誰能和我通俗解釋下集成電路封裝技術的TSV技術；有沒有什麼資料可以學習下的？

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TSV的終極奧義：在有限的空間里完成不同功能晶元的互連。

------------以下為展（吹）開（水）--------------------------------------

能提出這麼個高級問題，那自然對半導體及封裝有基礎的概念了。

然而還是不如從頭開始討論：

1.封裝發展歷程

進入正式討論之前，我們先來前戲。

對於封裝，從低級到高級，都是一個晶元（IC）+殼（Package）。

受限於工藝限制，早期的設計是晶元封裝後，通過引腳，連接到線路板上。

90年代隨技術進步及消費需求，BGA橫空出世。

最大的進步，是封裝四周的引腳連接改進為封裝底部錫球連接，極大提高利用面積利用率。

2. 2D
IC與SiP

哈哈，說好的好好討論，廢話了好多基礎知識。不過學而時習之，不亦樂乎嘛。

90年代後的發展，結構基本一樣。CSP、WLP等進一步縮小引腳尺寸，提高組裝密度。

2D IC發展到極致的封裝如圖，其晶元面積和封裝面積比已經達到極限。

既然小標題都劇透2D了，那自然還有3D IC。這圖中的IC堆疊方式雖然已經開始利用空間，然而仍然顯得不怎麼高級。

畢竟這裡只能堆疊相同功能的晶元，而且還有各種連線飛來飛去。金玉其外敗絮其中有些誇張，好歹到這一步，已經比2D開始有革*命性的突破了。

3. 初級3D IC
SIP

上圖，中介硅層當作被動原件，少了敗絮；

下圖，兩個不同晶元互連。

你看，有了基礎知識後我話都少了很多。

4．完全體模型

不解釋。就問你怕了沒有。這只是個模型哦。

不過不要怕，這種完全體的真身目前看來還是浮雲。

註：不要看這些圖畫的跟漢堡一樣厚，實際上中介層的厚度一般都只有0.2mm-0.7mm，整個封裝實際上非常非常非常小。

相關圖文來源於：層疊的藝術：帶你深入了解3D IC

我來個通俗的解釋。

打個比方來說，在2D集成電路中，數據住的是平房，而3D集成電路中，數據住的是樓房。假如一個村裡的數據越來越多，就需要更多的平房，數據從村東頭走到村西頭需要的時間也會越來越長。然而如果把村裡數據搬進摩天大樓，勢必會減少佔地面積，而且數據出去串門也只需要坐電梯，節約了時間，甚至摩天大樓里不光有住房，還可能有餐館，醫院，辦公區域等等。

TSV呢就是摩天大樓里的電梯。

TSV(through silicon via)，硅通孔技術，就是在矽片上打孔，然後在孔內填充導電材料，實現不同矽片之間的電氣互連。

再通俗點，就是一個矽片滿足不了要求了，你要用好幾個矽片做三維的封裝，讓這幾個矽片之間的信息可以流通，就需要用到硅通孔技術。

關於資料，由於TSV只是我們課程之中的一章，老師並沒有介紹具體的相關書籍。可以查閱和三維封裝有關的書籍或論文，裡面會有設計到硅通孔技術的

上述為百度來的圖片，侵刪。圖片已經很清楚滴回答了題主的第一個問題了。如下為掃描電子顯微鏡拍攝的copper filling的TSV，孔深100μm，孔徑20μm，表銅1.5μm。這個填孔技術比較複雜。填出這個銅柱子，可以獲得良好的電氣性能以及散熱性。至於題主的第二個問題，我才疏學淺，沒注意什麼資料......各位大神去補充吧。。。

TSV封裝技術，應該全是目前最先進的半導體封裝技術～

技術難點就是硅通孔的製成！比較深，對設備的要求很高，成本比較高，所以還沒有被普遍應用～

電鍍的話縱深比10：1以上就比較難以電鍍，當然還有很多難點，就不一一列舉了，我是做這方面的研發的，目前我們能做到300um深的大孔！

不對的地方歡迎來噴！

看文獻，先中文後英文，一般書籍好像沒有講