2017年3月11日的新聞報道「中國芯力量」是否意味著中國很快就能完成5納米刻蝕機的開發工作？

12-29

這個消息令人很是興奮，因為提問者不太了解光刻和刻蝕的區別，請看鏈接中視頻的後半部分：
《中國財經報道》 20170311 感受中國製造：中國「芯」力量_中國財經報道_視頻_央視網

剛看到嚇我一跳，點開仔細看了一下是半導體刻蝕機，不是半導體光刻機。

有進步值得鼓勵，但是核心技術設備半導體光刻機還得加油啊，任重而道遠。

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附上部分專業名詞的Wikipedia和Baidupedia

光刻：https://zh.wikipedia.org/wiki/%E5%85%89%E5%88%BB

光刻_百度百科

刻蝕：https://zh.wikipedia.org/wiki/%E5%88%BB%E8%9A%80

刻蝕_百度百科

半導體器件製造：https://zh.wikipedia.org/wiki/%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E5%99%A8%E4%BB%B6%E5%88%B6%E9%80%A0

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附上intel的一個22nm的廣告，裡面很生動的展示了集成電路是怎麼被生產出來的。

intel：The Making of a Chip with 22nm 3D Transistors

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我這個沒什麼乾貨的答案大家點了這麼多贊和感謝讓我惶恐不已，給大家貼上幾個本題下更好的答案以作補充。

@Tau Lu 的答案：2017年3月11日的新聞報道「中國芯力量」是否意味著中國很快就能完成5納米刻蝕機的開發工作？ - Tau Lu 的回答 - 知乎

@張可樂的答案：2017年3月11日的新聞報道「中國芯力量」是否意味著中國很快就能完成5納米刻蝕機的開發工作？ - 知乎用戶的回答 - 知乎

@一顆小芒果的答案：2017年3月11日的新聞報道「中國芯力量」是否意味著中國很快就能完成5納米刻蝕機的開發工作？ - 一顆小芒果的回答 - 知乎

剛好看到這個問題，簡單答一下吧，所報道的設備叫等離子體刻蝕技術（ICP），不是傳統半導體製造的光刻工藝，贊第一的答案給了幾個維基百科，應該能很好的解釋了。傳統的硅基半導體光刻工藝，應該包括一系列的勻膠，前後烘烤，掩膜板（MASK）下固化光刻膠，外延生長（常見通常包括磁控濺射和電子束蒸發，還有視頻里提到的化學氣相沉積，針對不同材料有不同的工藝要求），後再去膠等流程。intel，台積電，三星的14 nm都是利用光刻達到的，畢竟設計好的電路用掩膜板（MASK）直接做的話，對於生產流水線肯定是最快、產量最高的。而納米級別的刻蝕則是包括視頻中所提到的ICP，還有FIB（聚焦離子束）刻蝕，同樣針對不同材料而言採取不同的刻蝕手段，ICP相對來說用的還狹窄一些，它的氣源決定了他所能刻蝕的一些材料。不過能做到5 nm確實已經很不錯了（不過不知道是針對什麼材料的，因為儀器的驗收標準是特定材料特定結構下的極限尺寸，並不是適用於所有的材料的圖形結構），畢竟我們這邊用EBL這種號稱特徵尺寸可以達到10 nm還是8 nm的，做一些材料也是很難做的。

每個微電子的老師都要感慨，國內的IC技術發展刻不容緩，國家也已經投入了很多資源在這裡面，估計按這個風頭，近幾年還會大力追加投入。只是不希望看見「漢芯」了。

一般的刻蝕步驟大概是這樣

先要通過光刻得到5nm圖形才能刻出5nm來。

刻蝕機一般關注的是下邊幾種情況

case1，均勻性。譬如一個12寸片，中間刻蝕得到一個4.5nm高4.5nm寬的圖形，在邊緣卻得到了5.5nm高5.5nm寬的圖形，估計你這一片一做不出幾個性能一致的晶體管來
case2，你想可刻蝕一個90度的側壁，但是要麼得到一個80度的，要麼得到一個100度的，
case3，刻蝕過後的表面坑坑窪窪跟狗啃了一樣，表面態密度超大
大概就只想到這幾點
請原諒這放蕩不羈的畫風

這個新聞報道感覺很外行，很出偏差。

開頭新聞說是「等離子刻蝕機」。「刻蝕機」是襯底上光刻膠曝光顯影之後在襯底上刻蝕圖形的。

但是聽後面那幾個白褂人又是「10nm」又是「7nm」的，感覺又像是再說光刻機。光刻機是曝光光刻膠的，一般講「xxnm」都是再說光刻機。

這個新聞是說的前者「刻蝕機」。「5nm刻蝕機」我是第一次聽到這個說法，不知道刻蝕機的「5nm」是指的什麼參數，印象中「刻蝕機」貌似也從未聽說過「xxnm」這樣的參數。

光刻機是絕逼不可能的。恕我直言，個人感覺就算5年後，5nm的光刻機大陸也是造不出來的。現在大陸擁有量產能力的28nm工藝，還是反壟斷"威脅"高通，在其幫助下達到的。

