堆棧式 CMOS、背照式 CMOS 和傳統 CMOS 感測器有何區別?
這三者具體的區別是什麼?最終如何影響成像效果?如何比較優劣?比較不同圖像感測器質素的時候這三點區別可以佔多大比重的影響?如果跟感測器面積一起考慮呢?
簡單來說,傳統(前照式)CMOS、背照式(Back-illuminated)CMOS、堆疊式(Stacked)CMOS之間,最大最基礎的差別就在於其結構。
影響最終成像效果不僅僅靠CMOS,還需要考慮鏡頭以及拍照演算法等。
其實並不是越先進的結構也一定更好,這得看用了什麼工藝(比如180nm沉浸式光刻還是500nm干刻)和技術(比如索尼「Exmor」每列並列獨立的模擬CDS+數模轉換+數字CDS的標誌性的降噪讀出迴路)。優異的工藝和技術可以使得即便不使用更新結構的CMOS,同樣擁有更好的量子效率、固有熱雜訊、增益、滿阱電荷、寬容度、靈敏度等關鍵型指標。
在相同技術和工藝下,底大一級的確壓死人(微單吧名言)。
人類的進步就是在不斷發現問題,解決問題。
背照式以及堆棧式CMOS的出現,也是為了解決之前CMOS的種種問題。
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一、傳統(前照式)CMOS與背照式(Back-illuminated)CMOS
傳統CMOS真正的名稱應該是前照式CMOS,這兩個放一起介紹風味最佳~
先看一張前照式和背照式的橫剖對比圖示。
一般的CMOS像素都由以下幾部分構成:片上透鏡(microlenses)、彩色濾光片(On-chip color
filters)、金屬排線、光電二極體以及基板。
傳統的CMOS是圖中左邊的「前照式」結構,當光線射入像素,經過了片上透鏡和彩色濾光片後,先通過金屬排線層,最後光線才被光電二極體接收。
大家都知道金屬是不透光的,而且還會反光。所以,在金屬排線這層光線就會被部分阻擋和反射掉,光電二極體吸收的光線能就只有剛進來的時候的70%或更少;而且這反射還有可能串擾旁邊的像素,導致顏色失真。(目前中低檔的CMOS排線層所用金屬是比較廉價的鋁(Al),鋁對整個可見光波段(380~780nm)基本保持90%左右的反射率。)
這樣一來,「背照式」CMOS就應運而出了,其金屬排線層和光電二極體的位置和「前照式」正好顛倒,光線幾乎沒有阻擋和干擾地就下到光電二極體,光線利用率極高,所以背照式CMOS感測器能更好的利用照射入的光線,在低照度環境下成像質量也就更好了。
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二、背照式(Back-illuminated)與堆疊式(Stacked)
堆疊式CMOS最先出現在索尼推出的移動終端用CMOS上,Exmor RS為其註冊商標。
堆疊式出現的初衷其實不是為了減少整個鏡頭模組的體積,這個只是其附帶好處而已。
CMOS的製作和CPU的製作類似,需要特殊的光刻機對硅晶圓進行蝕刻,形成像素區域(Pixel
Section)和處理迴路區域(Circuit
Section)。像素區域就是種植像素的地方,而處理迴路顧名思義,就是管理這一群像素的電路。
為了提高像素集合光的效率,需要引入光波導管。光波導管的干刻過程中,硅晶圓和像素區域會有損傷,此時則要進行一個叫做「退火(annealing
process)」的熱處理步驟,讓硅晶圓和像素區域從損傷中恢復回來,這時候需要將整塊CMOS加熱。好了,問題來了,這麼一熱,同在一塊晶圓上的處理迴路肯定有一定的損傷了,原先已經「打造」好了的電容電阻值,經過退火後肯定改變了,這種損傷必定會對電信號讀出有一定影響。
這麼一來,處理迴路躺著都中槍,像素區域的「退火」是必須的。
還有一個問題,索尼目前建有的移動終端用CMOS的製程是65納米干刻,這個65納米的工藝對於CMOS的像素區域的「種植」是完全足夠的。但是處理迴路區域的「打造」,65納米是不夠的,如果能有30納米(實際提升至45nm製程)的工藝去打造電路,那麼處理迴路上的晶體管數量就幾乎翻番,其對像素區域的「調教」也就會有質的飛躍,畫質肯定相應變好。但因為是在同一塊晶圓上製作,像素和迴路區域需要在同一個製程下製作。
處理迴路:「怎麼吃虧的總是我!」
如此魚和熊掌不可兼得的事情,假如解決了多好!於是索尼的工程師打起了晶圓的基板 (BOSS登場)的主意。
先來看這張結構圖。原來處理迴路是和像素區域在同一塊晶圓上打造的。
那麼不妨把處理迴路放到那裡去?
首先利用SOI和基板的熱傳導係數差異,通過加熱將兩者分開。
像素區域放到65納米製程的機器上做,處理迴路則放到製程更高(45nm)的機器上做。
然後在拼在一起,堆棧式CMOS也就這樣誕生了。
上邊遇到的兩個問題:
①像素「退火」時迴路區域躺著中槍。
②在同一塊晶圓上製作時的製程限制。
均迎刃而解!
堆疊式不僅繼承了背照式的優點(像素區域依然是背照式),還克服了其在製作上的限制與缺陷。由於處理迴路的改善和進步,攝像頭也將能提供更多的功能,比如說硬體HDR,慢動作拍攝等等。
像素與處理迴路分家的同時,攝像頭的體積也會變得更小,但功能和性能卻不減,反而更佳。像素區域(CMOS的尺寸)可以相應地增大,用來種植更多或者更大的像素。處理迴路也會的到相應的優化(最重要不會在「退火」中槍了)。
同樣單位面積的前提下,堆棧式面積利用率比BSI更高
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