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為什麼佳能寬容度不如尼康?

技術上佳能CMOS 比尼康用的索尼CMOS 到底差距有多巨大?
佳能5d4是不是完全沒有希望在寬容度上追上來?
另外佳能,尼康和索尼比,寬容度排序是怎樣的?
謝謝回答


最近正愁找不到轉那工藝謠言文的,找到一個舉報一個。
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然後我決定仔細作答了。
本文版權由深圳市蘭拓科技發展有限公司所有,禁止任何轉載。謝。

自從佳能感測器動態範圍差這個「秘密」被很多人知道之後,一篇文章也隨著慢慢的浮出了水面——

現在網上搜索「佳能工藝之殤」就能夠很容易的找到這篇文字:

這篇文最早的出處已不可考,其幾點核心觀點如下:

1、佳能感測器採用500nm工藝製造,而索尼/三星/COMSIS已經進步到180nm甚至110nm;

2、佳能感測器暗部雜訊大的原因是微透鏡加工時精度不夠;

3、佳能高感性能可以逼平或者超越索尼的原因是處理器降噪。

初看這篇文章確實有點唬人的感覺,而且跟很多玩過CPU/顯卡的同學,都能在一次一次的工藝換代當中感受到性能的巨大提升,這也符合大家的直覺。

但把CPU/顯卡的例子直接拿過來類比圖像感測器,其實是不太妥當的。

CPU/GPU的本質是功能複雜的高頻數字電路,改進的工藝能夠有效減小晶體管面積和功耗(寄生電容),從而能夠達到更高的工作頻率。

而對於數字電路來說,時鐘就是生命。同樣架構,同樣核心數緩存容量的兩塊CPU,基本是每提升1%頻率就能提升1%理論性能的節奏。

而圖像感測器呢?

以圖像感測器OV0517為例,其時鐘周期是50納秒,換算成工作頻率,就是2MHz。

跟現在隨便飆上1GHz的GPU核心和隨便飆上4GHz的CPU核心相比,實在是微不足道。

至於微透鏡就更扯了。但凡對圖像感測器工藝有所了解的人或許都知道,折射式微透鏡的製作工藝主要是氣相沉積技術,和半導體工藝毛線關係都沒有。

光刻法確實也能生產微透鏡,不過呢:

參考文獻:李學民,《微光學元件及製作工藝研究》

反正打死我我也不信佳能會放著工業級別的CVD或者PVD技術不用,去用這種費力不討好的光刻法去生產微透鏡。

對於原文觀點1、2的反駁說明到此結束。至於觀點三,一會再講。

雖然大家說佳能感測器的動態範圍低,但也並不是全範圍都低的。據dxomark測試,結果大概是這樣的:

D810的動態範圍確實在低感下大幅度甩離佳能1DX,但奇怪的是隨著ISO的提升,優勢迅速縮小,直到ISO超過800之後1DX完成反殺,領先幅度在1EV左右。

如果工藝論成立的話,這個現象相當的令人不好理解。如果把原因歸結於處理器降噪,那麼為什麼低感動態範圍那麼差呢?

曾經老夫也是對這個問題百思不得其解,直到前幾日重讀圖像感測器技術,才恍然大悟。

人丑就要多讀書果然是沒錯的。

好,下面進入正式的解析。

根據動態範圍的定義,Dynamic Range=滿阱容量/本底雜訊,而現今各感測器滿阱容量差別並不大,所以問題就集中在了本底雜訊上。本底雜訊越低的感測器,便能夠具有更高的動態範圍。

那麼本底雜訊是由什麼決定的呢?嚴格分析起來,圖像感測器的雜訊,其實包括三部分:

一:非均勻響應 Pixel Non-Uniformity Response

即CMOS製造過程中的物理誤差,導致各個像素存在不一樣的零輸入響應。這個因素決定的是理想感測器的信噪比上限。

PNUR在CMOS總雜訊中的含量一般小於1%,可以忽略不計。

二:散粒雜訊 Shot Noise

是CMOS器件最主要的雜訊,主要是由光的量子特性產生的——無論CMOS工藝再精進,也無法避免這一塊雜訊。

懂一點量子力學的同學可能都知道薛定諤方程的解|ψ|對應的是一種概率波,也就是說,你知道時間t內大概會接收到1000個光子,但你無法確定一定會接收到1000個,可能是998,也可能1002。自然界的本性如此。

海森堡不確定性原理(△x△p≥h/2π)的存在,更加加深了這種情況。因為你測准了光子落入哪個像素(位置x),光子的能量(也即動量p)就開始變得不確定。上帝不讓你看清,你還真是沒轍。什麼大法也沒用。