總之，報道有「香港記者」之嫌。

這個視頻後面還有兩句話。

小透明收到了贊，決定修改答案，好好答一下。業內人士肯定都懂，寫簡單點給關心此問題的圍觀一下吧~

問題里應該指的是等離子體干法刻蝕機簡稱ICP，這種類似的設備技術。

它的作用呢，就比如，你想刻個印章，需要用「刀」把木頭啊玉石啊什麼的表面一部分給挖下去，留下你的名字凸出來。ICP就是這把刀，去刻矽片或者藍寶石之類的材料。

比如我想刻個O字，就需要把粉色陰影部分刻掉，那麼就需要有個O字型的掩膜，保護矽片O這個部分不被刻掉，如圖。

可以看出來，如果想做精細的圖形，就要依賴精細的掩膜，掩膜是用光刻製作的，這也就是為啥大家疑惑爭論光刻和刻蝕這兩個技術概念。

就像一個答主所說，5納米，或者14納米，7納米，指的是一個技術節點的名字。如果我的光刻技術做到5納米，當然也需要刻蝕技術的配套啰。不過光刻機技術更高端難搞，所以國內先攻破了刻蝕機難關，也是棒棒噠！

以下是原答案：

刻蝕是把矽片或其他材料用離子轟擊之類的方法從表面刻蝕掉，光刻是利用光刻膠做圖形，光刻的5納米是圖形最小分辨的線寬吧，紫外光刻5納米真的可以么……刻蝕的5nm指的是哪個參數啊，所以問題里的刻蝕，指的到底是光刻還是ICP之類的刻蝕啊。。。。（疑問臉）

先看看，衛星有點大

半導體工藝過程分塗膠，光刻，刻蝕，參雜等，光刻才是核心中的核心，中國差 20年以上。看這2毛錢的口罩，我擔心超凈間的凈化級別是否達標～

有同學在裡面工作過，從他那對這個公司的了解，水分估計不小。。。

批量生產和實驗室出品完全不是一個概念

中微的機台在八寸線上還是可以的，十二寸的嘛。。。行業內都懂的

一群外行，連光刻和刻蝕的區別都不知道就強行答題，真是掃興。光刻機從業人士來說一句：中微半導體好樣的！

一臉懵逼。ist三家要投入上百億刀才能穩定量產10nm，這個公司哪來這麼多研究經費？

謝邀
半導體的相關科研有多混亂只有身在其中的人知道。央視記者也是記者，既然是記者必然就不可能知道行業相關的內幕。
恕我直言，在拿到商用化的產品之前，這些新聞要麼是吹的要麼是假的。半導體相關的尤甚。
真正干實事的，諸如海思展訊之流的公司。是不需要依靠央視來提高自己知名度的。

5納米和7納米只是技術節點的名字，對應的線寬到底是多少我估計這個記者也不知道吧。強烈懷疑這又是一個漢芯。

這意味著中國再也不能靠賣襯衫賺大錢了，競爭激烈到想賺錢得去整真高科技了。

蝕刻不是光刻

蝕刻設備精度最高的是日立。發現各位對一個半導體，CPU如何製作出來的工藝，需要的材料，設備很不了解。其實看看英特爾的最佳供應商就知道了，一塊CPU要製造出來需要N多東西。INTEL的牛逼，離不開其供應商，有些是獨家供應。其他廠商想買都買不成。

比如東麗，帝人的炭纖維，超高精密儀器，數控機床，光柵刻畫機（這個最牛的也是日立，刻畫精度達到10000g/mm ），光刻機等等，這些是美日嚴格限制出口的。

以下是牙膏廠獲得 SCQI和PQS 獎最佳供應商：

1 SCQI獎（英特爾用的蝕刻設備和顯微鏡，監測裝置就是日立的）。

2 PQS獎

可以看到一個塊CPU要製造出來，需要N多設備和材料。蝕刻機的應用只不過是其中流程之一。 前十大半導體設備生產商中，有美國企業 4 家，日本企業 5 家，荷蘭企業1 家。美日的強大真不是隨便說說。

我一開始看到題目感覺很意外。我記得半導體工藝只有光刻這步會製造納米結構，其它步驟都是把光刻產生的納米結構變成真實的器件。也就是只有光刻才有「5納米」，「7納米」這種說法，其它的什麼離子注入，離子刻蝕並不存在解析度的說法。不過後來想想也不是這麼簡單，更高的解析度對工藝的精度的要求更高。比如最初人們是用氫氟酸刻蝕硅的，但氫氟酸刻蝕會產生橫向的腐蝕，這對於小尺寸的器件是致命的，後來就被離子刻蝕代替了。所以我覺得他表達的應該是這個意思。

至於你們一直念叨的光刻機，我感覺中國不大可能自己去開發一套。EUV歐洲人搞了這麼多年，砸了這麼多錢，到現在才剛剛小規模的應用。感覺中國有可能用別的辦法，比如同步輻射光源進行光刻。同步輻射光源原本是光刻的備選方案，同步輻射性能滿足要求，但成本非常高。但我覺得中國造幾個同步輻射裝置也比自己開發一套EUV來的划算，畢竟中國只要滿足自己的需求就行了。

題主分不清光刻和刻蝕的區別，首先打一個不恰當的比方，題主或許會明白一些。光刻是一種圖形轉移技術，類似於照相機把鏡頭裡的風景轉移到膠片上的過程。而刻蝕就是把不需要的圖形去除留下想要的圖形，類似於洗膠捲。這個5nm刻蝕機的作用就相當於顯影液的地位吧，我國國產相機你懂的，我甚至都沒見過國產相機更何況光刻機這種比相機鏡頭複雜幾個數量級的光學系統。我看過的國內外教材，從未用納米量級來衡量刻蝕機性能的，這新聞真的有放衛星的嫌疑，而能做10nm工藝及以下光刻機的公司目前全世界只有一家荷蘭的ASML，一台設備幾億人民幣吧，並且對中國大陸禁運。唉！