濟慈先生早年的幾本書以外,能看的參考資料也就是趙奶奶的著作了。國外的教材,有一本是Shodhganga寫的。貌似全世界做這個技術的人不多。
但是,煉硅,是絕對的暴利產業。單純從理論分析。
晶圓的製作工藝主要是拉晶 https://zh.wikipedia.org/wiki/%E6%9F%B4%E5%8F%AF%E6%8B%89%E6%96%AF%E5%9F%BA%E6%B3%95 , 這是一個在熔融物中生長晶體的過程,故溫度應在略低於熔點處。而一般認為,大部分固體在達到熔點之前,就會出現 http://en.wikipedia.org/wiki/Premelting,即形成一個液體薄層覆蓋於固體表面,固體外形則會重整使得表面能(液體-氣體,固體-液體)最小( Wulff construction )。如實驗觀測到的固體熔化,也往往是從稜角變圓開始的。因此很有可能圓形就是接近熔點時,晶體硅和熔融物硅達到平衡的外形。
而我們熟知的有稜角的晶體,往往是在鹽溶液中生長的,此時遠離熔點,圍繞晶體的另一個相是溶劑而不是晶體本身的熔融物。晶體外形由各晶面的能量決定。商業化的鹽晶體,往往就是具有很好晶體外形的。單晶鹽 - NaCl 基底
綜上,我認為晶圓的形狀是由製作工藝決定的。如果晶圓是方的,你可能又要問,為什麼晶圓是方的,他總要有個形狀吧
開玩笑開玩笑,我隨便說說的其實是有平邊的
你可以看電子封裝技術叢書——《電子封裝材料與工藝》(原著第三版)這本書的1.6.1晶錠的生長和晶圓片的製備,裡面應該有說到這個問題。我一個外行的都能看懂。這本書有PDF中文版的,可以在網上購買或者下載,祝你好運 ( ????? )
假如它是方的你又要問為什麼是方的,他總要有個形狀吧
你可以叫它晶方,只要別人聽得懂
從摺疊演算法和面積覆蓋最大化角度來說,更利於優化和處理
摸過中國科技館那根硅柱子
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