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將一個正方體電阻挖去其中的1/27體積,怎樣挖可以使電阻最小?

  • 假設可以使用超導體讓立方體電阻左右兩個平面分別等電勢

  • 挖空部分可以不連續

將一個正方體電阻平均分為九份,挖掉中間一塊,現在的電阻是多少? - 物理學


謝邀。。。這個系列問題也太搞了。。。

答案非常簡單,只要挖掉從正極到負極的正柱體即可,比如這樣:

藍色是負極面,紅色是正極面。

至於你挖掉的柱體是方的還是圓的,在邊緣還是在中心,都一樣。反正電阻是之前的27/26。證明過程如下圖:

(注意,圖中的紅色部分,是理想導體,電阻為0。)

上圖中,最右邊的不等號的來源,是由於電流遇到挖掉的洞要繞彎,造成的電流路徑增加,形成額外電阻。具體可以看將一個正方體電阻平均分為九份,挖掉中間一塊,現在的電阻是多少? - qcmsqas 的回答。或者簡單點理解,在原本的電阻中間插入幾塊電阻為0的理想導體,幫助它導電,電阻總歸是減少,至少不會增加。

而左邊的不等號,可以從數學上證明:

對於正數x_i,m,C和正整數n

sum_{1}^{n}{x_i} =C且任意x_i<m時,frac{n}{m-C/n} leq sum_{1}^{n}{frac{1}{m-x_i}}

如果上面的不等式覺得難證明,可以先嘗試證明下面這個n=2的特殊情況:

 frac{4}{2m-C}= frac{1}{m-C/2}+frac{1}{m-C/2} leq frac{1}{m-x}+frac{1}{m-C+x} ,當m>x,m>(C-x)

這個證明過程初中數學應該就夠用了。

於是我們得到了電阻最小的挖洞法:挖掉正柱體,得到電阻是之前的27/26。


蠻有意思的問題。

(1)先建立模型

我們來看下圖:

此圖是一個正方體,它的邊長都是1,電阻率為
ho ,於是此立方體的電阻為:

r=
ho frac{1}{1	imes 1} =
ho

可見此立方體的電阻就是電阻率
ho

我們來看下圖:

其中A層也即圖4由完整的9個立方體構成,相當於9個立方體並聯,其電阻為:R_{A} =frac{
ho }{9}

而B層也即圖1、圖2和圖3都是去掉其中一個立方體,相當於8個立方體並聯,其電阻為:R_{B} =frac{
ho }{8}

我們發現,不管B層用何種方式取掉一個立方體,其電阻均為:R_{B} =frac{
ho }{8}

根據題主的題意,我們知道系統由兩個A層和一個B層串聯而成,以此總電阻R為:

R=2frac{
ho }{9} +frac{
ho }{8}=frac{
ho (2	imes 8+9)}{72} =frac{
ho 25}{72} approx 0.3472
ho

(2)現在我們來考慮題主的問題,如何挖使得總電阻為最小?

由於不管怎麼安排,不外乎2個A層和1個B層如何串聯而已,總電阻既不會增加,也不會減少,都是0.3472
ho

(3)如果結合電流流向因素又會如何?

相信,這才是關鍵。如果電流從前後兩個平面流入和流出,或者沿著兩個對角線流入和流出,電阻的阻值還會一樣嗎?

沿著前後兩個平面流入和流出,電阻應當是不變的。但沿著對角線流入和流出會怎樣呢?

我們發現,電流沿著對角線流入和流出,由於長度增加了,並且截面也是逐步增加的,雖然沒有去計算,但是估計電阻是會增加的。顯然,這和題主求電阻最小是矛盾的。我們就不再考慮這個方案。

順便說一下,沿著對角線計算電阻需要用定積分才行。

(4)新方法

我們還是讓電流沿著前後兩個平面流入和流出來考慮。

題主的題目中說過,求挖去正立方體體積的1/27,但是並未說挖去的體積一定也是立方體,所以我們可以用另外一個思路來求解。

我們知道,電阻與導體長度成正比,與截面面積成反比。如果我們把正立方體沿著長度方向削掉一層,使削掉的體積正好等於正方體體積的1/27,這樣截面積不變,而長度減小了。總電阻當然也減小了。

我們看下圖:

立方體的總體積為:3^{3} =27,故其1/27的體積就是1。又知道立方體的截面為:3X3=9,因此削掉的長度為1/9。於是有:

R=
ho frac{L}{S} =
ho frac{3-frac{1}{9} }{3	imes 3} =
ho frac{27-1}{9	imes 9} approx 0.3210
ho

顯然,這下小了很多。一下子減少了frac{100	imes left( 0.3472-0.3219 
ight) }{0.3472} approx 7.55%,很不錯的方案。

沒時間再考慮了。把問題還給知友們吧。看看還有什麼好辦法。


在正方體的一極切掉1/27厚的一層,電阻為原來的26/27。


把正方體的沿電流方向的角都拋成弧形的,拋掉1/27就行


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