有沒有替代極紫外光刻技術方法?
12-30
就目前來看解決極紫外光源光源功率是個大問題,157nm也被業界認為是不可行的!那麼有什麼可以替代的光刻技術可以敲開7nm節點的大門!
這是兩個月前的新聞ASML Claims Major EUV Milestone | EE Times,ASML在EUV光刻取得重大突破,解決了EUV最大的問題:光源功率不足的問題。最新的EUV光源達到了250W的功率,這個功率可以支持每小時125片晶圓的產量。估計不久之後就可以用在光刻機上了。
這個突破可以說是相當的不容易。僅僅在5年前,EUV光源的功率只有25W,相當於現在的十分之一。ASML為EUV奮鬥了三十年,本來計劃在45納米用上的結果一拖再拖。為了加快進度ASML收購了生產光源的Cymer,並接受了Intel,Samsung,TSMC的大筆注資,據估計整個半導體業界在EUV上的投入不下兩百個億。而現在EUV終於可以說是「修成正果」了。說真的看到這個EUV的奮鬥史讓我感動得想哭。
有沒有可能通過另類地設計模板使得衍射光強分布恰好是要刻的分布
intel 說了,7nm節點193i就能搞定了,沒有EUV大不了老子繼續193i……
推薦閱讀:
※中國的半導體技術怎麼樣?在世界上處於什麼水平?
※保研北大微電子mems方向碩士。有沒有出路?
※如果mosfet柵極懸空,加直流高壓,危險嗎?
※半導體是夕陽產業嗎?
※為什麼 CPU 只用硅做,而不用能耗更低的鍺做?