從統計物理上講,散粒雜訊的強度是信號強度的平方根,信號越大則雜訊越大,但是信噪比也在提高,對成像而言雜訊的絕對強度並不重要,重要的是信噪比。

值得強調的是,對散粒雜訊而言,重要的是整塊CMOS接收到的光量,而不是單個像素接收到的光量。因為高像素機型通過縮圖,理論上可以獲得和低像素機型完全一致的信噪比。一個簡單的例子:假設相機A只有一個像素,其信號S=40000,N=200,其單個像素信噪比為SNR=200=46dB。假設相機B有四個像素,則在相同的條件下其信號S=40000/4=10000,N=100,其單個像素信噪比為SNR=100=40dB。現在我們對相機B的四個像素縮圖到一個像素:

SNR=ST/NT=200,兩者完全一致。

所以別迷信A7s好么親。

當然這裡也存在一個問題,就是像素的受光率不是100%,像素和像素之間會有被浪費的面積。但隨著現在無縫微棱透鏡技術的鋪開普及,這個問題實際上已經沒那麼重要了。

最後,對於散粒雜訊,我們不加證明的給出以下結論:

散粒雜訊的表現和相機的原始解析度無關,只和出圖的解析度有關。出圖解析度每上升一倍,信噪比損失3dB。

(所以這個宇宙中就不可能存在又極高信噪比又極高解析度的相機,不是錢的問題,也不是地球科技的問題。上帝不給你,哪怕你是V爺也沒有用)

三:讀取雜訊 Read Noise

電路雜訊中除了第一條的PNUR(SN主要是光的內稟特性),剩下的基本就是讀取雜訊,或者叫讀出雜訊了。

一般感測器的成像流程是感測器捕捉到光子——轉化為電信號——放大(提高ISO)——數模轉換(ADC)——後端數據處理。在這裡我們假設放大器的放大倍數(增益比)為A,以放大器為界把系統分開,前端的所有雜訊設為Nf,後端的所有雜訊設為Nb,那麼整個系統滿足以下關係:

於是到了這裡,我們得到了一個十分詭,但又確實符合模擬電路原理的結論:

ISO越高(增益A越大)的情況下,後端雜訊Nb對於SNR的影響越小。

所以其實佳能的病根兒就在這裡了:

ADC(模數轉換器)沒有內置在片上,需要經過一段距離的傳輸,導致後端混入雜訊,影響信噪比。

而ISO提高的時候,根據上面的公式後端讀取雜訊由於放大器倍數的提高而迅速被壓制,只剩下了前端讀取雜訊+散粒雜訊(放大器之前的部分)。而感測器的前端,其實佳能做的比索尼還優秀一點。1DX的單像素高感信噪比便是一個明晃晃的例證。

分界點在哪裡呢?大概就是(前端+散粒):後端雜訊是1:1的時候。換算過來正好,對應的就是ISO 800。


四:總雜訊分析

吐槽結束,我們繼續分析。

首先我們來回顧一下三種感測器雜訊的特性:
PNUR:和亮度成正比——信噪比恆定
散粒雜訊:和亮度的平方根成正比——信號每提高十倍,信噪比提高10dB
讀取雜訊:和亮度無關——信號每提高十倍,信噪比提高20dB

也就是說,我們通過觀察某感測器的信噪比曲線,可以得出該相機的感測器主要被哪種雜訊所影響。

這個是索尼A7s的亮度/SNR對數幅值響應曲線,decade的意思是每十倍。虛線是固定斜率的直線,用來方便說明(圖片轉自知乎)。

這條曲線拿來說明感測器性能的話,其實再合適不過了。
(1)在暗部讀取雜訊大於PNUR和散粒雜訊,曲線以接近20dB/decade的速度增長
(2)隨著ISO或者亮度提高,散粒雜訊成為主要雜訊源,曲線斜率過渡到10dB/decade
(3)信噪比再高也高不過PNUR給設置的坎。

索尼A7s的ISO25600下曲線幾乎和10dB/decade直線完全重合,說明讀取雜訊被壓制的非常好,光內稟特性造成的散粒雜訊幾乎決定了A7s的信噪比,這一個特性說起來——

讓人歡喜:索尼大法確實好。

讓人憂:或許人類所製造的相機其靈敏度已經接近上帝給我們劃的極限了。

我們換一台小畫幅相機,依然是索尼感測器,佳能的G7X:

圖片截取自DxOMark SNR Logarithmic。可以看到對於小畫幅高密度感測器來說,高感下的雜訊依然有很多取決於讀出雜訊。

渣動態的代表佳能EOS 5D MarkIII,可以看到受讀出雜訊影響嚴重的Sensor表現情況。只有亮度達到大概5%以後,才不會顯著受讀出雜訊的影響。

但一旦暗部掉落到5%以下,讀出雜訊就會越來越顯著,人家索尼感測器,亮度降低到以前的1/10,信噪比只削減10dB(3.3EV)

而佳能感測器亮度降低到以前1/10的話,信噪比衰減理論值是20dB(6.6EVs)

能打得過才見鬼了。

以及一個二級結論:在高ISO時,散粒雜訊是影響成像質量的最主要的雜訊源,CMOS本身的控噪水平對結果並沒有太大影響。所以A7s的單像素高感水平,很遺憾的來講,有可能已經是這個宇宙能達到的極限,已經再難提升了。不過我們可以在保持這種極低讀出雜訊的前提下儘可能的提升像素,來保證更好的圖片觀感。

三級結論:全幅CMOS高感好的物理實質就是在相同的拍攝參數下其通光量更大。

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5.14補充:

在DPReview新鮮出爐的EOS 5Ds R測評當中有這樣一句話:

「That said, the 5DS cameras cannot compete with the massive base ISO dynamic range we see from on-chip ADC architectures from Sony sensors in cameras from competitors like Nikon, Pentax, and Sony itself.」

也就是說DPReview也認為On-Chip ADC是索尼感測器低感寬容度領先的原因。

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5.15補充:

你真覺得佳能寬容度沒救了?


謝邀

看那個翔宇俊的回答吧,那個比較嚴謹,我這個回答純屬個人經驗,

具體多大差距我說不清楚,感覺就是兩代的差距

LR裡面曝光拉三檔,1DX和D810沒有明顯差距
拉四檔 1DX就出現彩噪了
拉五檔,1DX的基本不能看

拉三檔,然後增加一點對比度清晰度飽和度 1DX和D810也有比較明顯的差距

看了下5DS的RAW,感覺佳能還是有進步的,不過和D4 A7之流依然有比較大的差距
5D4?不知道,反正不看好


寬容度
尼康&>索尼&>佳能


挺不想打軒轅阿布醬的臉的
但有些事情不得不打
佳能渣相機提亮前

佳能渣相機提亮後

實際上的情況應該和翔宇情說得類似。
極限寬容度低兩檔左右,ISO800開始反超。不過暗部條紋的問題上,大法是完爆canon的。

喏,諸位公認的DXO。
你問我茲瓷不茲瓷索尼大法,我無可奉告。
但是

雖然領先了很多,但也沒拿出全力在靜態影像sensor上嘛。

軒轅君最喜歡拿模擬圖,我比較喜歡自己擼raw
索尼最叼FF A7R ISO400拉5檔+陰影100

好像也沒好得驚天動地嘛。。。。

RX1 iso 100 拉五檔曝光,高光100 陰影100 也是車禍現場嘛。(這張是我所有測試圖裡RX1寬容度表現最差的一張)

這樣看看是不是1DX強拉5檔的車禍現場還能接受?
不過你以為D800E能默秒全?

現階段的感測器性能怎麼都能壓榨乾凈的
各家都有後手,你看那個做眼鏡的R記做的感測器就知道了。
現階段是低感寬容度nikon>sony>canon

壯哉我大V爺全幅旗艦速度機的決鬥:1DX vs D4 業餘評測
樓上竟然是劉慶大神,膜。


在搜集有關資料的時候發現了無忌上的一篇文章,其中提到了索尼對暗部的特殊降噪演算法,感覺至少是因素之一。
文章比較長就不粘原文了

通過一篇SONY論文分析SONY感測器DXO暗部信噪比很高的原因


要知道,CMOS感測器在每個像素的下面都是有A/D轉換器的。
雖然微透鏡的製造是用了沉積工藝,不太可能跟電子的製程有關,但是A/D電路可是實打實的電子電路。
也就是說,同樣大小的一個像素,感動用500nm技術可以在這個像素下面做一個8位的逐次比較A/D,但是180nm技術卻可以在同樣大小的區域做出更複雜的電路,精度可以達到12位。PS:上述精度數據均為舉栗子,不是確切數據。
那麼問題來了,是8bit還是12bit的數字信號記錄的信息更多呢?不言而喻。

當A/D轉換器送給digic或者expeed或者bionz影像處理器的數據只有8bit時候,你覺得它給你送出來的14bit raw真的是原生的從CMOS上拿出來的14bit數據?演算法擴充的而已,期間必然有些細節並不是真實數據,而是計算出來的。當然可能人家佳能的A/D早就到了14bit,raw不是插值算出來的,但是面對使用索尼CMOS的機器和其更高位數(比如16bit)的數字信號壓縮成14bit raw的數據量更多的raw,佳能必然有劣勢。
暗部彩噪,寬容度不足之類的原因,就是因為數據記錄的細節不夠,導致部分細節部分的數據出現偏差,因此有了和本來對應位置顏色不一致的噪點。


自從玩了尼康的蕩婦(DF)後,我都想變嫖客了。


因為採用的外置ADC,傳輸距離長,底噪就大了。好處是採樣精度高,適合高速傳輸,並且高感下熱燥聲小。


拍風光片,後期很重要,在後期處理時,所謂的那麼點寬容度優勢基本可以忽略不計。


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